半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

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型号：EG2126 编号：C480659

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+2.0A/-2.0A，采用SOP28L封装。

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型号：FAN73933MX 编号：C606094

封装：SOP-14

FAN73933 是一款具有关断和可编程死区控制功能的半桥栅极驱动 IC，可驱动工作电压高达 +600 V 的高速 MOSFET 和隔离栅极桥晶体管 (IGBT)。它具有缓冲输出级，且所有 NMOS 晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。

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型号：2ED3146MC12LXUMA1 编号：C22505013

封装：TO-247-4

是一款双通道隔离栅极驱动器IC，用于驱动Si MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。产品采用14引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，提供加强隔离。所有型号均具备死区时间控制（DTC）功能和独立通道操作，可作为双通道低端驱动器、双通道高端驱动器或半桥栅极驱动器，并可配置死区时间。具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低的器件间传播延迟失配和快速的信号传播，适用于快速开关应用。

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型号：TLE9140EQWXUMA1 编号：C6881204

封装：TSDSO-32

该设备是一款48 V MOSFET栅极驱动器，与通用微控制器和MOTIX™ MCU兼容，可在24 V/48 V平台上驱动最多3个半桥。它具备保护功能，并可使用MOTIX™ MCU中集成的诊断功能。

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型号：SIC789CD-T1-GE3 编号：C467919

封装：MLP66-40

品牌：VISHAY(威世)

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型号：EL7232CSZ-T7 编号：C2671328

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

适用于ATE和微处理器应用。低静态功耗使其适合电池供电应用。峰值驱动能力为2A，适合驱动高速电容线。

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型号：SD15M60AC 编号：C5221002

封装：DIP-27H

品牌：SILAN(士兰微)

SD15M60AC是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动器，适用于空调、洗碗机和工业缝纫机等低功率逆变器驱动。它内置了六个低损耗IGBT和三个高压高速半桥栅极驱动器。集成的欠压、短路和过温保护功能使电路能在较宽范围内安全工作

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型号：TLE9180D21QKXUMA1 编号：C1854987

封装：LQFP-64(10x10)

TLE9180D - 21QK和TLE9180D - 31QK是先进的栅极驱动IC，专门用于控制6个外部N沟道MOSFET，这些MOSFET构成一个逆变器，适用于汽车领域的大电流三相电机驱动应用。先进的高压技术使这些IC能够支持单电池和混合电池系统的应用，电池电压涵盖12 V、24 V和48 V。与桥路、电机和电源相关的引脚能够承受高达90 V的电压

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型号：LMH0303SQE/NOPB 编号：C2652759

封装：WQFN-16-EP(4x4)

支持ST 424 (3G), 292 (HD) 和 259 (SD)，数据速率高达2.97 Gbps，支持DVB-ASI在270 Mbps，具有电缆检测功能，输出驱动器功率控制。

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型号：LMH0307SQ/NOPB 编号：C2652755

封装：WQFN-16-EP(4x4)

LMH0307 具有电缆检测功能的 3G HD/SD SDI 双通道输出电缆驱动器

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型号：LM2103DR 编号：C22428474

封装：SOIC-8

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型号：NCP4306AAAZZZAMN1TBG 编号：C603719

封装：DFN-8-EP(2x2.2)

NCP4306 是一款高性能驱动器，专门为控制开关模式电源中的同步整流 MOSFET 而设计。由于其高性能驱动器和多功能性，可用于多种拓扑结构，如 DCM 或 CCM 反激、准谐振反激、正向和半桥谐振 LLC。外部可调或固定可调最短开关时间间隔时段的组合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件产生的振铃。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4306 还利用 MOSFET 的驱动器开尔文连接，实现了满负载下的高能效运行，利用轻负载检测结构实现了轻负载下的高能效。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间以及最高的 SMPS 能效。这种高准确性驱动器和 5V 门极箝位实现了 GaN MOSFET 的使用。

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型号：INS2003FQ 编号：C49215222

封装：QFN-12(3x3)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

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型号：SN75C188N 编号：C1544642

封装：PDIP-14

SN75C188是一款单片、低功耗、四通道线驱动器，用于数据终端设备与数据通信设备之间的接口。该器件设计符合ANSI标准EIA/TIA-232-E。

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型号：UCC21542DWR 编号：C5216325

封装：SOIC-14-300mil

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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型号：LF2190NTR 编号：C24790161

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

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型号：DS14C88MX/NOPB 编号：C2862210

封装：SOIC-14

符合EIA-232D和CCITT V.28标准，低功耗，宽电源范围±5V至±12V。

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型号：CSD95485RWJ 编号：C3717236

封装：VQFN-41-CLIP(5x6)

CSD95485RWJ 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级

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型号：DRV8143HQDGQRQ1 编号：C36884958

封装：HTSSOP-28

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型号：LMH0307SQE/NOPB 编号：C529564

封装：WQFN-16-EP(4x4)

LMH0307 具有电缆检测功能的 3G HD/SD SDI 双通道输出电缆驱动器

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型号：PI3EQX7502MZDEX 编号：C516613

封装：TQFN-24(4x4)

品牌：DIODES(美台)

低功耗、高性能5.0 Gbps信号重驱动器，专为USB 3.0协议设计。提供可编程均衡、去加重和输入阈值控制，以优化各种物理介质上的性能。

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型号：DGD1003FTA-13 编号：C5244545

封装：VDFN3035-8

品牌：DIODES(美台)

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型号：2EDL8124G3CXTMA1 编号：C5502862

封装：VDSON-10

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型号：NCD57201DR2G 编号：C2902040

封装：SOIC-8

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型号：UCC21551BDWKR 编号：C35841108

封装：SOIC-14

是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有可编程死区时间和宽温度范围。设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流，用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧与两个输出驱动器通过5kV_RMS隔离屏障隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）至少为125V/ns。保护功能包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能，以及集成的去毛刺滤波器，可抑制短于5ns的输入瞬变。所有电源均具有欠压锁定（UVLO）保护。凭借这些先进特性，该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。

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型号：2EDS9265HXUMA1 编号：C1870163

封装：SOIC-16-300mil