电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：TD352IDT 编号：C155594

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

先进的IGBT/MOSFET驱动器

数据手册

1+
￥21.38
10+
￥18.3
30+
￥16.47
100+
￥14.62
500+
￥13.76

有货

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型号：MP6536DU-LF-Z 编号：C3655732

封装：QFN-40(5x5)

品牌：MPS(芯源)

无刷电机驱动，25V~48V供电，4A~6A方案，

1+
￥22.2836
50+
￥19.0885
100+
￥18.1054
500+
￥15.4019
1000+
￥11.7153
3000+
￥11.4695

有货

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型号：MCF8329A1IREER 编号：C22399784

封装：WQFN-36-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

1+
￥22.38
10+
￥19.93
30+
￥18.68
100+
￥17.01
500+
￥16.4

有货

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型号：DRV8305NPHPR 编号：C75602

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305 具有电流分流放大器和 SPI 的最大 45V 三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥24.64
10+
￥21.36
30+
￥18.21
100+
￥16.24
500+
￥15.33

有货

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型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

数据手册

1+
￥27.06
10+
￥23.36
30+
￥21.16
100+
￥18.94
500+
￥17.91

有货

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型号：MP6535GU-Z 编号：C5362326

封装：DFN-8

品牌：MPS(芯源)

1+
￥27.7726
50+
￥24.3317
100+
￥22.7752
500+
￥17.2043

有货

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型号：L6234PD013TR 编号：C77581

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

三相电机驱动器

数据手册

1+
￥28.36
10+
￥27
30+
￥26.19
100+
￥25.36
600+
￥24.99

有货

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型号：DRV8316CTQRGFRQ1 编号：C20345370

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C-Q1集成了三个H桥，绝对最大耐压能力为40 V，导通电阻RDS(ON)极低，仅为95 mΩ（高端 + 低端），可为12 V汽车无刷直流电机提供高功率驱动能力。DRV8316C-Q1具备集成式电流感应功能，无需外部检测电阻。DRV8316C-Q1集成了电源管理电路，包括电压可调的降压稳压器（3.3 V / 5 V，200 mA）和低压差线性稳压器（LDO，3.3 V / 30 mA），可用于为外部电路供电。DRV8316C-Q1提供可配置的6倍或3倍PWM控制方案，可配合外部微控制器实现有感或无感磁场定向控制（FOC）、正弦控制或梯形控制。DRV8316C-Q1能够驱动高达200 kHz的PWM频率。DRV8316C-Q1可通过SPI（DRV8316CR-Q1）或引脚（DRV8316CT-Q1）进行高度配置，PWM模式、压摆率、过流保护（OCP）电平、电流感应增益等均为可配置特性。DRV8316C-Q1集成了多项保护功能，包括电源欠压锁定（UVLO）、过压保护（OVP）、电荷泵欠压（CPUV）、过流保护（OCP）、过温警告（OTW）和过温关断（OTSD），可保护器件、电机和系统免受故障影响。故障状态通过nFAULT引脚指示。

1+
￥38.89
10+
￥33.69
30+
￥30.61
100+
￥27.48

有货

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型号：MP6541GQKT-Z 编号：C19089145

封装：TQFN-26(6x6)

品牌：MPS(芯源)

MP6541和MP6541A是三相无刷直流（BLDC）电机驱动器，集成了三个半桥，由六个N沟道功率MOSFET组成。MP6541和MP6541A还集成了六个预驱动器、两个栅极驱动电源和三个电流检测放大器。MP6541为每个半桥集成了使能和脉冲宽度调制（PWM）输入

1+
￥62.95
50+
￥57.5281
100+
￥52.0994

有货

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型号：LMG5200MOFT 编号：C527479

封装：QFN-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

数据手册

1+
￥84.35
10+
￥80.66
30+
￥74.27
100+
￥68.7

有货

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型号：ESE3401 编号：C42420869

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V

20+
￥0.2077
200+
￥0.1618
600+
￥0.1363
3000+
￥0.121

有货

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型号：GR6205 编号：C18164412

封装：SOT-23-6

品牌：GR(国睿)

电机驱动芯片 5V，双向马达驱动芯片，可驱动马达正转、反转、停止

20+
￥0.2088
200+
￥0.1602
600+
￥0.1332
3000+
￥0.117
9000+
￥0.103
21000+
￥0.0954

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型号：FM116C 编号：C2802264

封装：SOT-23-6

品牌：FM(富满)

FM116C 是专为驱动小电流直流马达而设计的集成电路，该电路采用SOT23-6 微型封装，为对空间敏感的系统设计提供理想选择。电路采用H 桥结构，内置功率MOSFET 开关，可实现对负载直流电机正转、反转、刹车以及待机四个功能的控制，刹车功能能使负载电机快速停止转动，待机功能使电路静态功耗极低(小于1uA)。电路内置低阻功率MOSFET 开关，在300mA 负载电流条件下，电路产生的压降500mV，功耗为150mW，在SOT23-6 封装允许的范围之内，电路可长时间持续工作。

数据手册

10+
￥0.2864
100+
￥0.2249
300+
￥0.1942
3000+
￥0.1647
6000+
￥0.1462
9000+
￥0.137

有货

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型号：BDR6120S 编号：C5455570

封装：SOT23-6

品牌：巴丁微

适用于电子锁、电动牙刷、玩具、消费类产品以及其它低压或者电池供电运动控制产品.

10+
￥0.3461
100+
￥0.2763
300+
￥0.2413
3000+
￥0.2152
6000+
￥0.1942
9000+
￥0.1837

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型号：AON7401(ES) 编号：C53199126

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.7549
50+
￥0.6013
150+
￥0.5245
500+
￥0.4669
2500+
￥0.4208

有货

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型号：ESD3066DN33 编号：C42385166

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.0mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA

5+
￥0.7787
50+
￥0.6737
150+
￥0.6287
500+
￥0.5725
2500+
￥0.5475
5000+
￥0.5325

有货

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型号：MX1020W 编号：C5875701

封装：CSP-6

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和小脉冲失真相结合，可显著提升激光雷达、飞行时间测量（ToF）和功率转换器的性能。

5+
￥1.2123
50+
￥0.9398
150+
￥0.8229
500+
￥0.6772
3000+
￥0.6123
6000+
￥0.5733

有货

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型号：FAN3111CSX(UMW) 编号：C20623207

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。具有双 CMOS 输入，其阈值参考 VDD，可与 PWM 控制器和其他与驱动器使用相同电源电压的输入信号源配合使用。

5+
￥1.2164
50+
￥0.9535
150+
￥0.8408
500+
￥0.7002
3000+
￥0.6376
6000+
￥0.6

有货

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型号：NTMFS5C670NLT1G(ES) 编号：C42434112

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

NTMFS5C670NLT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.2888
50+
￥1.1208
150+
￥1.0488
500+
￥0.959
2500+
￥0.919
5000+
￥0.895

有货

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型号：IRF7341TRPBF(ES) 编号：C53199110

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227
500+
￥0.861
3000+
￥0.789

有货

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型号：ESPM3021-8/TR 编号：C42412331

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESPM3021 - 8/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.5253
50+
￥1.1977
150+
￥1.0573
500+
￥0.8821
3000+
￥0.8041

有货

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型号：IRLR3410TRPBF(ES) 编号：C42412310

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路

5+
￥1.5745
50+
￥1.2217
150+
￥1.0705
500+
￥0.8819

有货

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型号：IRFR3410TRPBF(ES) 编号：C42412346

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.6
50+
￥1.39
150+
￥1.3
500+
￥1.19

有货

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型号：FAN3100CSX-TP 编号：C51939553

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.6093 ￥2.1175
50+
￥1.272164 ￥1.6739
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￥1.127764 ￥1.4839
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￥0.947492 ￥1.2467
3000+
￥0.867236 ￥1.1411
6000+
￥0.819052 ￥1.0777

有货

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型号：GT4428DTR 编号：C19267460

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

1+
￥1.656 ￥2.07
10+
￥1.448 ￥1.81
30+
￥1.368 ￥1.71
100+
￥1.256 ￥1.57
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￥1.208 ￥1.51
1000+
￥1.176 ￥1.47

有货

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型号：SI7617DN(ES) 编号：C42412335

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

1+
￥1.79
10+
￥1.56
30+
￥1.46
100+
￥1.34
500+
￥1.28
1000+
￥1.25

有货

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型号：LN4201SF-G 编号：C17701718

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

5+
￥1.8213
50+
￥1.4181
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￥1.2453
500+
￥1.0297
2500+
￥0.9897
4000+
￥0.932

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型号：IRS2103STR(UMW) 编号：C29780641

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2103 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥1.86
10+
￥1.62
30+
￥1.52
100+
￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.3

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型号：GHD3440QE 编号：C42385771

封装：QFN24

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

5+
￥2.3
50+
￥1.77
150+
￥1.54
500+
￥1.26
3000+
￥1.13
6000+
￥1.05

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型号：NSG2024 编号：C53436442

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥2.385 ￥2.65
10+
￥1.917 ￥2.13
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￥1.719 ￥1.91
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￥1.467 ￥1.63
500+
￥1.35 ￥1.5
1000+
￥1.287 ￥1.43

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