半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-16

是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用宽体SOP16（W）封装，可以在 -40℃至125℃温度范围内工作。

1+
￥5.72
10+
￥4.6
30+
￥4.04
100+
￥3.49
500+
￥3.16

有货

立即购买

型号：2EDF9275FXUMA1 编号：C1870161

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相

数据手册

1+
￥11.91
10+
￥10.11
30+
￥8.98

有货

立即购买

型号：MP1921HQ-A-LF-Z 编号：C6910005

封装：QFN-8(3x3)

品牌：MPS(芯源)

1+
￥12.7651
50+
￥11.202
100+
￥10.1648

有货

立即购买

型号：DRV8847RTER 编号：C2872056

封装：WQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8847 具有电流调节和独立半桥控制的 18V、2A 双通道 H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥14.07
10+
￥12.03
30+
￥10.75
100+
￥9.44

有货

立即购买

型号：MP6539BGF-Z 编号：C3655671

封装：TSSOP-28-EP

品牌：MPS(芯源)

MP6539B是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539B能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，最高耐压达100V。MP6539B使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动。内部安全特性包括直通保护、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539B与MP6539类似。它不实现自动自举充电，不包含过流保护，仅通过VDD引脚供电（已移除VIN和LDO）。MP6539B提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mm×6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。

1+
￥19.6239
50+
￥17.221
100+
￥15.6264

有货

立即购买

型号：MP1922GV-Z 编号：C6992713

封装：QFN-22(4x5)

品牌：MPS(芯源)

1+
￥21.2186
50+
￥18.1054
100+
￥16.9585

有货

立即购买

型号：DRV8706HQRHBRQ1 编号：C3681320

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥28.95
10+
￥25.9
30+
￥23.95

有货

立即购买

型号：EG2107 编号：C2929088

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带过流保护功能半桥驱动芯片

数据手册

5+
￥2.1502
50+
￥1.6948
150+
￥1.4997
500+
￥1.1583

有货

立即购买

型号：EG3113D 编号：C2929097

封装：SOP-8-4.2mm

品牌：EG(屹晶微)

是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽8V～20V，静态电流约300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 2/2.5A，采用SOP8封装。

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.27
30+
￥2.01
100+
￥1.59

有货

立即购买

型号：PI3EQX1002BZLEX 编号：C211421

封装：TQFN-30(2.5x4.5)

品牌：DIODES(美台)

低功耗、高性能10.0 Gbps串行链路，带有线性均衡器。支持USB 3.1和USB 3.0协议，提供可编程均衡、线性摆幅和平坦增益。

数据手册

1+
￥6.1544 ￥10.99
10+
￥4.6506 ￥10.11
30+
￥3.4416 ￥9.56
100+
￥3.24 ￥9
500+
￥3.15 ￥8.75
1000+
￥3.1104 ￥8.64

有货

立即购买

型号：UCC21550CDWKR 编号：C39721114

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

数据手册

1+
￥6.16
10+
￥6
30+
￥5.9

有货

立即购买

型号：IRS2153DSTRPBF 编号：C2987

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，自激振荡的半桥式驱动IC

数据手册

1+
￥6.33
10+
￥5.2
30+
￥4.59
100+
￥3.89

有货

立即购买

型号：NCL30059BDR2G 编号：C603424

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCL30059 是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要用于采用半桥拓扑结构的LED驱动应用。该驱动器支持LLC和LCC配置，并且后者为恒流（CC）应用提供了优化的宽范围控制。由于其专有的600V技术，该驱动器适用于277VAC照明应用中的大容量电压。通过单个电阻可以将驱动器的工作频率从25kHz调整到250kHz。可调的欠压保护确保了正确的大容量电压工作范围。内部100毫秒的PFC延迟定时器确保在大容量电压完全稳定后才启用转换器。该器件提供了固定的死区时间，有助于降低直通电流。

数据手册

1+
￥8.69
10+
￥7.15
30+
￥6.3
100+
￥5.34
500+
￥4.91
1000+
￥4.72

有货

立即购买

型号：SIC639CD-T1-GE3 编号：C2653466

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC639 是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC639 采用威世（Vishay）专有的 5 mm×5 mm MLP 封装，使电压调节器设计能够每相提供高达 50 A 的连续电流。内部功率 MOSFET 采用了最先进的第四代 TrenchFET 技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

数据手册

1+
￥11.17
10+
￥10.91
30+
￥10.74

有货

立即购买

型号：MP6539BGV-Z 编号：C7231731

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6539B是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539B能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，最高耐压达100V。MP6539B使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动。内部安全特性包括直通保护、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539B与MP6539类似。它不实现自动自举充电，不包含过流保护，仅通过VDD引脚供电（已移除VIN和LDO）。MP6539B提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mm×6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。

1+
￥18.6713
50+
￥16.385
100+
￥14.8679

有货

立即购买

型号：MP6532GF-Z 编号：C3681302

封装：TSSOP-28-EP

品牌：MPS(芯源)

是一款用于三相无刷直流电机驱动应用的栅极驱动IC。能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，最高耐压60V。集成了一个稳压电荷泵来产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端MOSFET驱动器产生电源电压。即使输出以100%占空比运行，内部涓流充电电路也能保持足够的高端栅极驱动电压。内部保护功能包括可编程短路保护、过流保护、可调死区时间控制、欠压锁定和热关断。该器件通过三个霍尔传感器输入集成了120°换向。PWM、DIR和nBRAKE输入用于控制电机速度、方向和制动。有28引脚、9.7mm×6.4mm TSSOP和4mm x 4mm QFN封装，带有外露散热垫。

1+
￥20.767
50+
￥18.2241
100+
￥16.5489

有货

立即购买

型号：NCV7708FDWR2G 编号：C603999

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7708F 是一款全保护型六路半桥驱动器，特别适用于汽车和工业运动控制应用。六个高压侧和低压侧驱动器可自由配置，也可单独控制。因此可实现高压侧、低压侧和 H 桥控制。H 桥控制提供正向、逆向、制动和高阻抗状态。驱动器通过标准 SPI 接口进行控制。

数据手册

1+
￥28.17
10+
￥24.04
30+
￥21.59
100+
￥19.11

有货

立即购买

型号：MCT8315Z0HRRYR 编号：C25170804

封装：WQFN-32-EP(4x6)

品牌：TI(德州仪器)

集成含传感器梯形控制的三相 BLDC 电机驱动器，基于霍尔传感器的梯形 (120°) 换向，支持模拟或数字霍尔输入。可配置 PWM 调制：同步/异步，逐周期电流限制，可限制相位电流，支持高达 200kHz 的 PWM 频率，主动消磁支持减少功率损耗。4.5V 至 35V 工作电压（绝对最大值 40V），高输出电流能力：4A 峰值。低 MOSFET 导通状态电阻，TA = 25°C 时，275mΩ（典型值）RDS(ON) (HS + LS)。低功耗睡眠模式。为要驱动 12V/24V 无刷直流电机提供单芯片、无代码、有传感器的梯形解决方案，无需外部微控制器即可使 BLDC 电机旋转。集成三个半桥，具有 40V 绝对最大电压和 275mΩ 的低 RDS(ON)（高侧 + 低侧），用于实现高功率驱动能力。集成电流限制功能可限制启动或高负载条件下的电机电流，同时无需外部检测电阻。提供输出电压可调节降压稳压器和可用于为外部电路供电的 LDO。集成三个用于位置检测的模拟霍尔比较器，用于实现有传感器的梯形 BLDC 电机控制。该控制方案具有高度可配置性，可通过硬件引脚或寄存器设置来配置电机电流限制行为和超前角等。速度可以通过 PWM 输入进行控制。MCT8315ZR：用于器件配置和故障状态的 5MHz 16 位 SPI 接口。MCT8315ZH：带降压功能的基于硬件引脚的配置。MCT8315ZT：不带降压功能的基于硬件引脚的配置。集成多种保护特性，包括电源欠压锁定(UVLO)、过压保护 (OVP)、电荷泵欠压 (CPUV)、过流保护 (OCP)、过热警告 (OTW) 和过热关断 (TSD)，目的是在出现故障事件时保护器件、电机和系统。故障状态通过 nFAULT 引脚指示。延迟补偿减少占空比失真，整套集成保护特性。

数据手册

1+
￥29.46
10+
￥26.23
30+
￥24.58
100+
￥22.38

有货

立即购买

型号：MPQ6532GVE-AEC1-Z 编号：C6595735

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6532是一款专为三相无刷直流（BLDC）电机驱动应用设计的栅极驱动IC。它能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，最高耐压达60V。MPQ6532集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举（BST）电容为高端MOSFET（HS - FET）驱动器生成电源电压。即使输出处于100%占空比时，内部涓流充电电路也能维持足够的HS - FET驱动器电压。内部安全特性包括可配置的短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、可调死区时间（DT）控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MPQ6532通过三个霍尔传感器输入实现120°换相。脉冲宽度调制（PWM）、DIR和nBRAKE输入分别控制电机的速度、方向和制动。MPQ6532采用带有外露散热焊盘的QFN - 28（4mmx5mm）封装，并且符合AEC - Q100标准。

1+
￥29.9026
50+
￥26.5847
100+
￥24.4956

有货

立即购买

型号：LMH0002MAX/NOPB 编号：C2679392

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

SMPTE 292M/259M 串行数字电缆驱动器，支持数据速率高达1.485 Gbps。

数据手册

1+
￥30.38
10+
￥29.11
30+
￥28.34

有货

立即购买

型号：IRSM005-301MHTR 编号：C2680291

封装：PQFN-27(7x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

IRSM005 - 301MH是一款通用半桥器件，集成了栅极驱动器，采用极具吸引力的7x8mm PQFN封装。它是一个通用构建模块，适用于各种对功率密度至关重要的低压应用。典型示例包括先进的电机驱动器、直流 - 交流和直流 - 直流转换器

数据手册

1+
￥34.59
10+
￥29.76
30+
￥26.89
100+
￥14.394 ￥23.99
500+
￥13.596 ￥22.66
1000+
￥13.23 ￥22.05

有货

立即购买

型号：LMH0002TMA/NOPB 编号：C1523127

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

SMPTE 292M/259M 串行数字电缆驱动器，支持数据速率高达1.485 Gbps。

数据手册

1+
￥82.84
10+
￥80.12

有货

立即购买

型号：LMG2610RRGR 编号：C21031557

封装：-

品牌：TI(德州仪器)

1+
￥89.28
10+
￥80.93
30+
￥77.9

有货

立即购买

型号：XD754410 编号：C556262

封装：DIP-16

品牌：XINLUDA(信路达)

半桥驱动器电源电压：4.5V~36V 输出类型：三态低电平输出电流(IOL)：1A 高电平输出电流(IOH)：1A

数据手册

1+
￥5.23
10+
￥4.24
25+
￥3.61
100+
￥3.12

有货

立即购买

型号：CSD95377Q4M 编号：C553139

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95377Q4M 20V 35A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

数据手册

1+
￥6.85
10+
￥5.66
30+
￥5.01
100+
￥3.97

有货

立即购买

型号：FAN73896MX 编号：C606092

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73896 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压锁定和带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。从外部电流传感电阻可产生终止所有六个输出的过电流保护。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠压关断。当 V 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350mA/650mA；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

数据手册

1+
￥8.0348 ￥15.16
10+
￥6.2092 ￥14.44
30+
￥4.6233 ￥14.01
100+
￥4.4814 ￥13.58
500+
￥4.4154 ￥13.38
1000+
￥4.3857 ￥13.29

有货

立即购买

型号：PI3HDX511FZLCEX 编号：C3824198

封装：TQFN-40-EP(3x6)

品牌：DIODES(美台)

是超低功耗 HDMI 1.4b 重驱动器和双模式 DisplayPort 电平转换器，数据速率高达 3.4Gbps，支持 48 位深色彩。在移动平台中，具有丰富的节能特性，待机电流为 2uA，还有 LDO 禁用引脚、主动/被动 DDC 开关、输出静噪和 HPD（热插拔检测）检测等功能，可延长电池续航时间。可支持源端和宿端系统应用。对于宿端（插座）应用，支持 6 级输入均衡调整和数据/时钟引脚顺序交换。