高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：插件,P=15mm

特性：电容器容量范围从0.001μF到0.033μF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜及铝箔组成,无感结构。可承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：各种电子线路中的高脉冲线路、大电流。电子镇流器

数据手册

10+
￥0.4635
100+
￥0.3723
500+
￥0.2803
1000+
￥0.2461
5000+
￥0.2187
10000+
￥0.205

有货

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型号：SV470M350E5R8R1Z00ZZ 编号：C42460446

封装：SMD,D6.3xL5.8mm

品牌：CH(创慧电子)

应用：通讯电源。平面显示器

5+
￥0.50049 ￥0.5561
50+
￥0.40203 ￥0.4467
150+
￥0.3528 ￥0.392
1000+
￥0.31581 ￥0.3509
2000+
￥0.28629 ￥0.3181
5000+
￥0.27153 ￥0.3017

有货

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型号：SL3144-9 编号：C7543347

封装：TO-92S

品牌：Slkor(萨科微)

耐高压高灵敏度单极霍尔开关

5+
￥0.59568 ￥0.7446
50+
￥0.47088 ￥0.5886
150+
￥0.40848 ￥0.5106
1000+
￥0.36168 ￥0.4521
2000+
￥0.32424 ￥0.4053
5000+
￥0.30552 ￥0.3819

有货

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型号：RV471M250Z120R1Z00ZZ 编号：C42460438

封装：插件,D5.5xL12mm

品牌：CH(创慧电子)

特性：高电压。105°C 2000小时。引线型。符合环保要求。应用：PD快充设备。储能逆变设备

5+
￥0.59796 ￥0.6644
50+
￥0.47268 ￥0.5252
150+
￥0.41004 ￥0.4556
1000+
￥0.36306 ￥0.4034
2000+
￥0.32553 ￥0.3617
5000+
￥0.30672 ￥0.3408

有货

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型号：WS742904M-8/TR 编号：C717879

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742904由双通道独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计。这些器件在与数字系统的接口电路中特别有用，可由单一的5VDC通用电源供电。WS742904提供8引脚SOP和MSOP封装

数据手册

5+
￥0.7064
50+
￥0.6102
150+
￥0.569
500+
￥0.5176
2500+
￥0.4947

有货

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型号：P61089B 编号：C7433958

封装：SOP-8

品牌：WEIDA(韦达)

该器件专门设计用于保护用户线接口电路（SLIC）免受瞬态过电压影响。正向过载通过2个二极管进行限幅。负向浪涌由2个晶闸管抑制，其击穿电压通过栅极参考VBAT

5+
￥0.7347
50+
￥0.6402
150+
￥0.5997
500+
￥0.5491
2500+
￥0.5266
4000+
￥0.5131

有货

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型号：NSG0462U 编号：C6274824

封装：SOP-16-150mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0462U是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。

5+
￥0.857
50+
￥0.7485
150+
￥0.7019
500+
￥0.6438
2500+
￥0.618
4000+
￥0.6025

有货

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型号：ULN2803AN237 编号：C51026341

封装：DIP-18

品牌：GMIC(绿微)

达林顿驱动 8通道达林顿晶体管阵列

5+
￥1.055736 ￥1.1997
50+
￥0.830456 ￥0.9437
140+
￥0.733832 ￥0.8339
500+
￥0.61336 ￥0.697
2000+
￥0.559768 ￥0.6361
5000+
￥0.52756 ￥0.5995

有货

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型号：SK6513SS5E-33 编号：C52034502

封装：SOT-23-5L

品牌：suntek(洺太电子)

Low IQ, Low Dropout, Fast Transient Response, 36V High Input Voltage

5+
￥1.1039
50+
￥0.8721
150+
￥0.7727

有货

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型号：RV821M250F140R1Z00ZZ 编号：C42460417

封装：插件,D8xL14mm

品牌：CH(创慧电子)

5+
￥1.14678 ￥1.2742
50+
￥0.90045 ￥1.0005
150+
￥0.79488 ￥0.8832
500+
￥0.66321 ￥0.7369
2500+
￥0.60453 ￥0.6717
5000+
￥0.56934 ￥0.6326

有货

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型号：ULN2003A 编号：C17703112

封装：SOP-16

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

ULN2003A 是一款高压、大电流达林顿晶体管阵列。每个器件由七个可独立输出的 NPN 达林顿对组成。这些达林顿对具有公共发射极，支持高压输出，并配有共阴极钳位二极管，用于开关感性负载

5+
￥1.2124
50+
￥0.9629
150+
￥0.856

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型号：K150 编号：C2917831

封装：SMB

品牌：ZHIDE(志得)

特性：低反向泄漏。高可靠性。保证高温焊接：引脚和本体可承受260°C/10秒。引脚和本体符合RoHS标准。双向撬棍保护。高正向浪涌电流能力。不会疲劳。塑料封装通过UL易燃性分类94V-0。消除快速上升瞬变引起的过电压。不会因电压损坏

数据手册

5+
￥1.2415
50+
￥0.927
150+
￥0.7922
500+
￥0.624

有货

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型号：CBM2003AS16 编号：C692892

封装：SOIC-16

品牌：Corebai(芯佰微)

是高压、大电流达林顿晶体管阵列。每个阵列由七个 NPN 达林顿对组成，具有带共阴极钳位二极管的高压输出，用于切换感性负载。单个达林顿对的集电极电流额定值为 500 mA。达林顿对可以并联以获得更高的电流能力。应用包括继电器驱动器、锤驱动器、灯驱动器、显示器驱动器（LED 和气体放电）、线路驱动器和逻辑缓冲器。每个达林顿对都有一个 2.7 kΩ 的串联基极电阻，可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件配合使用。

数据手册

5+
￥1.284702 ￥1.3814
50+
￥1.026906 ￥1.1042
150+
￥0.916422 ￥0.9854
500+
￥0.778596 ￥0.8372
2500+
￥0.717216 ￥0.7712
5000+
￥0.680295 ￥0.7315

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型号：GS339-TR 编号：C5179675

封装：TSSOP-14

品牌：Gainsil(聚洵)

由四个独立的精密电压比较器组成，典型失调电压为 2.0mV，增益高。专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计，也可采用双电源工作，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。与行业标准 339 兼容，GS339A 的输入失调电压比 GS339 更严格。GS339 有 SOP-14 和 TSSOP-14 封装，GS339A 有 SOP-14 封装。

数据手册

1+
￥1.3958
10+
￥1.1035
30+
￥0.9782
100+
￥0.8219
500+
￥0.7523

有货

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型号：IW4069UBDT 编号：C412478

封装：SOP-14

品牌：IKSEMICON

反相器芯片

数据手册

1+
￥1.6708
10+
￥1.3584
30+
￥1.2245
100+
￥1.0575
500+
￥0.9831

有货

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型号：AH421SU 编号：C5378191

封装：SOT-23-3L

品牌：Alfa(中科阿尔法)

类型: 单极开关供电电压(V): 3.5~40 功耗(mA): 6 ESD(KV): 4 工作温度(℃): -40~125 工作点（Gs）: 60 释放点(Gs): 40 输出形式: 集电极开路

1+
￥1.7453
10+
￥1.3421
30+
￥1.1693
100+
￥0.9537
500+
￥0.8577
1000+
￥0.8

有货

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型号：SLM2103SCA-13GTR 编号：C461469

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

5+
￥1.8543
50+
￥1.4259
150+
￥1.2423
500+
￥1.0133

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型号：CD4054BM96 编号：C555140

封装：SOP-16

品牌：TI(德州仪器)

CD4054B 4 通道、3V 至 18V 缓冲器

数据手册

5+
￥2.0039
50+
￥1.5765
150+
￥1.3933

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型号：AH3774-SA-7 编号：C842136

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AH3774是一款高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC，专为工业、家用消费电器及个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3774采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路提供温度补偿电源，能在整个工作范围内提供可靠的解决方案

数据手册

1+
￥2.0935 ￥2.65
10+
￥1.4559 ￥2.11
30+
￥1.1033 ￥1.87
100+
￥0.9322 ￥1.58
500+
￥0.8555 ￥1.45
1000+
￥0.8083 ￥1.37

有货

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型号：FV55X563K202EHG 编号：C2936145

封装：2220

品牌：PSA(信昌电陶)

采用环保材料制造,无铅或镉。这些电容器的特点是在多层陶瓷电容器(MLCC)中串联多层电容器单元,以实现高压性能。这种特殊设计可以在整个电容器中分布电压梯度,从而防止短路故障。这是一种用于液晶显示器背光逆变器应用的安全设计。

数据手册

1+
￥2.44
10+
￥1.91
30+
￥1.68
100+
￥1.4
500+
￥1.28

有货

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型号：JSM504 编号：C2900609

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JS M50X 系列由采用 BCDMOS 技术生产的不同霍尔开关组成。所有霍尔传感器均包含一个具有主动失调补偿功能的温度补偿霍尔板、一个比较器和一个输出驱动器。该系列包含三线制器件，对应的输出驱动器分别为开漏输出晶体管和电流源

数据手册

1+
￥2.504 ￥3.13
10+
￥1.984 ￥2.48
30+
￥1.76 ￥2.2
100+
￥1.48 ￥1.85
500+
￥1.352 ￥1.69
1000+
￥1.28 ￥1.6

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型号：HX2113-S 编号：C41399165

封装：WSOP-16

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX2110-S/HX2113-S 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

1+
￥2.538 ￥2.82
10+
￥2.25 ￥2.5
30+
￥2.115 ￥2.35
100+
￥1.971 ￥2.19
500+
￥1.881 ￥2.09
1000+
￥1.845 ￥2.05

有货

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型号：JSM507 编号：C2900618

封装：TO-92S

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM50X系列由采用BCDMOS技术制造的不同霍尔开关组成。所有霍尔传感器均包含一个具有有源失调补偿的温度补偿霍尔板、一个比较器和一个输出驱动器。该系列包含三线制器件，对应的输出驱动器分别为开漏输出晶体管和电流源

数据手册

1+
￥2.728 ￥3.41
10+
￥2.208 ￥2.76
30+
￥1.952 ￥2.44
100+
￥1.696 ￥2.12
500+
￥1.536 ￥1.92
1000+
￥1.464 ￥1.83

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型号：VDR-20D182K 编号：C6793805

封装：插件

品牌：VDR(嵩隆)

特性：宽工作电压 (V1mA) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。安全编号：CUL-E317616、VDE-40028836、CQC-12001076476、ISO9001-2018。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

1+
￥2.75
10+
￥2.69
30+
￥2.65
100+
￥2.6

有货

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型号：285-420 编号：C26865210

封装：-

品牌：WAGO(万可)

单价：
￥2.81 / 个

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型号：JSM544 编号：C2900625

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

由BCDMOS技术生产的不同霍尔开关组成。所有霍尔传感器包括一个带有有源失调补偿的温度补偿霍尔板、一个比较器和一个输出驱动器。该系列包括2线设备，相应的输出驱动器分别是一个开漏输出晶体管和一个电流源。比较器将实际磁通量与固定参考值（开关点）进行比较。因此，2线版本中电流源中的输出晶体管会开启（高电流消耗）或关闭（低电流消耗）。有源失调补偿可在电源电压和温度范围内实现恒定的磁特性。此外，磁参数对机械应力影响具有较强的抵抗力。传感器设计用于工业和汽车应用，工作电源电压为2.7 V至30 V，环境温度范围为 -40℃至150℃。该系列有SOT-23和带引脚的TO92S封装。

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