电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8701ERGER 编号：C90964

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8701 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.66
10+
￥3.04
30+
￥2.61
100+
￥2.25
500+
￥2.14
1000+
￥2.07

有货

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型号：IR2110STR(UMW) 编号：C20623179

封装：SOP-16-300mil

品牌：UMW(友台半导体)

UMW IR2110STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3路。

1+
￥3.91
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￥3.13
30+
￥2.74
100+
￥2.36
500+
￥2.13
1000+
￥2.01

有货

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型号：DRV8701PRGER 编号：C114178

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8701 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥5.81
10+
￥4.74
30+
￥4.21
100+
￥3.4
500+
￥3.08
1000+
￥2.92

有货

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型号：SLM27211CA-DG 编号：C967931

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

120V高低边驱动，不带互锁，VDD：8-17V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA,MT:30ns

数据手册

1+
￥4.72
10+
￥3.69
30+
￥3.18
100+
￥2.67
500+
￥2.36
1000+
￥2.2

有货

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型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

数据手册

1+
￥14.03
10+
￥12.03
30+
￥10.78
100+
￥8.68
500+
￥8.1
1000+
￥7.85

有货

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型号：IRS2453DSTRPBF 编号：C52141

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

集成的600V全桥门驱动器

数据手册

1+
￥12.02
10+
￥10.13
30+
￥8.94
100+
￥7.72
500+
￥7.17

有货

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型号：ISG3202LA 编号：C41417827

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。

1+
￥22.29
10+
￥21.28
30+
￥20.69
100+
￥18.28
500+
￥18
1000+
￥17.88

有货

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型号：EG2129 编号：C20416234

封装：SSOP-24

品牌：EG(屹晶微)

EG2129是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2129高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SSOP24封装。

1+
￥3.37
10+
￥2.97
30+
￥2.76
100+
￥2.56
500+
￥2.44
1000+
￥2.38

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型号：L9960T-TR 编号：C2680300

封装：SSOP-36-300mil

品牌：ST(意法半导体)

双H桥

数据手册

1+
￥33.08
10+
￥31.47
30+
￥30.48
100+
￥29.66

有货

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型号：G2060 编号：C7421051

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.5/1.8A

1+
￥2.3655 ￥2.49
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￥1.8525 ￥1.95
30+
￥1.6435 ￥1.73
100+
￥1.368 ￥1.44
500+
￥1.2445 ￥1.31
1000+
￥1.178 ￥1.24

有货

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型号：EG2125 编号：C2987445

封装：SSOP-24

品牌：EG(屹晶微)

EG2125是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2125高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.8/1.3A，采用SSOP24封装。

数据手册

1+
￥5.26
10+
￥4.21
30+
￥3.69
100+
￥3.17
500+
￥2.78
1000+
￥2.61

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型号：A4955GESTR-T 编号：C5204686

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4955专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够在50 V电压下工作，并为全N沟道外部MOSFET桥提供栅极驱动。输入端子用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部提供同步整流控制电路，以降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护包括VDS保护、带迟滞功能的热关断、VBB欠压监测和交越电流保护。A4955采用低外形4×4 mm、20引脚QFN封装（后缀“ES”）和20引脚eTSSOP封装（后缀“LP”），两种封装均带有外露散热焊盘。

1+
￥17.69
10+
￥15.05
30+
￥13.4
100+
￥10.37
500+
￥9.61
1500+
￥9.28

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型号：FAN7392MX-MNS 编号：C47967295

封装：SOP-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。

1+
￥6.59
10+
￥5.34
30+
￥4.71
100+
￥4.09
500+
￥3.72
1000+
￥3.52

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型号：HIP4081AIBZT 编号：C309795

封装：SOIC-20-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4081A是一款高频、中压全桥N沟道FET驱动IC，提供20引脚塑料SOIC和DIP封装。除了会导致直通情况的开关组合外，HIP4081A可以驱动任何可能的开关组合。HIP4081A的开关频率可达1MHz，非常适合驱动音圈电机、高频开关功率放大器和电源。例如，HIP4081A可以驱动中压有刷电机，两个HIP4081A可用于驱动高性能步进电机，因为极短的最小“导通时间”可提供精细的微步进能力。约55ns的短传播延迟可最大化控制环路的交叉频率，死区时间可调节至接近零以最小化失真，从而实现对驱动负载的快速、精确控制。

数据手册

1+
￥17.55
10+
￥15.03
30+
￥13.46
100+
￥11.13

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型号：EG2226 编号：C20416242

封装：SSOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG2226是一款高性价比的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2226高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Δ 0.6/1.0A，采用SSOP16封装。

5+
￥1.4041
50+
￥1.2151
150+
￥1.1341
500+
￥1.033
2500+
￥0.988

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型号：BP6830 编号：C7498955

封装：SOP-16

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三相高速功率MOSFET驱动器

1+
￥2.184 ￥2.73
10+
￥1.936 ￥2.42
30+
￥1.816 ￥2.27
100+
￥1.688 ￥2.11
500+
￥1.616 ￥2.02
1000+
￥1.584 ￥1.98

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型号：TF2113M-TEH 编号：C2683761

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥3.23
30+
￥3.03
100+
￥2.84
500+
￥2.72

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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

1+
￥7.01
10+
￥5.7
30+
￥4.98
100+
￥4.17
500+
￥3.81
1000+
￥3.64

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型号：NCP51530BDR2G 编号：C904510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

数据手册

1+
￥7.63
10+
￥6.34
30+
￥5.63
100+
￥4.83
500+
￥4.47

有货

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型号：U6310 编号：C41374698

封装：SSOP-24

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款耐压为70V的集成三相全桥栅极驱动器，适合于12V，24V和36V的三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动，同时也集成了12V LDO控制电路和MCU的供电5.0V LDO，简化了整个供电系统。内置比较电路，可用于电流过流检测，简化外围应用电路。内置低侧电源和高侧电源欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。输入脚兼容3.3-5.0V输入逻辑，集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.5A/- 1.8A。集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在高dv/dt噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。

5+
￥1.7599
50+
￥1.3819
150+
￥1.2199
500+
￥1.0178

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