半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：MLP55-31L(5x5)

SiC632和SiC632A是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC632和SiC632A采用威世（Vishay）专有的5 mm × 5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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型号：CSD95496QVMT 编号：C701756

封装：VSON-18-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95496QVM 采用 4x5 SON 小型封装的 40A 同步降压 NexFET 智能功率级

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型号：NCV7430D20R2G 编号：C556469

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

单芯片RGB驱动器，专用于多色LED应用。该RGB LED驱动器包含一个LIN接口（从机），用于参数编程LED颜色和强度。

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型号：LMH0302SQE/NOPB 编号：C181600

封装：QFN-16(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMH0302 3G HD/SD SDI 电缆驱动器

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型号：UCC27311AQDRCRQ1 编号：C41730487

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：IRS2452AM 编号：C538335

封装：MLPQ-32

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2452AM集成了两个通道的高压、高性能D类音频放大器驱动器，带有PWM调制器和保护功能。与外部MOSFET配合使用时，IRS2452AM可构成一个完整的两通道D类音频放大器。IRS2452AM采用浮动模拟输入和保护控制接口引脚设计，便于半桥应用。通过可编程过流保护功能，可保护高端和低端MOSFET免受过流情况影响。PWM调制器部分的关键元件使系统设计更加灵活。小型的MLPQ 7x7mm封装进一步凸显了D类拓扑结构尺寸小巧的优势。IRS2452AM为无铅产品，符合ROHS标准。

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型号：TMDS1204RNQR 编号：C19272424

封装：WQFN-40(4x6)

品牌：TI(德州仪器)

TMDS1204是一款支持HDMI 2.1数据速率高达12Gbps的HDMI 2.1重驱动器。它向后兼容HDMI 1.4b和HDMI 2.0b。高带宽差分输入和输出可以是AC耦合或DC耦合。

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型号：FSB50550AS 编号：C606131

封装：SPM-5Q-023

品牌：onsemi(安森美)

FSB50550AS 是一款先进的 Motion SPM 5 系列，基于快速恢复 MOSFET (FRFET) 技术，可用作风机和泵等小功率电机驱动应用的紧凑型逆变器方案。FSB50550AS 在一个完全隔离的紧凑型封装内包含了六个 FRFET MOSFET、三个带温度感应的半桥门极驱动器 HVIC，以及三个自举二极管，可实现最佳热性能。FSB50550AS 优化了开关速度，降低了寄生电感，因此具有低电磁干扰 (EMI) 特性。因为 FSB50550AS 采用 MOSFET 作为电源开关，所以与基于 IGBT 的电源模块相比，坚固性高很多，安全运行区域 (SOA) 也更大。FSB50550AS 方案适用于组装空间有限的紧凑可靠的逆变器设计。

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型号：U3216S-JSM 编号：C44606288

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

U3216S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

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型号：SN75188N 编号：C354463

封装：PDIP-14

品牌：TI(德州仪器)

SN75188 四路线路驱动器

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型号：2EDL05I06PFXUMA1 编号：C2676937

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：CSD97394Q4M 编号：C529286

封装：PFDFN-8

品牌：TI(德州仪器)

CSD97394Q4M CSD97394Q4M 同步降压 NexFET™ 功率级

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型号：1ED3140MU12FXUMA1 编号：C17695126

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

单通道栅极驱动IC，采用DSO-8 150 mil封装，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。提供高达6.5 A的典型输出电流。输入逻辑引脚使用CMOS阈值电平，在3 V至6.5 V的宽输入电压范围内工作，以支持3.3 V微控制器。通过无芯变压器技术实现跨隔离屏障的数据传输。所有型号都具有输入和输出欠压锁定（UVLO）和主动关断功能。

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型号：UCC21551DDWKR 编号：C35019722

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。它设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流，用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过5kV RMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为125V/ns。保护功能包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能，以及集成的去毛刺滤波器，可抑制短于5ns的输入瞬变。所有电源都有欠压锁定（UVLO）保护。凭借所有这些先进特性，该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。

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型号：2ED2184S06F 编号：C533054

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：TPS51601ADRBR 编号：C2676913

封装：WSON-8-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS51601A 具有死区控制的 30V 半桥栅极驱动器

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型号：2EDL5013U2DXTMA1 编号：C23120499

封装：TSNP-12

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：LM5100BSD/NOPB 编号：C2677206

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5100B 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：PI3EQX1004B1ZHEX 编号：C2652430

封装：TQFN-42-EP(3.5x9)

品牌：DIODES(美台)

低功耗，高性能10.0 Gbps 2端口USB 3.1线性重驱动器，兼容USB 3.1和USB 3.0协议。

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型号：IR2132STRPBF 编号：C537580

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：UCC21551BQDWKRQ1 编号：C31615156

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。DFJ28封装提供>5.3mm的通道间爬电以支持高电压系统。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

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型号：NCP51560ABDWR2G 编号：C5206714

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

是隔离双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。专为快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关而设计，具有短且匹配的传播延迟。输入到每个输出之间有两个独立的5 kVrms内部电流隔离，两个输出驱动器之间有内部功能隔离，允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时分别用于启用或禁用模式，同时关闭两个输出。还提供其他重要保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。

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型号：TUSB1044ARNQR 编号：C47023642

封装：WQFN-40(4x6)

品牌：TI(德州仪器)

是一款支持高达10Gbps数据速率的USB Type- C交替模式转接驱动器开关。这款线性转接驱动器不依赖协议，能够支持USB Type- C交替模式接口（包括DisplayPort）。提供有多个接收线性均衡级别，用于补偿由于线缆或电路板走线损耗产生的码间串扰(ISI)。该器件由3.3V单电源供电运行，支持商业级温度范围和工业级温度范围。全部四个通道均为正反两用式，这种设计使这款器件成为可用于诸多应用的多用途信号调节器。

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型号：LMH0001SQ/NOPB 编号：C2652792

封装：WQFN-16-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMH0001 SMPTE 259M / 344M 串行数字电缆驱动器

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型号：IR2233JTRPBF 编号：C537616

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：MAX44211ETP+ 编号：C1544292

封装：TQFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

适用于需要高输出电流来驱动隔离和耦合变压器的电力线通信(PLC)应用，具有低失真特性。支持多种世界标准，提供高达1.5A的峰值电流和36Vp-p的差分电压摆幅。

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型号：IGI60F5050A1LAUMA1 编号：C5740689

封装：TIQFN-28

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：LMH1228RTVR 编号：C2676895

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

LMH1228 具有集成时钟恢复器的 12G 超高清 SDI 双路电缆驱动器

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￥153.62
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型号：TM2123-SOP8-TA2402C 编号：C51026294

封装：SOP-8

品牌：TM(天微)

TM2123 是一款具有VCC欠压保护和输入高低侧信号互锁功能的高压半桥驱动芯片，内置VCC欠压保护电路可防止功率管工作在过低的电压下，提高效率。同时内置输入高低侧信号互锁电路可防止功率管上下桥臂发生直通，有效保护高压功率器件。设计该芯片主要用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。适用于电动自行车、马达驱动、电动工具等电机驱动类产品。本产品性能优良，质量可靠。

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型号：NSG2110P 编号：C49449825

封装：DIP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用DIP14封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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