电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：TB6560AHQ(O,8) 编号：C19386

封装：HZIP-25-P-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

用于步进电机控制的PWM斩波式双极驱动IC

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￥20.29
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￥17.07
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￥16.23
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￥14.3
420+
￥13.41

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型号：L6491DTR 编号：C2970144

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

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￥11.41
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型号：NSD5604NE-DHTSTR 编号：C33959956

封装：HTSSOP-20

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD5604E / NSD5604NE是一款4通道低侧驱动器，适用于工业应用，包括可编程逻辑控制、通用继电器或其他螺线管驱动器。该设备包括4x并行输入接口，可控制4x独立驱动输出，适用于电阻性、电感性或电容性负载。输出通道可并联以支持高电流负载并降低设备功耗。

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￥11.51
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￥9.36
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￥6.25
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￥5.98

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型号：TC4420EOA 编号：C68314

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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￥11.7
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￥10.16
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￥9.3
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￥7.93
500+
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型号：SIP2100DY-T1-GE3 编号：C142541

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

SIP2100是一款集成式缓冲H桥，其输入与TTL和CMOS兼容，在5V VDD电源下能够提供高达1A的连续电流。 SIP2100有两个独立的逻辑输入，可设置四种不同的电机运行模式：正转、反转、停止（空转）和制动。内部的直通保护逻辑还可防止上下输出同时导通。 SiP2100具有极高的效率，工作电流极低。该器件还具备过温保护功能，关断迟滞为20°C。SIP2100采用SOIC8封装。

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￥14.35
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￥12.06
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￥10.63
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￥8.9768 ￥9.16
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￥8.33 ￥8.5
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￥8.0458 ￥8.21

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型号：DRV8830DGQR 编号：C127591

封装：MSOP-10-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8830 具有速度调节和 I2C 控制的 7V、1A H 桥电机驱动器

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￥14.84
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￥12.57
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￥11.15
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￥8.94
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型号：A4975SLBTR-T 编号：C27399

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4975旨在以微步进模式驱动双极步进电机的一个绕组。输出额定连续输出电流可达±1.5 A，工作电压可达50 V。内部脉冲宽度调制（PWM）电流控制与内部三位非线性数模转换器相结合，允许电机电流在整步、半步、四分之一步或八分之一步（微步进）模式下进行控制。非线性增量可减少微步进所需的控制线数量。微步进可提高步进分辨率，并减少低速时的转矩变化和共振问题。内部电路保护包括带迟滞功能的热关断、欠压监测和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A4975提供两种功率封装供选择；一种是带铜散热片引脚的16引脚双列直插式塑料封装（后缀为‘B’），另一种是带内部熔接引脚的16引脚塑料SOIC封装（后缀为‘LB’）。对于这两种封装样式，散热增强引脚处于地电位，无需电气隔离。两种封装均为无铅（Pb）封装，引脚框架镀层为100%雾锡。

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￥15.23
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￥12.85
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￥11.36
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型号：FAN73912MX 编号：C899115

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912 是一款单片半桥门极驱动器集成电路，适用于最高在 +1200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT 的高压和高速驱动。HIN 的高级输入滤波器针对干扰导致的短脉冲输入信号提供保护。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和接收 2 A 和 3 A。

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￥15.83
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￥13.28
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￥11.68
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￥10.04
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￥9.31
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型号：TLE94112EL 编号：C540161

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：Infineon(英飞凌)

刷式直流电动机驱动器

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￥16.05
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￥15.18
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￥14.66
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￥14.14
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￥13.89

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型号：LM5104MX/NOPB 编号：C206493

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥17.25
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￥14.53
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￥12.82
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型号：LMG1025QDEERQ1 编号：C1858371

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

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￥17.92
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￥15.19
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型号：MGD3160AM515EKR2 编号：C5191560

封装：SOT-1762-1

品牌：NXP(恩智浦)

是一款用于IGBT和SiC功率器件的单通道栅极驱动器。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。电流和温度感应可在故障期间将IGBT/SiC的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定（UVLO）可提供保护，同时确保足够的栅极驱动电压裕量。能够自主管理严重故障，并通过INTB和/或INTA引脚以及SPI接口报告故障和状态。能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。包含自测试、控制和保护功能，适用于高可靠性系统（ASIC C/D）的设计。符合汽车应用的严格要求，并完全符合AEC-Q100 1级标准。

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￥31.49
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￥26.87
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￥24.06
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型号：NX3008NBK,215(ES) 编号：C49108760

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，0.5A，515mΩ@4.5V,0.2A，0.7V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

50+
￥0.0459
500+
￥0.0449
3000+
￥0.0442

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型号：DMG1012UW-7(ES) 编号：C42412344

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1783
200+
￥0.1405
600+
￥0.1195

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型号：GR6205-SOP-8 编号：C18164411

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

电机驱动芯片 5V，双向马达驱动芯片，可驱动马达正转、反转、停止

20+
￥0.1857
200+
￥0.1425
600+
￥0.1185
4000+
￥0.1041
8000+
￥0.0916
20000+
￥0.0848

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型号：ESLM3400 编号：C42420776

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.0A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19.0mΩ@10V,6.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,30V,6.0A,19.0mΩ@10V

20+
￥0.1878
200+
￥0.1473
600+
￥0.1248
3000+
￥0.1113

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型号：ESJL3401A 编号：C42420867

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：49mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250μA

20+
￥0.2359
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￥0.1879
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￥0.1639
3000+
￥0.1459

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型号：BE6208 编号：C406218

封装：SOP-8

品牌：BORN(伯恩半导体)

为控制和驱动双向马达设计的专用集成电路。该电路输入端兼容TTL/CMOS电平，具有良好的抗干扰性；内部逻辑控制电路可控制双向马达正转、反转和刹车；该电路功率管能通过典型值为100mA的持续电流；该电路内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流。

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10+
￥0.3998
100+
￥0.3278
300+
￥0.2918
3000+
￥0.2245
6000+
￥0.2029
9000+
￥0.192

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型号：AP1511B 编号：C33962541

封装：SOT-26-6

品牌：Slkor(萨科微)

AP1511B是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC，用来开关红外线滤光片。具有一个低饱和电压双向的H-bridge驱动电路，内建保护二极管疏通ICR，所产生的反馈电流，以及防止ESD的破坏。双向H-bridge驱动电路其内阻比较小，ICR模块所需的电流决定于其线圈的阻抗。

5+
￥0.4589
50+
￥0.3591
150+
￥0.3091
500+
￥0.2717
3000+
￥0.2417
6000+
￥0.2268

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型号：BDR6307B 编号：C20622848

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。

5+
￥0.4662
50+
￥0.4062
150+
￥0.3762
500+
￥0.3537
2500+
￥0.3357
4000+
￥0.3267

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型号：EST03P06 编号：C42434104

封装：SOT-23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-60V，-3.1A，80mΩ@-10V,-3A，-1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.5662
50+
￥0.451
150+
￥0.3934
500+
￥0.3502

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型号：JSM5108G 编号：C19077360

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

5+
￥0.772395 ￥0.9087
50+
￥0.601035 ￥0.7071
150+
￥0.527595 ￥0.6207
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￥0.435965 ￥0.5129
2500+
￥0.422365 ￥0.4969
4000+
￥0.3978 ￥0.468

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型号：UCC27517ADBVR(UMW) 编号：C20623192

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27517ADBVR 器件是一款用于功率 MOSFET 和 IGBT 的低压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁 CMOS 技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。UMW UCC27517ADBVR 的逻辑输入电平与低至 3V 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容

5+
￥0.8892
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￥0.6983
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￥0.6029
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￥0.5313
3000+
￥0.4741
6000+
￥0.4454

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型号：UCC27517ADBVR-TP 编号：C51939677

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥0.905236 ￥1.1911
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￥0.715616 ￥0.9416
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￥0.634372 ￥0.8347
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￥0.532988 ￥0.7013
3000+
￥0.487844 ￥0.6419
6000+
￥0.460712 ￥0.6062

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型号：MX27524ES 编号：C5341118

封装：EMSOP-8

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX27524 是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端均能够提供和吸收 5A 的峰值电流，最大额定电压为 20V。每个通道都有两个独立的使能引脚，若未连接，默认处于开启状态

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5+
￥0.9164
50+
￥0.7244
150+
￥0.6284
500+
￥0.5564
2500+
￥0.4988
4000+
￥0.47

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型号：U3116S 编号：C400131

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。

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