电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSOT-23-5L

SCT51240是一款宽电源、单通道、高速、低端栅极驱动器，适用于功率MOSFET、IGBT以及GaN等宽带隙器件。24V电源轨可增强驱动器在功率器件转换期间的输出振铃耐受性。该器件能在低于5V的电源下进行开关操作，因此非常适合低电压阈值功率器件

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￥3.62
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￥2.87
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￥1.66

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型号：IX4427NTR 编号：C171845

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

1.5A双低侧的超快速MOSFET驱动

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￥4.19
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型号：LM5106SDX/NOPB 编号：C544463

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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￥4.45
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￥3.99
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￥3.74
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型号：NSG2127 编号：C53436467

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥5.139 ￥5.71
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￥4.221 ￥4.69
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￥3.762 ￥4.18
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型号：FAN7390MX-MNS 编号：C50646515

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流:4A

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￥5.68
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￥3.52
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型号：NCP81071BDR2G 编号：C411209

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。

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型号：UCC27424DGNR 编号：C783609

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

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型号：DRV8213DSGR 编号：C22407186

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

是一款集成电机驱动器，具有N通道H桥、电荷泵、电流感应输出、电流调节和保护电路。三倍电荷泵允许器件低至1.65 V电压下工作，以适应1.8 V电源轨和低电池条件。电荷泵集成了所有电容器，允许100%占空比运行。内部电流镜实现电流感应和调节，无需大型功率分流电阻，节省电路板面积并降低系统成本

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￥5.97
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￥4.66
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￥3.99
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型号：LV8548MC-AH 编号：C19950

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

电机驱动器，正向/反向，低饱和电压，12V

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￥6.31
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￥5.4
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￥3.99
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型号：NSG21851 编号：C53436471

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥6.318 ￥7.02
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￥5.193 ￥5.77
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型号：IR2153PBF 编号：C2983

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

半桥驱动集成电路，可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。

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￥6.35
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型号：DRV8872DDAR 编号：C114179

封装：HSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8872 具有故障报告和电流调节功能的 50V、3.6A H 桥电机驱动器

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￥6.42
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型号：EG1160 编号：C2929081

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

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￥6.52
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型号：FAN7392MX-JSM 编号：C7498958

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.552 ￥8.19
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型号：TF21844M-TUH 编号：C2981475

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：GBI7A54SMAR 编号：C28324637

封装：ESOP-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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型号：UCC27525DR 编号：C2676989

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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￥5.64
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型号：MC33151DR2G 编号：C233738

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：DRV8811PWPR 编号：C133174

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8811 具有电流调节功能和 1/8 微步进的 38V、1.9A 双极步进电机驱动器

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型号：L6387ED013TR 编号：C234211

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

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￥5.95
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型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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￥8.23
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￥7.07
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￥6.44
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￥3.56
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￥3.42

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型号：UCC27537DBVR 编号：C130224

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27537 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

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￥5.59
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￥4.78

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型号：L293DN 编号：C434590

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，旨在接受标准DTL或TTL逻辑电平，并驱动感性负载（如继电器、螺线管、直流和步进电机）和开关功率晶体管。为简化作为两个电桥的使用，每对通道都配备了一个使能输入。为逻辑电路提供了单独的电源输入，允许在较低电压下工作，并内置了钳位二极管。适用于高达5kHz频率的开关应用。采用16引脚塑料封装，有4个中心引脚连接在一起用于散热。采用20引脚表面贴装封装，有8个中心引脚连接在一起用于散热。

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