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首页 > 热门关键词 > 电机全桥驱动
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A3950专为直流电机的脉宽调制(PWM)控制而设计,其峰值输出电流可达±2.8 A,工作电压可达36 V。该器件设有相位(PHASE)和使能(ENABLE)输入端子,用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路,可降低PWM工作期间的功耗
数据手册
  • 1+

    ¥11.27
  • 10+

    ¥9.46
  • 30+

    ¥8.33
  • 100+

    ¥7.17
  • 500+

    ¥6.65
  • 1000+

    ¥6.42
  • 有货
  • TLE94108ES是一款具备保护功能的八路半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风和空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载
    • 1+

      ¥10.06
    • 10+

      ¥9.16
    • 30+

      ¥8.59
    • 100+

      ¥8.01
    • 500+

      ¥7.75
    • 1000+

      ¥7.64
  • 有货
  • NCV7240 是一款汽车八沟道低压侧驱动器,提供高达每沟道 600 mA 的驱动能力。输出控制通过 SPI 端口进行,针对开路负载(或接地短路)、过载和高温条件提供方便的故障报告。 另外,输出的并行控制可通过 INx 引脚寻址(成对)。 专用的跋行回家模式引脚 (LHI) 启用 OUT1 至 OUT4,而禁用 OUT5 至 OUT8。 每个输出驱动器均具有过载电流保护,且包括一个用于电感负载的输出箝位。NCV7240 采用 SSOP24 带保险丝引线封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.59
    • 10+

      ¥9.71
    • 30+

      ¥9.16
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      ¥7.79
    • 500+

      ¥7.54
    • 1000+

      ¥7.42
  • 有货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
    • 1+

      ¥10.61
    • 10+

      ¥8.95
    • 30+

      ¥7.92
    • 100+

      ¥6.86
  • 有货
  • L293DDM升级替代料,建议试样 该器件是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器,设计用于接收标准 DTL 或 TTL 逻辑电平,并驱动感性负载(如继电器、螺线管、直流和步进电机)以及开关功率晶体管。为便于作为两个桥路使用,每对通道均配备一个使能输入。逻辑部分设有单独的电源输入,允许在较低电压下工作,并且内部包含钳位二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥10.92
    • 10+

      ¥9.26
    • 30+

      ¥8.22
    • 100+

      ¥6.85
    • 500+

      ¥6.37
    • 1000+

      ¥6.16
  • 有货
  • TC4420/TC4429 是 6A(峰值)单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器(引脚与 TC429 兼容),而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比,这些驱动器采用 CMOS 工艺制造,功耗更低,运行效率更高
    数据手册
    • 1+

      ¥11.7
    • 10+

      ¥10.16
    • 30+

      ¥9.3
    • 100+

      ¥7.93
    • 500+

      ¥7.51
  • 有货
  • 具有二极管的推挽四通道驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥14.77
    • 10+

      ¥12.55
    • 30+

      ¥11.16
    • 100+

      ¥8.77
    • 500+

      ¥8.13
  • 有货
    • 1+

      ¥20.36
    • 10+

      ¥19.36
    • 30+

      ¥16.91
    • 100+

      ¥16.31
    • 500+

      ¥16.03
    • 1000+

      ¥15.9
  • 有货
  • MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥,耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平,内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护(OCP)、可调死区时间控制、欠压锁定(UVLO)和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28(9.7mmx6.4mm)和QFN - 28(4mmx5mm)封装。
    • 1+

      ¥22.2836
    • 50+

      ¥19.662
    • 100+

      ¥18.2693
  • 有货
  • DRV8662 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的压电式触觉驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥25.72
    • 10+

      ¥22.16
    • 30+

      ¥20.04
    • 250+

      ¥15.8
  • 有货
  • TB67S109AFNAG步进电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥30.19
    • 10+

      ¥26.17
    • 30+

      ¥20.69
    • 100+

      ¥18.27
  • 有货
  • DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥33.29
    • 10+

      ¥29.79
    • 30+

      ¥27.55
    • 100+

      ¥25.39
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥33.78
    • 10+

      ¥28.95
    • 30+

      ¥26.08
    • 100+

      ¥23.18
  • 有货
  • 双极步进电机的L6208 DMOS驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥77
    • 10+

      ¥65.82
    • 30+

      ¥59.01
    • 100+

      ¥53.3
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V
    • 20+

      ¥0.2128
    • 200+

      ¥0.1669
    • 600+

      ¥0.1414
    • 3000+

      ¥0.1261
  • 有货
  • XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.679
    • 50+

      ¥0.5518
    • 150+

      ¥0.4882
    • 500+

      ¥0.4405
    • 2500+

      ¥0.3865
    • 4000+

      ¥0.3674
  • 有货
  • AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.7181
    • 50+

      ¥0.5597
    • 150+

      ¥0.4805
    • 500+

      ¥0.4211
  • 有货
  • ESE6050KA 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.7458
    • 50+

      ¥0.6513
    • 150+

      ¥0.6108
    • 500+

      ¥0.5603
  • 有货
  • 是一款三相直流无刷驱动芯片。可直接驱动三路 NMOS + PMOS 半桥,电路内部集成了稳定的 5V 输出电源。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.793
    • 50+

      ¥0.6213
    • 150+

      ¥0.5354
    • 500+

      ¥0.471
    • 2500+

      ¥0.4266
    • 4000+

      ¥0.4008
  • 有货
  • ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.8019
    • 50+

      ¥0.6339
    • 150+

      ¥0.5499
    • 500+

      ¥0.4869
  • 有货
  • XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8465
    • 50+

      ¥0.6545
    • 150+

      ¥0.5585
    • 500+

      ¥0.4865
  • 有货
  • 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA N沟道,60V,5A,30mΩ@10V
    • 5+

      ¥0.9698
    • 50+

      ¥0.7682
    • 150+

      ¥0.6818
    • 500+

      ¥0.574
    • 3000+

      ¥0.526
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA N沟道,100V,9A,100mΩ@10V
    • 5+

      ¥1.0482
    • 50+

      ¥1.0252
    • 150+

      ¥1.0098
    • 500+

      ¥0.9944
  • 有货
  • UMW UCC27524ADR 器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件,能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。此外,在其额定功率和电压范围内的所有条件下,它都具有高度的抗闩锁能力
    • 5+

      ¥1.3269
    • 50+

      ¥1.0595
    • 150+

      ¥0.9449
    • 500+

      ¥0.8019
    • 2500+

      ¥0.7383
    • 5000+

      ¥0.7
  • 有货
  • 适用于电子锁、无线充电、玩具、消费类产品以及其它 低压或者电池供电的运动控制产品。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3872
    • 50+

      ¥1.11
    • 150+

      ¥0.9912
    • 500+

      ¥0.843
    • 2500+

      ¥0.7648
    • 4000+

      ¥0.7252
  • 有货
  • 栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相, 高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动
    • 5+

      ¥1.418
    • 50+

      ¥1.0904
    • 150+

      ¥0.95
    • 500+

      ¥0.7749
    • 3000+

      ¥0.6969
    • 6000+

      ¥0.65
  • 有货
  • 电机驱动芯片,三相高低侧功率驱动芯片 驱动配置:高低侧 负载类型:MOSFET;IGBT 含自举二极管 电源电压:8V
    • 5+

      ¥1.6041
    • 50+

      ¥1.2513
    • 150+

      ¥1.1001
    • 500+

      ¥0.9115
    • 2500+

      ¥0.8695
  • 有货
  • 是一款大功率直流电机驱动芯片,打印机、扫地机、按摩椅等电器及工业设备,应用领域:打印机、扫地机、按摩椅等电器及工业设备。
    • 1+

      ¥1.62
    • 10+

      ¥1.4
    • 30+

      ¥1.31
    • 100+

      ¥1.19
    • 500+

      ¥1.14
    • 1000+

      ¥1.11
  • 有货
  • IRLR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.6426
    • 50+

      ¥1.2898
    • 150+

      ¥1.1386
    • 500+

      ¥0.95
  • 有货
  • 是一款大功率直流电机驱动芯片,适用智能锁具类、个人护理类和小家电类等产品领域。
    • 1+

      ¥1.7
    • 10+

      ¥1.47
    • 50+

      ¥1.37
    • 100+

      ¥1.25
    • 500+

      ¥1.19
    • 1000+

      ¥1.16
  • 有货
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