电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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￥7.42
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￥6.14
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￥5.44
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￥4.65
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￥4.29
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￥4.13

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型号：FAN7382MX 编号：C5804629

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥2.457 ￥2.73
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￥2.178 ￥2.42
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￥2.043 ￥2.27
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￥1.818 ￥2.02
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￥1.782 ￥1.98

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型号：TPM27524-SO1R 编号：C20416757

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是一系列用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源极和漏极电流能力可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最高25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力，提高了系统的鲁棒性，尤其在嘈杂的工业应用中。超低的传播延迟和两个通道之间出色的匹配度，适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成，允许客户根据应用需求进行选择。广泛的封装支持SOP-8、EMSOP-8和DFN3X3-8，符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源砖中超紧凑型同步整流器的设计。

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￥2.62
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￥2.02
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￥1.76
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￥1.44

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型号：NSG20652Q 编号：C41414479

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、SD功能

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￥2.65
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￥2.2
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￥2.05
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￥1.92

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型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。

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￥2.71
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￥2.38
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型号：NCP81151MNTBG 编号：C603810

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 25 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。电源电压较低时，UVLO 功能可保证低输出。

数据手册

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￥2.76
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￥1.92
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￥1.6
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￥1.39
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￥1.3

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型号：NSG6021 编号：C41414502

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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￥2.87
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￥2.25
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￥1.99
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￥1.51
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型号：EG3114 编号：C20416244

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3114是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3114高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

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￥3
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￥2.32
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型号：NSG10752 编号：C53463331

封装：SOT-23-6

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥3.384 ￥3.76
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￥2.781 ￥3.09
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￥1.908 ￥2.12

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型号：DRV8300NRGER 编号：C3655266

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

数据手册

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￥3.6
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￥2.5
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￥1.81

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型号：UCC27323DR-JSM 编号：C18195045

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

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￥3.61
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￥2.53
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￥1.84

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型号：TB67H450FNG(O,EL) 编号：C2932785

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H450FNG是一款PWM斩波型直流有刷电机驱动器，内置一个通道的电机输出模块。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50V，最大电流为3.5A。

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￥3.81
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￥3.05
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￥1.94

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型号：JSM2000G 编号：C7498994

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

100%占空比，适合高频开关应用或者要求快速接通或关断时间的静态开关应用，高边开关控制器、静态开关驱动器、开关电源、光伏关断器等

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￥4.22
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￥3.72
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￥3.46
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￥2.98

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型号：SCT52242STDR 编号：C719316

封装：SOP-8

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT52242是一款宽电源、双通道、高速、用于功率MOSFET和IGBT的低端栅极驱动器。每个通道可提供和吸收4A的峰值电流，并具备轨到轨输出能力。24V电源轨增强了功率器件转换期间驱动器输出的抗振铃能力

数据手册

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￥4.27
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型号：IR2127STRPBF 编号：C371089

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

数据手册

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￥4.54
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￥3.67
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￥3.23
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￥2.2
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￥2.07

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型号：NSG2011 编号：C53436441

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.013 ￥5.57
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￥4.122 ￥4.58
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￥2.826 ￥3.14

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型号：IRS2104STRPBF 编号：C151525

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2104是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

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￥5.05
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￥2.35

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型号：NSG2113N 编号：C54348597

封装：SOP-16

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.586 ￥5.88
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￥4.522 ￥4.76
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￥3.99 ￥4.2
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型号：FU6812V 编号：C22471069

封装：SSOP-24

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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￥6.39
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￥5.19
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型号：VNN3NV04PTR-E 编号：C443999

封装：SOT-223-4

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

数据手册

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￥6.67
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￥5.42
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型号：TF2117-TAH 编号：C2683755

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥7.02
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￥5.81
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￥4.61
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￥3.81

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型号：SDH2136TR 编号：C7466374

封装：SOP-28

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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￥8.1795 ￥8.61
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￥6.745 ￥7.1
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￥5.9565 ￥6.27
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￥5.0635 ￥5.33
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￥4.788 ￥5.04
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￥4.6075 ￥4.85

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型号：BD16950EFV-CE2 编号：C2676964

封装：HTSSOP-24-EP-5.6mm

品牌：ROHM(罗姆)

BD16950EFV是一款符合AEC Q100汽车级标准的双通道半桥栅极驱动器，由外部MCU通过16位串行外设接口（SPI）进行控制。通过独立控制低端和高端N沟道MOSFET，可实现多种MCU控制模式。该驱动器具备可编程驱动电流，可调节转换速率，以满足电磁干扰（EMI）和功耗要求

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￥8.73
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￥7.95
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￥7.46
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￥6.96
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￥6.74
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￥6.64

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型号：DRV8874QPWPRQ1 编号：C22448174

封装：HTSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

是一款具有N沟道H桥、电荷泵、电流感测和比例输出、电流调节和保护电路的集成电机驱动器。电荷泵通过支持N沟道MOSFET半桥和100%占空比驱动来提升效率。该器件系列具有引脚对引脚RDS(on)型号，只需对设计进行少量改动即可支持不同负载。IPROPI引脚上的内部电流镜架构实现电流感测和调节

数据手册

1+
￥9.01
10+
￥7.3
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￥6.36
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￥5.29
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￥4.82
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￥4.61

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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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1+
￥9.72
10+
￥8.2
30+
￥7.37
100+
￥6.43

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型号：BM6104FV-CE2 编号：C507464

封装：SSOP-20-6.1mm

品牌：ROHM(罗姆)

BM6104FV-C是一款栅极驱动器，隔离电压为2500Vrms，I/O延迟时间为150ns，最小输入脉冲宽度为90ns，集成了故障信号输出功能、欠压锁定（UVLO）功能和短路电流保护（SCP、DESAT）功能。

数据手册

1+
￥12.21
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￥10.25
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￥9.03
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￥7.77
500+
￥7.21
1000+
￥6.96

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型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥13.15
10+
￥11.68
30+
￥10.63
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￥9.68
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￥9.24

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型号：SLMi335CG-DG 编号：C6332183

封装：SOP-16W

品牌：Sillumin(数明半导体)

隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离栅极驱动器，用于碳化硅（SiC）/绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有有源保护功能，如去饱和检测、欠压锁定（UVLO）、隔离故障检测和有源米勒钳位。可提供4A峰值输出电流，具有自动故障复位功能。无后缀H的器件默认去饱和阈值为6.5V，带后缀H的器件为9V。输入侧电源工作范围为3V至18V，输出侧电源范围为14V至40V

1+
￥13.5
10+
￥11.39
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￥10.07
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￥8.72
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￥8.11

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型号：L6470HTR 编号：C182381

封装：HTSSOP-28

品牌：ST(意法半导体)

采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器

数据手册

1+
￥24.61
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￥20.59
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￥18.21
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￥15.79
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￥14.68

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型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

1+
￥29.82
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￥25.8
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￥23.41
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