高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLV9052IPWR 编号：C1849420

封装：TSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

TLV9052 适用于成本优化型应用的双通道、5.5V、5MHz、15V/μs 压摆率、RRIO 运算放大器

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￥2.38
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￥1.84
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型号：HX2110-S 编号：C41399164

封装：WSOP-16

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX2110-S/HX2113-S 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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￥2.538 ￥2.82
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型号：RV222M250G200R1Z00ZZ 编号：C42460463

封装：插件,D10xL20mm

品牌：CH(创慧电子)

特性：高电压。105°C 2000小时。引线型。符合环保要求。应用：PD快充设备。储能逆变设备

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￥2.781 ￥3.09
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型号：TS27L2IDT 编号：C2688495

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

该评估板设计注重通用性，可轻松快速构建多种电路，如电压跟随器、非反相放大器、反相放大器、Sallen-key滤波器、仪表放大器、交流耦合电路、环外补偿电路等。它专为表面贴装元件设计，可在将产品集成到设计中之前进行板载特性分析，电阻和电容焊盘采用1206系列。

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￥2.87
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型号：JSM510 编号：C2900621

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

由BCDMOS技术生产的不同霍尔开关组成。所有霍尔传感器包括一个带有源失调补偿的温度补偿霍尔板、一个比较器和一个输出驱动器。该系列包括三线设备，相应的输出驱动器分别是一个开漏输出晶体管和一个电流源。比较器将实际磁通量与固定参考值（开关点）进行比较。因此，在三线版本中，输出晶体管会开启或关闭。有源失调补偿可在电源电压和温度范围内实现恒定的磁特性。此外，磁参数对机械应力影响具有较强的抵抗力。该传感器设计用于工业和汽车应用，可在2.7V至30V的电源电压和 -40℃至150℃的环境温度范围内工作。可提供SOT-23和带引脚的TO92S封装。

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￥2.8985 ￥3.41
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型号：TLV9052IDDFR 编号：C1849419

封装：TSOT-23-8

品牌：TI(德州仪器)

TLV9052 适用于成本优化型应用的双通道、5.5V、5MHz、15V/μs 压摆率、RRIO 运算放大器

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1+
￥3.08
10+
￥2.61
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型号：HT2172ARZ 编号：C2976641

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

CMOS、单电源、轨到轨输入/输出、宽带双路运算放大器

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￥3.43
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￥2.79
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￥2.46
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型号：IRS2807DSTRPBF-JSM 编号：C41421796

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源、开关变换器、通用栅驱动器。

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￥3.52
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￥3.11
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￥2.9
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型号：SIT1028QT/3V3 编号：C7433971

封装：SOP8

品牌：SIT(芯力特)

SIT1028Q是一款内部集成高压LDO稳压源的本地互联网络（LIN)物理层收发器，符合LIN2.0、LIN 2.1、LIN2.2、LIN2.2A、ISO17987-4:2016（12V）和SAEJ2602标准。

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￥4.38
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型号：IR2108STRPBF 编号：C2964

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥5.64
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型号：L6498DTR 编号：C500658

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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型号：FS256AQ 编号：C2875459

封装：QFN-17L(7x7)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FS256AQ是一款高性能、高可靠性的高压半桥智能功率模块，内置2个600V/5A快恢复功率MOS管和高压半桥栅极驱动电路，主要应用于风机、风扇、水泵等小功率电机驱动。FS256AQ内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压工作。其内置输入滤波和输入直通防止功能，防止输入噪声干扰。FS256AQ采用QFN-7*7封装，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机以及紧凑安装的场合。

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