半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

LM5035C 具有集成半桥和 5V SyncFET 驱动输出的 PWM 控制器，具有增强的最大占空比

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型号：NSG21531DP 编号：C46473163

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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型号：L99MD02XPTR 编号：C2156090

封装：PowerSSO-36

标准功能，电机驱动器

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型号：ADUM4224WCRWZ 编号：C660989

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

5kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出，适合汽车应用

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型号：DRV8904QPWPRQ1 编号：C3655613

封装：HTSSOP-24

DRV8904-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、4 通道半桥电机驱动器

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型号：2ED1321S12MXUMA1 编号：C20189640

封装：-

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型号：2EDF7175FXUMA2 编号：C1869517

封装：DSO-16

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

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型号：DRV8143PQDGQRQ1 编号：C20345360

封装：HTSSOP-28

DRV8143-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、20A 半桥驱动器

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型号：IR2114SSPBF 编号：C537557

封装：SSOP-24-208mil

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

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型号：L9997ND013TR 编号：C2969950

封装：SO-20

L9997ND是一款采用BCD技术的单片集成驱动器，旨在驱动包括直流电机在内的各种负载。该电路针对汽车电子环境条件进行了优化。

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型号：L99MD01XPTR 编号：C2970328

封装：PowerSSO-36

标准功能，电机驱动器

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型号：ADUM4221-1CRIZ 编号：C3655669

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式半桥栅极驱动器，具备可调的死区时间、单个输入、4A输出

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型号：3553DEPA 编号：C336591

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3553DEPA 3553 是一种高压、高速的整流器控制芯片，内部集成了一个前置振荡器、高压半桥驱动电路和功率MOSFET，形成一款多功能，更加安全的整流器控制芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电压超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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￥2.5017 ￥2.69
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型号：2EDR8258XXUMA1 编号：C17613836

封装：DSO-14

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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型号：FAN73932MX 编号：C457776

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73932 是一款半桥门极驱动器集成电路，带有关断和死区时间功能，可驱动最高在 +600V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于各种半桥和全桥逆变器；如电机驱动逆变器、开关模式电源、直感加热和大功率 DC-DC 转换器应用。

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型号：TLE94004EPXUMA1 编号：C2653448

封装：TSDSO-14

是一款受保护的四半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是更大系列产品的一部分，该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器，具有直接接口或SPI接口。半桥驱动器设计用于以顺序或并行操作方式驱动直流电机负载。正向（cw）、反向（cow）、制动和高阻抗等操作模式可通过直接接口控制。它提供诊断功能，如短路、电源故障和过温检测。结合其低静态电流，该器件在汽车应用中具有吸引力。小间距外露焊盘封装PG-TSDSO-14提供了良好的热性能，并减少了印刷电路板空间和成本。

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￥13.29
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型号：TLE94108ESXUMA1 编号：C3655640

封装：TSDSO-24

TLE94108ES是一款带保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载。正转（顺时针）、反转（逆时针）、制动和高阻抗等操作模式可通过16位SPI接口进行控制。它具备诊断功能，如短路、开路负载、电源故障和过温检测。结合其低静态电流特性，该器件在汽车应用领域颇具吸引力。小型细间距外露焊盘封装PG - TSDSO - 24具有良好的热性能，可减少PCB板空间和成本。

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￥13.51
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型号：HIP2211FBZ-T 编号：C22637560

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入和可编程死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟非常快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

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￥16.15
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型号：MP87190GMJTH-Z 编号：C22236903

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP87190是一款集成了内部功率MOSFET和栅极驱动器的单片半桥。在较宽的输入电压（VIN）供电范围内，它可实现高达90A的连续输出电流（IOUT）。Quiet Switcher™技术（QST）采用了一种专有电路设计，这种设计只有在单片架构中才能实现，可抑制电压振铃

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￥37.900539
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￥36.26803
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￥32.92029
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￥28.868562
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￥21.524805

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型号：MP86962GMJT-Z 编号：C20751589

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86962是一款单片半桥驱动器，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源电压（VIN）范围内，MP86962的连续输出电流（IOUT）最高可达80A。MP86962采用单片集成电路，每相可驱动高达80A的电流

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￥48.367503
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￥46.42605
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￥39.588759
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￥33.7644
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￥28.446507

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型号：3253EPA 编号：C336589

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3253EPA/T 3253 是一款高压、高速功率MOSFET 和IGBT 栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，行程一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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￥4.6
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￥3.7
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￥3.24

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型号：LMG2640RRGR 编号：C44231311

封装：VQFN-40(7x9)

适用于开关模式电源应用中。通过在9mmx7mmQFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到PCB电源地进行冷却。高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括FET导通互锁、欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

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￥101.58
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￥98.21

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型号：LM5109ASDX/NOPB 编号：C2677118

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥1.856
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￥1.824
300+
￥1.76

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型号：FAN73833MX 编号：C457721

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73833 是半桥栅极驱动 IC，用于驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +600 V。Fairchild 的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高端驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路允许高侧驱动器的工作偏置电压达 V

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3000+
￥5.058825
6000+
￥5.01325
9000+
￥4.9221

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型号：INS2001FQ 编号：C22439612

封装：FCQFN-12(3x3)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

是一款100V半桥驱动器，旨在高效驱动高端和低端氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。专为GaN FET设计，解决了传统MOSFET驱动解决方案面临的诸多挑战。内部智能自举（BST）开关可防止在死区时间内高端浮动电源BST电容过度充电，从而保护GaN FET的栅极，同时为GaN FET的两侧保持一致的栅极电压。提供丰富的故障保护，包括独立的VCC和BST欠压锁定、VCC过压锁定和过温保护。有两个逻辑输入，可独立控制高端和低端驱动器，实现最大灵活性，驱动器具有分离输出，可分别调节导通和关断速度。强大的驱动能力和出色的延迟匹配使其适用于高功率和高频应用。

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￥6.41
10+
￥5.33
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￥4.73
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￥4.06
500+
￥3.76
1000+
￥3.63

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型号：2EDR8259HXUMA1 编号：C17531538

封装：SOIC-16

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

1+
￥15.26
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￥13.03
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￥11.63
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￥10.19
500+
￥9.54
1500+
￥9.26

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型号：FAN73892MX 编号：C604979

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73892是一款单片式三相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动最高工作电压达 +600 V的MOSFET和IGBT而设计。仙童（Fairchild）的高压工艺和共模噪声消除技术可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。

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1000+
￥10.27719
2000+
￥10.183761
3000+
￥10.090332

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型号：UCC27301AQDDARQ1 编号：C41488145

封装：SO-8

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器彼此之间的开通和关断时间均为 4ns，并通过 LI 和 HI 输入引脚独立控制

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单价：
￥9.18 / 个

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型号：STDRIVEG610QTR 编号：C43079849

封装：QFN-18(4x5)

是用于N沟道增强型氮化镓（GaN）的高压半桥栅极驱动器。高端驱动器部分设计用于承受高达600V的电压轨，并可通过集成的自举二极管轻松供电。高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配和集成LDO，使该驱动器针对高速氮化镓驱动进行了优化。具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源欠压锁定（UVLO）功能，同时完全支持硬开关并具有互锁功能，以避免交叉导通

1+
￥19.25
10+
￥18.83
30+
￥18.55
100+
￥18.27

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型号：UCC27712D 编号：C2871999

封装：SOIC-8