电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：JSM2134 编号：C41382481

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三相高低侧功率驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.25 ￥2.5
10+
￥1.755 ￥1.95
30+
￥1.539 ￥1.71
100+
￥1.278 ￥1.42
500+
￥1.152 ￥1.28
1000+
￥1.08 ￥1.2

有货

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型号：UCC27324DR 编号：C46427

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27324 双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

数据手册

5+
￥1.8627
50+
￥1.459
150+
￥1.286
500+
￥0.9979
2500+
￥0.9017

有货

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型号：IRS2007STRPBF 编号：C538240

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。

数据手册

5+
￥2.1328
50+
￥1.6533
150+
￥1.4477
500+
￥1.1913
2500+
￥1.0771
5000+
￥1.0086

有货

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型号：IR4426STRPBF-JSM 编号：C7462830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，电机控制等，DQ类开关放大器

5+
￥2.204 ￥2.32
50+
￥1.729 ￥1.82
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￥1.52 ￥1.6
500+
￥1.292 ￥1.36
2500+
￥1.178 ￥1.24
4000+
￥1.1115 ￥1.17

有货

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型号：EG2124A 编号：C2856309

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

数据手册

1+
￥2.66
10+
￥2.03
30+
￥1.75
100+
￥1.41
500+
￥1.34
1000+
￥1.25

有货

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型号：UCC27511DBVR-JSM 编号：C7466358

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

1+
￥2.975 ￥3.5
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￥2.3375 ￥2.75
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￥2.057 ￥2.42
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￥1.717 ￥2.02
500+
￥1.564 ￥1.84
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￥1.4705 ￥1.73

有货

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型号：EG3114 编号：C20416244

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3114是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3114高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

1+
￥3
10+
￥2.32
30+
￥2.03
100+
￥1.67
500+
￥1.63
1000+
￥1.53

有货

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型号：TMI8340SP-MS 编号：C22462554

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能，被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。

1+
￥3.1445 ￥3.31
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￥2.5365 ￥2.67
30+
￥2.223 ￥2.34
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￥1.919 ￥2.02
500+
￥1.7385 ￥1.83
1000+
￥1.6435 ￥1.73

有货

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型号：IX4427NTR 编号：C171845

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

1.5A双低侧的超快速MOSFET驱动

数据手册

1+
￥3.67
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￥3.01
30+
￥2.68
100+
￥2.36
500+
￥2.05
1000+
￥1.95

有货

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型号：JSM2000G 编号：C7498994

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

100%占空比，适合高频开关应用或者要求快速接通或关断时间的静态开关应用，高边开关控制器、静态开关驱动器、开关电源、光伏关断器等

1+
￥3.75
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￥3.3
30+
￥3.08
100+
￥2.85
500+
￥2.72
1000+
￥2.65

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型号：IR2153STRPBF-JSM 编号：C41421803

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成了50%占空比振荡器的600V半桥栅极驱动器，能够驱动N型MOSFET或IGBT器件。

1+
￥4.18
10+
￥3.31
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￥2.88
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￥2.45
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￥2.36
1000+
￥2.22

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型号：JSM2113STR 编号：C18195292

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有独立的高低侧传输通道 JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。

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￥4.76 ￥5.95
10+
￥3.896 ￥4.87
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￥3.424 ￥4.28
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￥2.888 ￥3.61
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￥2.72 ￥3.4
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￥2.616 ￥3.27

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型号：DMHC4035LSD-13 编号：C412517

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这新一代互补MOSFET H桥具有在低栅极驱动下实现低导通电阻的特点。

数据手册

1+
￥5.56
10+
￥4.52
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￥4
100+
￥3.49
500+
￥3.18
1000+
￥3.02

有货

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型号：DRV8872DDAR 编号：C114179

封装：HSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8872 具有故障报告和电流调节功能的 50V、3.6A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.51
30+
￥3.96
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￥3.41
500+
￥2.87
1000+
￥2.7

有货

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型号：DRV8840PWPR 编号：C95203

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8840 具有相位/使能控制功能的 45V、5A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥5.88
10+
￥5.28
30+
￥4.96
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￥4.59
500+
￥4.43
1000+
￥4.35

有货

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型号：DRV8811PWPR 编号：C133174

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8811 具有电流调节功能和 1/8 微步进的 38V、1.9A 双极步进电机驱动器

数据手册

1+
￥6.1
10+
￥4.99
30+
￥4.39
100+
￥3.7
500+
￥3.39
1000+
￥3.26

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型号：MIC4416YM4-TR 编号：C515508

封装：SOT-143

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4416和MIC4417超小型低端MOSFET驱动器专为在低端开关应用中通过与TTL兼容的控制信号来切换N沟道增强型MOSFET而设计。MIC4416为同相驱动器，MIC4417为反相驱动器。这些驱动器具有短延迟和高峰值电流的特点，可产生精确的边沿以及快速的上升和下降时间

数据手册

1+
￥6.17
10+
￥4.95
30+
￥4.34
100+
￥3.74
500+
￥3.38

有货

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型号：GBI7A56NMAR 编号：C49073985

封装：DFN-8L(4x4)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

1+
￥6.6
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￥5.49
30+
￥4.88
100+
￥4.18
500+
￥3.88
1000+
￥3.74

有货

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型号：TMI8140 编号：C5288768

封装：DFN-15L(5x6)

品牌：TMI(拓尔微)

1+
￥7.71
10+
￥6.27
30+
￥5.48
100+
￥4.58
500+
￥4.18
1000+
￥4

有货

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型号：MC33151DR2G 编号：C233738

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥8.03
10+
￥6.73
30+
￥6.02
100+
￥5.21
500+
￥4.85
1000+
￥4.69

有货

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型号：TB67S109AFTG(OSQEL) 编号：C5381638

封装：WQFN-48

品牌：TOSHIBA(东芝)

数据手册

1+
￥8.24
10+
￥6.77
30+
￥5.95
100+
￥5.04
500+
￥4.63
1000+
￥4.45

有货

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型号：MS8313 编号：C231942

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：杭州瑞盟

三个独立半桥大电流驱动 MS8313提供三个可独立控制的半H桥驱动器。可被用于驱动螺线管或者其他负载，但它主要用于驱动一个三相无刷直流电机。每个输出驱动器通道包含采用半H桥配置的N通道功率MOSFET。

数据手册

1+
￥8.54
10+
￥6.98
30+
￥6.12
100+
￥5.15
500+
￥5.14
1000+
￥4.95

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型号：DRV8424RGER 编号：C1518725

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8424 具有集成电流检测功能和 1/256 微步进的 35V、2.5A 双极步进驱动器

数据手册

1+
￥8.62
10+
￥7.11
30+
￥6.28
100+
￥5.34
500+
￥4.92
1000+
￥4.73

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型号：UCC27624QDRQ1 编号：C6731413

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

1+
￥9.68
10+
￥7.96
30+
￥7.02
100+
￥5.96
500+
￥5.48
1000+
￥5.27

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型号：DRV8311HRRWR 编号：C5218862

封装：WQFN-24(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8311 具有集成 FET、最大绝对电压为 24V 的 3V 至 20V 三相无刷直流电机驱动器

数据手册

1+
￥9.95
10+
￥8.16
30+
￥7.17
100+
￥6.06
500+
￥5.56
1000+
￥5.34

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型号：TC4426EOA713 编号：C66262

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

数据手册

1+
￥11.26
10+
￥9.6
30+
￥8.69
100+
￥7.66
500+
￥7.21

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型号：MCP1406-E/SN 编号：C145607

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬态信号，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

数据手册