电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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型号：2EDF7275K 编号：C2677063

封装：TFLGA-13

品牌：Infineon(英飞凌)

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

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型号：DRV8702DQRHBRQ1 编号：C1848377

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8702D-Q1 汽车类 47V 半桥智能栅极驱动器

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型号：L6390DTR 编号：C503085

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧/低侧驱动器

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型号：DRV8848PWPR 编号：C131079

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8848 具有电流调节功能的 18V、2A、H 桥电机驱动器

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型号：STGAP2SMTR 编号：C2802542

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

电流隔离4 A单重栅极驱动器

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型号：BD6230F-E2 编号：C84323

封装：SOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

SingleChannelDualOutput32V0.5ASMTBrushMotorH-BridgeDriver-SOP-8

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型号：DRV10983SQPWPRQ1 编号：C701768

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV10983-Q1 汽车类 12V 电池、3.5A 峰值无传感器正弦控制三相 BLDC 电机驱动器

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型号：VNHD7008AYTR 编号：C2150455

封装：PWRSSOEP-36

品牌：ST(意法半导体)

用于汽车直流电机驱动的H桥电机驱动器

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型号：BD6221F-E2 编号：C79612

封装：SOP-8

品牌：ROHM(罗姆)

直流无刷电机驱动器（18V最大）

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￥21.2
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型号：LB1836M-TLM-E 编号：C71031

封装：LSOP-14-175mil

品牌：onsemi(安森美)

LB1836M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC，适用于低电压应用。LB1836M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机、软盘驱动器（FDD）、相机和其他便携式设备。

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型号：MAX31790ATI+T 编号：C570996

封装：TQFN-28-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

6通道、PWM输出、风扇RPM控制器、闭路控制6个风扇或监测多达12个风扇，可配置多个风扇RPM控制器

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￥35.09
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型号：LTC7001EMSE#TRPBF 编号：C690092

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

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型号：SDM15G60FC8 编号：C5123264

封装：DIP-24HL

品牌：SILAN(士兰微)

SDM15G60FC8 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调压缩机、工业伺服器、低功率变频器等。其内置了3 相全桥高压栅极驱动电路和6 个低损耗IGBT 管。SDM15G60FC8 内部集成了欠压、短路等各种保护功能，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。SDM15G60FC8 采用了高绝缘和易导热设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的场合。

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型号：MP6540HGU-A-Z 编号：C6228188

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6540H和MP6540HA是三相无刷直流电机驱动器。这些器件集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H的每个半桥都有使能（EN）和PWM输入，而MP6540HA则有独立的高端和低端输入。除此之外，这两款器件完全相同。除非另有说明，本文档中对MP6540H的引用同样适用于MP6540HA。根据散热和PCB条件，MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。MP6540H使用内部电荷泵为高端MOSFET产生栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以维持足够的栅极驱动电压，实现100%占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。MP6540H采用QFN - 26（5mmx5mm）封装。

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￥60.0148
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￥52.6661
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型号：HL118 编号：C42372074

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

输入电压：1.8~8.5V ，持续电流：1.4A，峰值电流：3A ,ESD：8K

20+
￥0.2476
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￥0.1756
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型号：BDR6120S 编号：C5455570

封装：SOT23-6

品牌：巴丁微

适用于电子锁、电动牙刷、玩具、消费类产品以及其它低压或者电池供电运动控制产品.

10+
￥0.3309
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￥0.2607
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￥0.2256
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型号：AON7401(ES) 编号：C53199126

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.7549
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￥0.6013
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￥0.5245
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￥0.4669
2500+
￥0.4208
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￥0.3978

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型号：UCC27517DBVR-S-JSM 编号：C52711846

封装：TSOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单通道栅极驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 采用 SOT-23-5 封装具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

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￥0.8193
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￥0.6513
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￥0.5673
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￥0.5043
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￥0.4278
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￥0.4025

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型号：ESE4060K 编号：C42420753

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：64W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,40V,80A,4.2mΩ@10V

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￥1.1733
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￥0.9213
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￥0.8133
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￥0.6786
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￥0.6186
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型号：L6388ED013TR-JSM 编号：C17701712

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

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￥1.24
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￥1.21
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型号：EG3002 编号：C5267392

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。电源电压范围宽3V~30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。