半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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型号：MIC4605-2YM-T5 编号：C633060

封装：SOIC-8

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型号：FAN73893MX 编号：C899112

封装：SOIC-28-300mil

FAN73893 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压闭锁、互锁功能，以及带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。终止所有六个输出的过电流保护可从外部电流传感电阻产生。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠电压关闭。当 VDD 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和吸收 350 mA 和 650 mA；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：MCP14700-E/SN 编号：C1549324

封装：SOIC-8

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型号：ATA6836C-PXQW-1 编号：C5230935

封装：VQFN-24(5x5)

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型号：IRS23364DSTRPBF 编号：C538326

封装：SOIC-28-300mil

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型号：UCC21550CQDWKRQ1 编号：C38056306

封装：SOIC-14

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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型号：AEIC-7272-S16 编号：C1544258

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

在引脚4接5V且引脚12接地的应用中，这些线路驱动器与26LS31引脚兼容。内部钳位二极管可确保在驱动长度超过100米的电缆时实现无故障运行。采用分离电源，以降低高压应用中的待机功耗

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型号：UCC21550BQDWRQ1 编号：C35135429

封装：SOIC-16

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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型号：UCC21551AQDWRQ1 编号：C37662329

封装：SOIC-16

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns

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型号：NCV7710DQBR2G 编号：C5826160

封装：SSOP-36-EP

是一款用于汽车车身控制系统的驱动IC，设计用于控制车辆车门中的锁止电机。借助单片全桥驱动级，该IC能够控制锁止电机，并通过带有帧内响应的24位SPI接口进行控制。

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型号：6ED2231S12TXUMA1 编号：C6081109

封装：SOIC-24-300mil

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型号：TLE92104131QXXUMA1 编号：C5986675

封装：VQFN-48

TLE92104 - 131是一款多MOSFET驱动IC，专门用于控制多达八个n沟道MOSFET。它包含四个半桥，适用于直流电机控制应用，如汽车电动座椅控制或其他应用。该器件采用24位串行外设接口（SPI）来配置TLE92104 - 131并控制半桥

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型号：CLC007BMX/NOPB 编号：C2671578

封装：SOIC-8

单片高速电缆驱动器，设计用于SMPTE259M串行数字视频数据传输标准。CLC007驱动75Ω传输线（如Belden8281或等效产品），数据速率高达400Mbps。

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型号：MC33GD3100EK 编号：C729091

封装：SOIC-32-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：PT32M625 编号：C2684659

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：PTC(普诚)

是一个系统级封装（SiP），包含微控制器和电机栅极驱动器。微控制器是一系列低功耗微控制器，采用高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 内核，最高工作频率为 48MHz，具有高达 32K 字节的闪存和高达 4K 字节的 SRAM。电机栅极驱动器是用于功率 MOSFET 和 IGBT 设备的高速三相栅极驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道。内置死区时间保护和直通保护，可防止半桥损坏。

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型号：NCP81085MTTXG 编号：C3655494

封装：WDFN-9(4x5)

NCP81085是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极进行了优化。NCP81085采用片上自举二极管，无需使用外部分立二极管。高悬浮高端驱动器设计可承受高达180 V的半桥（HB）电压

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型号：LF2101NTR 编号：C3655095

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

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型号：LF21814NTR 编号：C3655094

封装：SOIC-14

品牌：Littelfuse/IXYS

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型号：AUIRS21811STR 编号：C533511

封装：SOIC-8

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型号：TLE94110ES 编号：C2984889

封装：TSDSO-24

TLE94110ES是一款带保护功能的十通道半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风与空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个产品系列的一部分，该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载

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型号：NCP81178MNTXG 编号：C5206765

封装：DFN-10(3x3)

NCP81178 是一款辅助侧同步整流驱动器，适用于隔离式电源转换器，尤其是有源箝位正向或反激和不对称半桥转换器。NCP81178 以互补形式驱动辅助侧的两个 N 沟道 MOSFET。它接受可从二次绕组或主电源变压器的辅助绕组产生的一个 PWM 信号。它还可从经由脉冲变压器的初级侧控制器或其他隔离器获取一个 PWM。

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型号：LE87271EQCT 编号：C3679570

封装：QFN-20-EP(4x4)

是单通道差分放大器，设计用于用户终端设备（CPE）系统。它提供多个偏置电平，以优化功率和性能。此外，线路驱动器具有掉电状态，可强制降低功耗。控制引脚响应可通过标准GPIO生成的输入电平。

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型号：EQCO30T5.2 编号：C637665

封装：QFN-16-EP(4x4)