半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：PI3EQX1004B1ZHEX 编号：C2652430

封装：TQFN-42-EP(3.5x9)

品牌：DIODES(美台)

低功耗，高性能10.0 Gbps 2端口USB 3.1线性重驱动器，兼容USB 3.1和USB 3.0协议。

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型号：TLE9140EQWXUMA1 编号：C6881204

封装：TSDSO-32

品牌：Infineon(英飞凌)

该设备是一款48 V MOSFET栅极驱动器，与通用微控制器和MOTIX™ MCU兼容，可在24 V/48 V平台上驱动最多3个半桥。它具备保护功能，并可使用MOTIX™ MCU中集成的诊断功能。

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型号：MP6532GF-Z 编号：C3681302

封装：TSSOP-28-EP

品牌：MPS(芯源)

是一款用于三相无刷直流电机驱动应用的栅极驱动IC。能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，最高耐压60V。集成了一个稳压电荷泵来产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端MOSFET驱动器产生电源电压。即使输出以100%占空比运行，内部涓流充电电路也能保持足够的高端栅极驱动电压。内部保护功能包括可编程短路保护、过流保护、可调死区时间控制、欠压锁定和热关断。该器件通过三个霍尔传感器输入集成了120°换向。PWM、DIR和nBRAKE输入用于控制电机速度、方向和制动。有28引脚、9.7mm×6.4mm TSSOP和4mm x 4mm QFN封装，带有外露散热垫。

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型号：CSD95485RWJ 编号：C3717236

封装：VQFN-41-CLIP(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95485RWJ 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级

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型号：MPQ6532GVE-AEC1-Z 编号：C6595735

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6532是一款专为三相无刷直流（BLDC）电机驱动应用设计的栅极驱动IC。它能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，最高耐压达60V。MPQ6532集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举（BST）电容为高端MOSFET（HS - FET）驱动器生成电源电压。即使输出处于100%占空比时，内部涓流充电电路也能维持足够的HS - FET驱动器电压。内部安全特性包括可配置的短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、可调死区时间（DT）控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MPQ6532通过三个霍尔传感器输入实现120°换相。脉冲宽度调制（PWM）、DIR和nBRAKE输入分别控制电机的速度、方向和制动。MPQ6532采用带有外露散热焊盘的QFN - 28（4mmx5mm）封装，并且符合AEC - Q100标准。

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型号：UCC21551BQDWKRQ1 编号：C31615156

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。DFJ28封装提供>5.3mm的通道间爬电以支持高电压系统。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

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型号：EG2134 编号：C480661

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2134高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1.2A/-1.4A，采用TSSOP20和QFN24封装。

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型号：DGD1003FTA-13 编号：C5244545

封装：VDFN3035-8

品牌：DIODES(美台)

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型号：NSG2110 编号：C49449774

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用宽体SOP16（W）封装，可以在 -40℃至125℃温度范围内工作。

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型号：NCD57201DR2G 编号：C2902040

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：2ED2732S01GXTMA1 编号：C6798610

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款基于SOI的160V栅极驱动器，专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为高端电源供电，对自举电容器进行充电。保护功能包括Vcc和VB引脚上的欠压锁定。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。

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型号：LF2101NTR 编号：C3655095

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

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型号：DRV88471RTER 编号：C30050567

封装：WQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8847 器件是一款适用于工业应用、家用电器、ePOS 打印机及其他机电一体化应用的双 H 桥电机驱动器。可用于驱动两个直流电机、一个双极步进电机或继电器等其他负载。借助简单的 PWM 接口，可轻松与控制器连接。由单一电源供电，支持 2.7V 至 18V 的宽输入电源范围。驱动器的输出级由配置为两个全 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 构成，用于驱动电机绕组或四个独立半桥（在独立桥式连接配置中）。固定关断时间控制电桥中的峰值电流，该电流能够驱动一个 1A 的负载（并行模式下 25℃ TA 时，在散热适当的条件下，可驱动 2A 的负载）。提供了低功耗睡眠模式，以通过关断大量内部电路实现较低的静态电流消耗。此外，附带的扭矩标量能够通过数字输入引脚动态调节输出电流。该特性可降低控制器所需电流，实现更低功耗。还提供了各种内部保护功能，如欠压锁定、每个 FET 的过流保护、短路保护、开路负载检测和过热保护等。故障状态通过 nFAULT 引脚指示。I2C 器件版本 (DRV8847S) 提供详细诊断。

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型号：UCC21542ADWKR 编号：C5216323

封装：SOIC-14-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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型号：IR2132STRPBF 编号：C537580

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：PCA9614DPZ 编号：C3824236

封装：MSOP-10

品牌：NXP(恩智浦)

PCA9614是一款快速模式增强版（Fm + ）SMBus/I²C总线缓冲器，利用差分SMBus/I²C总线（dI²C）物理层，使单端SMBus/I²C总线在电气噪声环境中得以延伸，且对SMBus/I²C总线协议层透明。它包含两个用于SCL（串行时钟）和SDA（串行数据）的单端转差分驱动通道。在相同的dI²C总线缓冲器之间使用差分传输线，可消除信号线在不同电压域之间传输、与干扰信号捆绑，或靠近电气噪声源（如高能电源和电动机）时出现的电气噪声和共模偏移

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型号：IRS23364DSTRPBF 编号：C538326

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：UCC21550CQDWKRQ1 编号：C38056306

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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型号：UCC21550BQDWRQ1 编号：C35135429

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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型号：UCC21551AQDWRQ1 编号：C37662329

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns

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型号：NCV7710DQBR2G 编号：C5826160

封装：SSOP-36-EP

品牌：onsemi(安森美)

是一款用于汽车车身控制系统的驱动IC，设计用于控制车辆车门中的锁止电机。借助单片全桥驱动级，该IC能够控制锁止电机，并通过带有帧内响应的24位SPI接口进行控制。

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型号：6ED2231S12TXUMA1 编号：C6081109

封装：SOIC-24-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：TLE92104131QXXUMA1 编号：C5986675

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE92104 - 131是一款多MOSFET驱动IC，专门用于控制多达八个n沟道MOSFET。它包含四个半桥，适用于直流电机控制应用，如汽车电动座椅控制或其他应用。该器件采用24位串行外设接口（SPI）来配置TLE92104 - 131并控制半桥

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型号：LMG5200MOFR 编号：C2680255

封装：QFM-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

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型号：LTC4301LCDD#PBF 编号：C688001

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4301L热插拔式两线总线缓冲器允许将I/O卡插入带电背板，而不会损坏数据和时钟总线。此外，LTC4301L的SDAIN和SCLIN引脚与上拉电压低至1V的系统兼容。控制电路会阻止背板与卡连接，直到出现停止位或总线空闲状态

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型号：MADR-007097-000100 编号：C6898560

封装：SOIC-8

品牌：MACOM

MADR-007097 是一款单刀双掷（SPDT）驱动器，用于在 TTL 逻辑信号和基于 PIN 二极管的微波开关之间进行接口。采用高速模拟 CMOS 技术，可在中等速度下实现低功耗。低输出电阻使其能够产生高输出电流尖峰，以确保快速开关速度。互补输出级的结构使其可用作单刀单掷（SPST）开关的反相或同相驱动器，或用作单刀双掷（SPDT）开关的单输入互补驱动器。该单片裸片采用 SOIC-8 塑料表面贴装封装，并且提供适用于大批量应用的卷带封装。MADR-007097 驱动器非常适合驱动 MACOM 的 HMIC 开关系列。