电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-24-300mil

A3959专为直流电机的脉宽调制（PWM）电流控制而设计，能够输出±3 A的电流，工作电压可达50 V。内部固定关断时间的PWM电流控制定时电路可通过控制输入进行调整，以在慢速、快速和混合电流衰减模式下工作。提供PHASE和ENABLE输入端子，用于利用外部施加的PWM控制信号控制直流电机的速度和方向

数据手册

1+
￥29.12
10+
￥24.75
30+
￥22.15
100+
￥19.53
500+
￥18.32

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型号：MCF8329A1IREER 编号：C22399784

封装：WQFN-36-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

数据手册

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￥21.04
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￥18.59
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￥17.34
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￥15.66
500+
￥15.06

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型号：SI8233AB-D-IS1R 编号：C461838

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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￥21.52
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￥18.44
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￥16.61
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￥14.455 ￥14.75
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￥13.622 ￥13.9
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￥13.2398 ￥13.51

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型号：TDSEMIC-095A 编号：C49270378

封装：-

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

L298N电机驱动板模块直流步进电机机器人智能车

1+
￥21.59
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￥18.53
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￥16.7

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型号：IFX007TAUMA1 编号：C6968485

封装：TO-263-7-1

品牌：Infineon(英飞凌)

IFX007T是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它属于工业及多用途NovalithIC™系列产品，该系列产品在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低

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￥22.46
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￥19.11
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￥17.12
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￥15.1
500+
￥14.17

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型号：DRV8316CTRGFR 编号：C6602057

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C 具有集成电流检测功能、FET、增强型 CSA 规格、40V 最大电压、8A 峰值电流的三相电机驱动器

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￥26.9
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￥22.82
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￥20.39
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￥17.94
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￥16.81

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型号：SI8238AB-D-IS1R 编号：C461846

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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￥29.54
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￥25.26
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￥22.71
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￥19.7274 ￥20.13
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￥18.5612 ￥18.94
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￥18.032 ￥18.4

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型号：L6234PD013TR 编号：C77581

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

三相电机驱动器

数据手册

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￥32.87
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￥27.96
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￥25.05
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￥22.1
600+
￥20.74
1200+
￥20.13

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型号：TMC5240ATJ+T 编号：C7494373

封装：TQFN-32

品牌：TRINAMIC

TMC5240是一款智能高性能步进电机控制器和驱动IC，具备串行通信接口（SPI、UART）和强大的诊断功能。它将用于自动目标定位的灵活、加加速度优化的斜坡发生器，与基于256细分、内置分度器和完全集成的36V、3.0A MAX H桥以及非耗散集成电流感应（ICS）的行业最先进步进电机驱动器相结合。 ADI-Trinamic先进的StealthChop2斩波器可确保在实现最高效率和最佳电机转矩的同时，实现绝对无噪音运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够实现小型化和可扩展性，从而提供经济高效的解决方案。该完整解决方案将学习成本降至最低，同时提供一流的性能。 H桥场效应晶体管（FET）的阻抗极低，从而实现高驱动效率并将产生的热量降至最低。典型的总R o N（高端 + 低端）为0.23Ω。假设使用四层PCB，每个H桥在室温下的最大RMS电流为I RMS = 2.1A RMS。每个H桥的最大输出电流为I MAX = 5.0A MAX，受过流保护（OCP）限制。由于该电流受散热因素限制，实际的最大RMS电流将取决于应用的散热特性（PCB接地层、散热器、通风等）。每个H桥的最大满量程电流为1 FS = 3.0A，可通过连接到IREF的外部电阻进行设置。此电流定义为嵌入式电流驱动调节电路的最大电流设置。非耗散ICS消除了笨重的外部功率电阻，与基于外部检测电阻的主流应用相比，可显著节省空间和功率，同时保持相同的整体精度。 TMC5240具备丰富的诊断和保护功能，如短路保护/OCP、热关断和欠压锁定（UVLO）。在热关断和UVLO事件期间，驱动器将被禁用。此外，TMC5240还提供测量驱动器温度、估算电机温度和测量一个外部模拟输入的功能。 TMC5240采用小型TQFN32 5mm x 5mm封装和具有散热优化的带裸露焊盘的TSSOP38 9.7mm x 4.4mm封装。

1+
￥48.08
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￥41.35
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￥37.25
100+
￥33.82

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型号：MP6540GU-Z 编号：C5676249

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6540 和 MP6540A 是三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个 N 沟道功率 MOSFET 组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540 每个半桥都有使能和 PWM 输入。MP6540A 有独立的高端和低端输入；除此之外，这两款器件完全相同。MP6540 可在一秒内提供高达 10A 的峰值电流，连续提供 3A 电流（具体取决于散热和 PCB 条件）。MP6540 使用内部电荷泵为高端 MOSFET 产生栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以维持足够的栅极驱动电压，实现 100% 占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定 (UVLO) 和过流保护 (OCP)。MP6540 采用 QFN - 26（5.0mm×5.0mm）封装。

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￥53.2513
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￥49.5646
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￥44.7311
500+
￥33.4527
1000+
￥28.6738
3000+
￥27.4954

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型号：MP6540HGU-P 编号：C3681334

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

无刷电机驱动，48V以上供电，4A~6A方案，

1+
￥62.8727
50+
￥55.174
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￥50.0653

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型号：LMG5200MOFT 编号：C527479

封装：QFN-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

数据手册

1+
￥77.74
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￥66.32
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￥59.36
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￥53.53

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型号：GR3115 编号：C18164497

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

GR3115是一款高性价比的半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。

5+
￥0.7142
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￥0.5711
150+
￥0.4996
500+
￥0.4459
2500+
￥0.403
4000+
￥0.3816

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型号：AON7466(ES) 编号：C42412303

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7466(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
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￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603
2500+
￥0.5378

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型号：AON7403(ES) 编号：C42412244

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
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￥0.5378
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￥0.5243

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型号：ESD3066DN33 编号：C42385166

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.0mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA

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￥0.8188
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￥0.7138
150+
￥0.6688
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￥0.6126
2500+
￥0.5876
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￥0.5726

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型号：AO4409A(ES) 编号：C42412351

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4409A(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4409A(ES)为无铅产品

5+
￥0.8493
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￥0.6765
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￥0.5901
500+
￥0.5253
2500+
￥0.4734
4000+
￥0.4475

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型号：AONR21321(ES) 编号：C42412347

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9387
50+
￥0.7371
150+
￥0.6507
500+
￥0.5429
2500+
￥0.4949
5000+
￥0.466

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型号：SDH21263TR 编号：C7466375

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

5+
￥1.02222 ￥1.1358
50+
￥0.79542 ￥0.8838
150+
￥0.69822 ￥0.7758
500+
￥0.57699 ￥0.6411
2500+
￥0.55899 ￥0.6211
4000+
￥0.52659 ￥0.5851

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型号：UCC27517DBVR-JSM 编号：C7432821

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

5+
￥1.037168 ￥1.1786
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￥0.807048 ￥0.9171
150+
￥0.708488 ￥0.8051
500+
￥0.585376 ￥0.6652
3000+
￥0.56716 ￥0.6445
6000+
￥0.534248 ￥0.6071

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型号：TC618CS 编号：C841297

封装：ESOP-8

品牌：FM(富满)

该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部集成了采用N沟和P沟功率MOSFET设计的H桥驱动电路，适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围（从2V到9.6V），最大持续输出电流达到2.1A，最大峰值输出电流达到3.5A。

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