半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MP86952GMJ-Z 编号：C7231751

封装：LGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

1+
￥43.748
50+
￥39.4534
100+
￥35.8012

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型号：SD15M60AC 编号：C5221002

封装：DIP-27H

品牌：SILAN(士兰微)

SD15M60AC是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动器，适用于空调、洗碗机和工业缝纫机等低功率逆变器驱动。它内置了六个低损耗IGBT和三个高压高速半桥栅极驱动器。集成的欠压、短路和过温保护功能使电路能在较宽范围内安全工作

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1+
￥45.96
10+
￥43.24
30+
￥42.15

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型号：IR2233JTRPBF 编号：C537616

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥46.03
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￥39.58
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￥35.66

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型号：TMDS1204RNQR 编号：C19272424

封装：WQFN-40(4x6)

品牌：TI(德州仪器)

TMDS1204是一款支持HDMI 2.1数据速率高达12Gbps的HDMI 2.1重驱动器。它向后兼容HDMI 1.4b和HDMI 2.0b。高带宽差分输入和输出可以是AC耦合或DC耦合。

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￥53.66
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￥52.29
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￥51.37

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型号：MADR-009150 编号：C6986631

封装：PQFN-16(3x3)

品牌：MACOM

MADR-009150开关驱动器设计用于与MACOM的高功率和高电压PIN二极管开关配合使用。该驱动器具有互补输出，可以为SPDT PIN二极管开关提供高达200 mA的偏置电流。反向偏置电压可以选择在20 V到50 V之间的任何电压。此开关驱动器可以通过标准3.3 V TTL逻辑轻松控制。在驱动100 pF电容负载时，该驱动器具有典型的<200 ns延迟，并且静态电流低。此驱动器采用无铅3 mm 16引脚PQFN封装，并提供卷带和卷盘包装，适用于大批量应用。

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￥114.31
10+
￥109.23
30+
￥100.42

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型号：GS2989-INE3 编号：C1523110

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：SEMTECH

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￥117.59
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￥111.83
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￥101.85
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￥92.2185 ￥93.15

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型号：PI3EQX7502MZDEX 编号：C516613

封装：TQFN-24(4x4)

品牌：DIODES(美台)

低功耗、高性能5.0 Gbps信号重驱动器，专为USB 3.0协议设计。提供可编程均衡、去加重和输入阈值控制，以优化各种物理介质上的性能。

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￥1.9
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￥1.51
30+
￥1.31

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型号：SN75188N 编号：C354463

封装：PDIP-14

品牌：TI(德州仪器)

SN75188 四路线路驱动器

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单价：
￥4.97 / 个

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型号：TCA9509RVHR 编号：C2652407

封装：X2-QFN-8(1.6x1.6)

品牌：TI(德州仪器)

适用于I2C/SMBuS系统的I2C总线/SMBus中继器，支持低电压（低至0.9V）和较高电压（2.7V至5.5V）间的双向电压电平转换。

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1+
￥8.02
10+
￥6.57
30+
￥5.77

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型号：MCP8021-5015H/9PXVAO 编号：C25108932

封装：VQFN-28-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

3相无刷直流（BLDC）功率模块包含三个集成半桥驱动器，能够驱动三个外部NMOS/NMOS晶体管对。三个半桥驱动器能够在12V下提供0.5A的峰值输出电流，用于驱动高端和低端NMOS MOSFET晶体管。驱动器具有直通、过流和短路保护功能。增加了睡眠模式，以实现典型的“钥匙关闭”静态电流为5μA

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￥9.68
10+
￥9.36
30+
￥9.15

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型号：UCC21551BDWKR 编号：C35841108

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有可编程死区时间和宽温度范围。设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流，用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧与两个输出驱动器通过5kV_RMS隔离屏障隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）至少为125V/ns。保护功能包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能，以及集成的去毛刺滤波器，可抑制短于5ns的输入瞬变。所有电源均具有欠压锁定（UVLO）保护。凭借这些先进特性，该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。

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1+
￥11.13
10+
￥10.86
30+
￥10.67

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型号：EG2126 编号：C480659

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+2.0A/-2.0A，采用SOP28L封装。

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1+
￥12.72
10+
￥10.82
25+
￥9.26

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型号：MP1921HQ-A-LF-Z 编号：C6910005

封装：QFN-8(3x3)

品牌：MPS(芯源)

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￥12.7651
50+
￥11.202
100+
￥10.1648

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型号：PCA9509GM,125 编号：C2652408

封装：XQFN-8(1.6x1.6)

品牌：NXP(恩智浦)

是一款电平转换I²C总线/SMBus中继器，可使处理器低压两线串行总线与标准I²C总线或SMBus I/O接口。在电平转换期间保留I²C总线系统的所有操作模式和功能，还可通过为数据（SDA）和时钟（SCL）线提供双向缓冲来扩展I²C总线，使高压侧的I²C总线或SMBus最大电容达到400 pF。端口A的电压范围为1.35 V至VCC(B)-1.0 V，由于内部电流源，无需外部上拉电阻。端口B的电压范围为3.0 V至5.5 V，具有过压耐受性。当设备未通电时，端口A和端口B的SDA和SCL引脚均为高阻抗。

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1+
￥13.64
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￥11.46
30+
￥10.09
100+
￥8.6031 ￥8.69
500+
￥7.9794 ￥8.06
1000+
￥7.7121 ￥7.79

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型号：MP6539BGF-Z 编号：C3655671

封装：TSSOP-28-EP

品牌：MPS(芯源)

MP6539B是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539B能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，最高耐压达100V。MP6539B使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动。内部安全特性包括直通保护、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539B与MP6539类似。它不实现自动自举充电，不包含过流保护，仅通过VDD引脚供电（已移除VIN和LDO）。MP6539B提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mm×6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。

1+
￥19.6239
50+
￥17.221
100+
￥15.6264

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型号：MP1922GV-Z 编号：C6992713

封装：QFN-22(4x5)

品牌：MPS(芯源)

1+
￥21.2186
50+
￥18.1054
100+
￥16.9585

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型号：UCC21521ADWR 编号：C47018396

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21521是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET，具有一流的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过一个5.7 kV RMS增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达1500 V DC的工作电压。每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN引脚拉低时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达25V的VDD电源电压。3V到18V的宽输入电压VCCI范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。凭借所有这些高级特性，UCC21521能够满足各类电源应用中对于高效率、高电源密度和稳健性的需求。

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1+
￥23.35
10+
￥22.77
30+
￥22.39

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型号：NCV7708FDWR2G 编号：C603999

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7708F 是一款全保护型六路半桥驱动器，特别适用于汽车和工业运动控制应用。六个高压侧和低压侧驱动器可自由配置，也可单独控制。因此可实现高压侧、低压侧和 H 桥控制。H 桥控制提供正向、逆向、制动和高阻抗状态。驱动器通过标准 SPI 接口进行控制。

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1+
￥26.71
10+
￥22.71
30+
￥20.33

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型号：MPQ1922GV-AEC1-Z 编号：C5799716

封装：QFN-22(4x5)

品牌：MPS(芯源)

1+
￥28.7557
50+
￥25.7736
100+
￥23.5944

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型号：TMC6100-LA-T 编号：C3655384

封装：QFN-37-EP(7x7)

品牌：TRINAMIC

1+
￥34.32
10+
￥29.23
30+
￥26.2

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型号：EL7232CSZ-T7 编号：C2671328

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

适用于ATE和微处理器应用。低静态功耗使其适合电池供电应用。峰值驱动能力为2A，适合驱动高速电容线。

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1+
￥35.83
10+
￥27.9 ￥31
30+
￥22.448 ￥28.06
100+
￥20.472 ￥25.59

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型号：TLE9180D21QKXUMA1 编号：C1854987

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9180D - 21QK和TLE9180D - 31QK是先进的栅极驱动IC，专门用于控制6个外部N沟道MOSFET，这些MOSFET构成一个逆变器，适用于汽车领域的大电流三相电机驱动应用。先进的高压技术使这些IC能够支持单电池和混合电池系统的应用，电池电压涵盖12 V、24 V和48 V。与桥路、电机和电源相关的引脚能够承受高达90 V的电压

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1+
￥40.01
10+
￥34.06
30+
￥30.43

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型号：PI3EQX16904GLZHEX 编号：C2675236

封装：TQFN-42(9x3.5)

品牌：DIODES(美台)

支持SAS3/IBFDR/PCle4/FC16和XAUI协议，提供可编程线性均衡器。支持4个差分通道，独立通道配置接收均衡、输出摆幅和平坦增益。

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1+
￥62.06
10+
￥60.68
30+
￥59.75

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型号：TM2123-SOP8-TA2402C 编号：C51026294

封装：SOP-8

品牌：TM(天微)

TM2123 是一款具有VCC欠压保护和输入高低侧信号互锁功能的高压半桥驱动芯片，内置VCC欠压保护电路可防止功率管工作在过低的电压下，提高效率。同时内置输入高低侧信号互锁电路可防止功率管上下桥臂发生直通，有效保护高压功率器件。设计该芯片主要用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。适用于电动自行车、马达驱动、电动工具等电机驱动类产品。本产品性能优良，质量可靠。

5+
￥0.4909
50+
￥0.48
200+
￥0.4727
500+
￥0.4654

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型号：PT32M625 编号：C2684659

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：PTC(普诚)

是一个系统级封装（SiP），包含微控制器和电机栅极驱动器。微控制器是一系列低功耗微控制器，采用高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 内核，最高工作频率为 48MHz，具有高达 32K 字节的闪存和高达 4K 字节的 SRAM。电机栅极驱动器是用于功率 MOSFET 和 IGBT 设备的高速三相栅极驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道。内置死区时间保护和直通保护，可防止半桥损坏。

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1+
￥8.81
10+
￥7.37
30+
￥6.58

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型号：1ED3140MU12FXUMA1 编号：C17695126

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

单通道栅极驱动IC，采用DSO-8 150 mil封装，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。提供高达6.5 A的典型输出电流。输入逻辑引脚使用CMOS阈值电平，在3 V至6.5 V的宽输入电压范围内工作，以支持3.3 V微控制器。通过无芯变压器技术实现跨隔离屏障的数据传输。所有型号都具有输入和输出欠压锁定（UVLO）和主动关断功能。