电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-263-7-1

IFX007T是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它属于工业及多用途NovalithIC™系列产品，该系列产品在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低

1+
￥22.37
10+
￥19.03
30+
￥17.05
100+
￥15.04
500+
￥14.12

有货

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型号：DRV8412DDWR 编号：C79852

封装：HTSSOP-44-EP-6.1mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8412 70V、6A 双通道 H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥33.18
10+
￥28.29
30+
￥25.38
100+
￥22.43
500+
￥21.08
1000+
￥20.46

有货

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型号：LTC7001EMSE#TRPBF 编号：C690092

封装：MSOP-10-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器

数据手册

1+
￥49.98
10+
￥43.47
30+
￥39.49
100+
￥36.16

有货

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型号：TMC4361A-LA-T 编号：C915796

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：TRINAMIC

用于步进电机的S形斜坡和SixPoint™斜坡运动控制器针对高速运行进行了优化，支持动态更改。TMC4361A提供SPI和步进/方向（Step/Dir）接口，以及用于闭环操作的编码器接口。 TMC4361A是一款用于步进电机驱动器的小型高性能运动控制器，特别为具有广泛斜坡曲线的快速且限 jerk 运动曲线应用而设计。S形或SixPoint™速度曲线、闭环和开环功能提供了多种配置选项，以满足用户的规格要求。

数据手册

1+
￥57.71
10+
￥50.1
30+
￥45.46
100+
￥41.57

有货

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型号：G2021 编号：C53436211

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

5+
￥0.7218 ￥0.802
50+
￥0.58275 ￥0.6475
150+
￥0.51318 ￥0.5702
500+
￥0.46098 ￥0.5122
2500+
￥0.41931 ￥0.4659
4000+
￥0.39843 ￥0.4427

有货

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型号：UCC27517DBVR-TP 编号：C51939678

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥0.804688 ￥1.0588
50+
￥0.63612 ￥0.837
150+
￥0.56392 ￥0.742
500+
￥0.473784 ￥0.6234
3000+
￥0.433656 ￥0.5706
6000+
￥0.409564 ￥0.5389

有货

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型号：ESGNH10R90 编号：C42412302

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

ESGNH10R90 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9576
50+
￥0.8316
150+
￥0.7776
500+
￥0.7103
2500+
￥0.6803

有货

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型号：UCC27517DBVR-JSM 编号：C7432821

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

5+
￥1.034704 ￥1.1758
50+
￥0.812944 ￥0.9238
150+
￥0.717904 ￥0.8158
500+
￥0.599368 ￥0.6811
3000+
￥0.546568 ￥0.6211
6000+
￥0.514888 ￥0.5851

有货

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型号：DMP3013SFV-7(ES) 编号：C42412325

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

P-Channel增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅。

5+
￥1.0374
50+
￥0.9009
150+
￥0.8424
500+
￥0.7694
2500+
￥0.7369
5000+
￥0.7174

有货

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型号：ESEP4045GU 编号：C42420756

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：59A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA N沟道,40V,59A,5.5mΩ@10V

5+
￥1.1602
50+
￥1.0132
150+
￥0.9502
500+
￥0.8715
2500+
￥0.8365
5000+
￥0.8155

有货

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型号：JSM2101STR 编号：C19077368

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

5+
￥1.431 ￥1.59
50+
￥1.242 ￥1.38
150+
￥1.161 ￥1.29
500+
￥1.08 ￥1.2
2500+
￥1.035 ￥1.15
4000+
￥1.008 ￥1.12

有货

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型号：AON6407(ES) 编号：C42412354

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.4668
50+
￥1.2778
150+
￥1.1968
500+
￥1.0957
2500+
￥1.0507
5000+
￥1.0237

有货

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型号：CC6403SS 编号：C2832986

封装：SOT-335

品牌：CrossChip(成都芯进)

单线圈，24V,FG信号输出,堵转保护

数据手册

5+
￥1.6507
50+
￥1.4512
150+
￥1.3657
500+
￥1.2591
2500+
￥1.0735
5000+
￥1.045

有货

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型号：GBI7256NMCR 编号：C5451742

封装：WSON-8-EP(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7256是一款双通道高速低端栅极驱动器，可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns，20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。负输入可低至 -5V，以增强输入抗噪声能力

1+
￥1.65965 ￥1.747
10+
￥1.338455 ￥1.4089
30+
￥1.2008 ￥1.264
100+
￥1.02904 ￥1.0832
500+
￥0.85652 ￥0.9016
1000+
￥0.810635 ￥0.8533

有货

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型号：SLM2104SCA-13GTR 编号：C461470

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

5+
￥1.6836
50+
￥1.3459
150+
￥1.2012

有货

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型号：MX5114T 编号：C5341119

封装：SOT-23-6L

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX5114T 旨在驱动升压型配置中的低端 MOSFET，或驱动隔离拓扑中的次级同步 MOSFET。凭借强大的灌电流能力，MX5114T 能够并联驱动多个 MOSFET。MX5114T 还具备驱动低端增强型氮化镓（GaN）FET 所需的特性

数据手册

5+
￥1.9102
50+
￥1.4816
150+
￥1.298
500+
￥1.0688
3000+
￥0.9668
6000+
￥0.9056

有货

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型号：BDR6622T 编号：C724037

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：巴丁微

是一款双桥电机驱动器，具有两个H桥驱动器，可以驱动两个直流有刷电机或一个双极步进电机、螺线管或其他电感负载。

数据手册

5+
￥1.9394
50+
￥1.511
150+
￥1.3274
500+
￥1.0983
2500+
￥0.9963
4000+
￥0.9351

有货

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型号：AON6484(ES) 编号：C42412245

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6484(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥1.99
10+
￥1.74
30+
￥1.63
100+
￥1.5
500+
￥1.44
1000+
￥1.4

有货

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型号：UCC27524DR-JSM 编号：C18195049

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道(双反)、四输入 25V 4A/4A SOP-8

5+
￥2.0624
50+
￥1.6088
150+
￥1.4144
500+
￥1.1719
2500+
￥1.0639
4000+
￥0.999

有货

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型号：BDR6133 编号：C2687793

封装：ESOP-8

品牌：巴丁微

是一款宽工作电压范围的直流有刷电机驱动芯片，适用于全自动智能锁、扫地机器人、大功率玩具以及其它中压或者电池供电的消费类电机驱动产品。

数据手册

1+
￥2.39
10+
￥1.86
30+
￥1.63
100+
￥1.35
500+
￥1.26
1000+
￥1.19

有货

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型号：BDR6127 编号：C22370207

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款 DC 双向电机驱动电路,应用领域：电子锁、按摩椅、电动玩具、宠物电器和机器人等领域。

1+
￥2.43
10+
￥1.92
30+
￥1.71
100+
￥1.44
500+
￥1.32
1000+
￥1.25

有货

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型号：TPS51604DSGR 编号：C337501

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS51604 适用于同步降压高频 CPU 内核电源应用的 4A、28V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥2.9
10+
￥2.61
30+
￥2.47
100+
￥2.33
500+
￥2.24
1000+
￥2.2

有货

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型号：U3215C 编号：C20626026

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

1+
￥3.2
10+
￥2.49
30+
￥2.19
100+
￥1.81
500+
￥1.65
1000+
￥1.54

有货

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型号：IR2106STRPBF-JSM 编号：C7466360

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.29 ￥3.5
10+
￥2.679 ￥2.85
30+
￥2.3782 ￥2.53
100+
￥2.0774 ￥2.21
500+
￥1.7484 ￥1.86
1000+
￥1.6544 ￥1.76

有货

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型号：DGD2304S8-13-JSM 编号：C17701714

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.924 ￥4.36
10+
￥3.141 ￥3.49
30+
￥2.754 ￥3.06
100+
￥2.367 ￥2.63
500+
￥2.142 ￥2.38
1000+
￥2.016 ￥2.24

有货

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型号：NCP5111DR2G-JSM 编号：C7498967

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

1+
￥3.996 ￥4.44
10+
￥3.213 ￥3.57
30+
￥2.826 ￥3.14
100+
￥2.439 ￥2.71
500+
￥2.214 ￥2.46
1000+
￥2.088 ￥2.32

有货

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型号：SA8337-MS 编号：C22462545

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。

1+
￥4.18
10+
￥3.35
30+
￥2.94
100+
￥2.54
500+
￥2.29
1000+
￥2.17

有货

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型号：TC4427AVOA713 编号：C624944

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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