电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

TC4426/TC4427/TC4428是早期TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进版本。TC4426/TC4427/TC4428器件在对MOSFET的栅极进行充电和放电时，具有匹配的上升和下降时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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￥6.35
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型号：SI4101DY-T1-GE3(ES) 编号：C42444331

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V,，-12.4A，7.5mΩ@-10V,-12A，-1.4V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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型号：NSG20652Q 编号：C41414479

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、SD功能

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￥2.5175 ￥2.65
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型号：TPSGM42501XPS8G 编号：C42370559

封装：ESOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

该设备是有刷直流电机驱动器。此设备集成四个N-MOSFET，可在40V电压下提供高达3.6A的峰值电流。支持PH/EN接口。

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型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。

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型号：DRV8300DPWR 编号：C3036056

封装：TSSOP-20

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

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型号：EG3118 编号：C48580031

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3118是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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型号：ESAC80SN10 编号：C42434108

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

ESAC80SN10 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：TF2106M-TAH 编号：C2836236

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IRS21867-MNS 编号：C52941369

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流(IOL):4A 描述：这是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，广泛应用于电机驱动、逆变器、电源转换等领域

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型号：TB67H451FNG(O,EL) 编号：C1858375

封装：SOIC-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67H451FNG是一款PWM斩波式直流有刷电机驱动器，内置一个电机输出通道。该器件采用BiCD工艺制造，额定输出电压为50 V，最大电流为3 A。

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型号：HT4344ARMZ 编号：C2895053

封装：MSOP-10

品牌：HTCSEMI(海天芯)

串行输入24位，192khz立体声D/A转换器

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型号：DRV8824PWPR 编号：C86252

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8824 具有电流调节功能和 1/32 微步进的 45V、1.6A 双极步进电机驱动器

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型号：SGM48000XS8G/TR 编号：C700286

封装：SOIC-8

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM48000/1/2系列是双通道低端驱动器，典型源电流和灌电流能力为2A。反相和同相输入均可用，可选择三种组合以实现灵活的逻辑应用。SGM48000/1/2的上升时间和下降时间分别匹配为12ns和13ns，这使得脉冲宽度能够以最小的时序误差和时钟偏移问题传输到输出端

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型号：TF2117-TAH 编号：C2683755

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：FU6812V 编号：C22471069

封装：SSOP-24

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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￥3.46

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：DRV8874QPWPRQ1 编号：C22448174

封装：HTSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

是一款具有N沟道H桥、电荷泵、电流感测和比例输出、电流调节和保护电路的集成电机驱动器。电荷泵通过支持N沟道MOSFET半桥和100%占空比驱动来提升效率。该器件系列具有引脚对引脚RDS(on)型号，只需对设计进行少量改动即可支持不同负载。IPROPI引脚上的内部电流镜架构实现电流感测和调节

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￥9.6
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￥7.79
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型号：TMI8420 编号：C5259221

封装：HTSSOP-28

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8420/Q 为打印机、扫描仪和其他自动化设备应用提供集成电机驱动解决方案。该器件集成了两个H桥驱动器和一个微步进分度器，用于驱动双极步进电机。输出驱动模块由N沟道功率MOSFET组成一个H桥驱动电路来驱动电机绕组。

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￥5

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型号：1EDI60I12AF 编号：C533025

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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￥9.85
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￥7.2
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￥5.17

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型号：FU6818Q 编号：C2832696

封装：QFN-56(7x7)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

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￥11.45
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￥9.77
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￥8.72
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￥6.95

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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￥12.07
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￥10.48
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￥8.68
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￥8.39
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￥8.27

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型号：MAX4427ESA+T 编号：C559513

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双路、高速、1.5A MOSFET驱动器

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￥13.8336 ￥15.72
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￥13.156 ￥14.95
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￥12.7424 ￥14.48
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￥12.3376 ￥14.02
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￥12.056 ￥13.7

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型号：DRV8323RHRGZR 编号：C543035

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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￥14.15
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￥11.93
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￥10.17
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￥8.75
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型号：MCT8314Z0HRRWR 编号：C34748847

封装：WQFN-24(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

为要驱动12V至24V有刷直流电机的客户提供了一种单芯片无代码含传感器梯形换向器件。集成了三个1/2H桥，具有40V的绝对最大电压和575mΩ的低RDS(ON)（高侧和低侧相结合），可提供大功率驱动能力。集成电流限制功能可限制启动或肩负载条件下的电机电流，同时无需外部检测电阻。集成的5V LDO可为器件生成必要的电压轨并为外部电路供电

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￥14.67
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￥12.3
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￥10.82
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￥9.31
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￥8.62
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￥8.33

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型号：DRV8718SQRVJRQ1 编号：C3019561

封装：HVQFN-56-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8718-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、8 通道半桥智能栅极驱动器

数据手册

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￥15.1
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￥12.75
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￥11.29
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￥9.78
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￥9.1
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￥8.81

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型号：A3977SLPTR-T 编号：C163514

封装：TSSOP-28-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

输出额定值：±2.5 A、35 V 低导通电阻（RDS(on)）输出，典型值：源极 0.28 Ω，漏极 0.22 Ω

数据手册

1+
￥15.95
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￥13.01
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￥11.17

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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

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1+
￥17.84
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￥16.9
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￥16.35
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￥15.78
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￥15.52
1000+
￥15.4

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型号：MC33035DWR2G 编号：C424244

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

数据手册

1+
￥22.42
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￥15.18
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￥13.4
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￥12.58
1000+
￥12.21

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型号：1ED3491MU12M 编号：C530929

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

1+
￥26.95
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￥22.93
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￥20.54
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