半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

NCL30059 是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要用于采用半桥拓扑结构的LED驱动应用。该驱动器支持LLC和LCC配置，并且后者为恒流（CC）应用提供了优化的宽范围控制。由于其专有的600V技术，该驱动器适用于277VAC照明应用中的大容量电压。通过单个电阻可以将驱动器的工作频率从25kHz调整到250kHz。可调的欠压保护确保了正确的大容量电压工作范围。内部100毫秒的PFC延迟定时器确保在大容量电压完全稳定后才启用转换器。该器件提供了固定的死区时间，有助于降低直通电流。

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型号：FAN7388MX 编号：C124451

封装：SOIC-20-300mil

FAN7388 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输出驱动器通常会分别源/汲 250mA/500mA，适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：TPS51601ADRBR 编号：C2676913

封装：WSON-8-EP(3x3)

TPS51601A 具有死区控制的 30V 半桥栅极驱动器

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型号：UCC21551DDWKR 编号：C35019722

封装：SOIC-14

是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。它设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流，用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过5kV RMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为125V/ns。保护功能包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能，以及集成的去毛刺滤波器，可抑制短于5ns的输入瞬变。所有电源都有欠压锁定（UVLO）保护。凭借所有这些先进特性，该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。

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型号：MAX3188EEUT+T 编号：C2671283

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX3188E/MAX3189E单RS-232发射器，小6针SOT23封装，适用于空间和成本受限的应用。这些设备从±4.5V到±6V电源仅消耗150uA的电源电流。

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型号：MIC4605-2YM-T5 编号：C633060

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：FAN73893MX 编号：C899112

封装：SOIC-28-300mil

FAN73893 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压闭锁、互锁功能，以及带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。终止所有六个输出的过电流保护可从外部电流传感电阻产生。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠电压关闭。当 VDD 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和吸收 350 mA 和 650 mA；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：MCP14700-E/SN 编号：C1549324

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：LE87271EQCT 编号：C3679570

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是单通道差分放大器，设计用于用户终端设备（CPE）系统。它提供多个偏置电平，以优化功率和性能。此外，线路驱动器具有掉电状态，可强制降低功耗。控制引脚响应可通过标准GPIO生成的输入电平。

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型号：SN75LVCP601RTJR 编号：C544765

封装：QFN-20-EP(4x4)

SN75LVCP601 2 通道 SATA 6Gbps 转接驱动器

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型号：MCT8315Z0HRRYR 编号：C25170804

封装：WQFN-32-EP(4x6)

集成含传感器梯形控制的三相 BLDC 电机驱动器，基于霍尔传感器的梯形 (120°) 换向，支持模拟或数字霍尔输入。可配置 PWM 调制：同步/异步，逐周期电流限制，可限制相位电流，支持高达 200kHz 的 PWM 频率，主动消磁支持减少功率损耗。4.5V 至 35V 工作电压（绝对最大值 40V），高输出电流能力：4A 峰值。低 MOSFET 导通状态电阻，TA = 25°C 时，275mΩ（典型值）RDS(ON) (HS + LS)。低功耗睡眠模式。为要驱动 12V/24V 无刷直流电机提供单芯片、无代码、有传感器的梯形解决方案，无需外部微控制器即可使 BLDC 电机旋转。集成三个半桥，具有 40V 绝对最大电压和 275mΩ 的低 RDS(ON)（高侧 + 低侧），用于实现高功率驱动能力。集成电流限制功能可限制启动或高负载条件下的电机电流，同时无需外部检测电阻。提供输出电压可调节降压稳压器和可用于为外部电路供电的 LDO。集成三个用于位置检测的模拟霍尔比较器，用于实现有传感器的梯形 BLDC 电机控制。该控制方案具有高度可配置性，可通过硬件引脚或寄存器设置来配置电机电流限制行为和超前角等。速度可以通过 PWM 输入进行控制。MCT8315ZR：用于器件配置和故障状态的 5MHz 16 位 SPI 接口。MCT8315ZH：带降压功能的基于硬件引脚的配置。MCT8315ZT：不带降压功能的基于硬件引脚的配置。集成多种保护特性，包括电源欠压锁定(UVLO)、过压保护 (OVP)、电荷泵欠压 (CPUV)、过流保护 (OCP)、过热警告 (OTW) 和过热关断 (TSD)，目的是在出现故障事件时保护器件、电机和系统。故障状态通过 nFAULT 引脚指示。延迟补偿减少占空比失真，整套集成保护特性。

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型号：IRS2452AM 编号：C538335

封装：MLPQ-32

IRS2452AM集成了两个通道的高压、高性能D类音频放大器驱动器，带有PWM调制器和保护功能。与外部MOSFET配合使用时，IRS2452AM可构成一个完整的两通道D类音频放大器。IRS2452AM采用浮动模拟输入和保护控制接口引脚设计，便于半桥应用。通过可编程过流保护功能，可保护高端和低端MOSFET免受过流情况影响。PWM调制器部分的关键元件使系统设计更加灵活。小型的MLPQ 7x7mm封装进一步凸显了D类拓扑结构尺寸小巧的优势。IRS2452AM为无铅产品，符合ROHS标准。

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型号：MP6540AGU-Z 编号：C7231733

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

是三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。可提供高达10A的峰值电流持续1秒和3A的连续电流（取决于散热和PCB条件），使用内部电荷泵为高端MOSFET产生栅极驱动电源电压，并使用涓流充电电路保持足够的栅极驱动电压以实现100%占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。采用QFN-26（5.0mmx5.0mm）封装。

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型号：MAX44211ETP+ 编号：C1544292

封装：TQFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

适用于需要高输出电流来驱动隔离和耦合变压器的电力线通信(PLC)应用，具有低失真特性。支持多种世界标准，提供高达1.5A的峰值电流和36Vp-p的差分电压摆幅。

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型号：LMG2610RRGR 编号：C21031557

封装：-

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型号：MC33GD3100EK 编号：C729091

封装：SOIC-32-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：PCA9509PGM,125 编号：C2675244

封装：XQFN-8(1.6x1.6)

品牌：NXP(恩智浦)

PCA9509P 是一款具备双电源的电平转换 I²C 总线/SMBus 中继器，可使处理器的低电压两线制串行总线与标准 I²C 总线或 SMBus I/O 实现接口连接。在电平转换过程中，它保留了 I²C 总线系统的所有操作模式和特性，同时通过为数据（SDA）线和时钟（SCL）线提供双向缓冲，实现 I²C 总线的扩展，从而使较高电压侧的 I²C 总线或 SMBus 最大电容可达 400 pF。端口 A 的电压范围为 0.8V 至 2.0V，且具备过压耐受性

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￥4.4946 ￥4.54

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型号：NSG2113 编号：C7421057

封装：SOIC-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

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型号：NSG2113P 编号：C49023243

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2113P是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用DIP8封装，可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。

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型号：2EDF8275FXUMA1 编号：C6078221

封装：SOIC-16

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型号：2EDL8124G3CXTMA1 编号：C5502862

封装：VDSON-10

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型号：UCC21542DWR 编号：C5216325

封装：SOIC-14-300mil

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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型号：FAN73933MX 编号：C606094

封装：SOP-14

FAN73933 是一款具有关断和可编程死区控制功能的半桥栅极驱动 IC，可驱动工作电压高达 +600 V 的高速 MOSFET 和隔离栅极桥晶体管 (IGBT)。它具有缓冲输出级，且所有 NMOS 晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。

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型号：STGAP2SICSACTR 编号：C27642740

封装：SO-8W

品牌：ST(意法半导体)

是一款单栅极驱动器，可在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电流隔离。该栅极驱动器具有 4 A 驱动能力和轨到轨输出，适用于工业应用中的功率转换和电机驱动逆变器等中高功率应用。该器件具有单个输出引脚和米勒钳位功能，可防止半桥拓扑快速换相期间的栅极尖峰。这种配置为外部组件提供了高度的灵活性并减少了物料清单

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￥14.25
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型号：2ED3146MC12LXUMA1 编号：C22505013

封装：TO-247-4

是一款双通道隔离栅极驱动器IC，用于驱动Si MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。产品采用14引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，提供加强隔离。所有型号均具备死区时间控制（DTC）功能和独立通道操作，可作为双通道低端驱动器、双通道高端驱动器或半桥栅极驱动器，并可配置死区时间。具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低的器件间传播延迟失配和快速的信号传播，适用于快速开关应用。

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￥16.47
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￥16.22

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型号：LM5100BSD/NOPB 编号：C2677206

封装：WSON-10-EP(4x4)