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首页 > 热门关键词 > 电机全桥驱动
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汽车级全集成H桥电机驱动
  • 1+

    ¥52.58
  • 10+

    ¥44.85
  • 30+

    ¥40.14
  • 100+

    ¥36.19
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V
    • 20+

      ¥0.2128
    • 200+

      ¥0.1669
    • 600+

      ¥0.1414
    • 3000+

      ¥0.1261
    • 9000+

      ¥0.1128
  • 有货
  • 集成自举二极管,电机驱动,专业高速吹风筒驱动
    • 5+

      ¥0.67545 ¥0.711
    • 50+

      ¥0.526015 ¥0.5537
    • 150+

      ¥0.451345 ¥0.4751
    • 500+

      ¥0.395295 ¥0.4161
    • 2500+

      ¥0.39235 ¥0.413
    • 4000+

      ¥0.370025 ¥0.3895
  • 有货
  • 步进电机驱动 玩具汽车电机驱动 电源电压范围:2.5V 至 12V,广泛应用于玩具汽车电机驱动、脉冲电磁阀门驱动、步进电机驱动和开关功率管等电路上
    数据手册
    • 5+

      ¥0.751
    • 50+

      ¥0.607
    • 150+

      ¥0.535
    • 500+

      ¥0.481
  • 有货
  • 最高可达40V工作电压的继电器驱动芯片
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7892
    • 50+

      ¥0.6356
    • 150+

      ¥0.5588
    • 500+

      ¥0.5012
    • 2500+

      ¥0.4071
    • 5000+

      ¥0.3841
  • 有货
  • 马达驱动 直流马达驱动,静态电流Iq(Typ)0.1uA,驱动电流 Iout 800mA
    • 5+

      ¥0.86247 ¥0.9583
    • 50+

      ¥0.67194 ¥0.7466
    • 150+

      ¥0.59031 ¥0.6559
    • 500+

      ¥0.48843 ¥0.5427
    • 2500+

      ¥0.44307 ¥0.4923
    • 4000+

      ¥0.4158 ¥0.462
  • 有货
  • SSP8023D是一款双向继电器驱动电路,用于控制直流电机和磁保持继电器,具备大输出能力和超低功耗。它可广泛应用于智能电表及其他脉冲、电平控制应用场景。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.94
    • 50+

      ¥0.7384
    • 150+

      ¥0.652
    • 500+

      ¥0.5442
    • 3000+

      ¥0.4889
    • 6000+

      ¥0.4601
  • 有货
  • AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.4668
    • 50+

      ¥1.2778
    • 150+

      ¥1.1968
    • 500+

      ¥1.0957
    • 2500+

      ¥1.0507
    • 5000+

      ¥1.0237
  • 有货
  • 单通道高速低端栅极驱动器,可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns,20V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至 -5V 的负输入,以增强输入抗噪能力。宽输入迟滞与TTL低压逻辑兼容。IN+和IN-输入的灵活配置使SOT23-THN既可以作为同相驱动器,也可以作为反相驱动器。它可在 -40°C至150°C的宽温度范围内工作。有SOT23-THN和SOIC-8L两种封装。
    • 5+

      ¥1.49
    • 50+

      ¥1.33
    • 150+

      ¥1.21
    • 500+

      ¥1.15
    • 2500+

      ¥1.12
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):59A 功率(Pd):44.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA N沟道,40V,59A,5.5mΩ@10V
    • 5+

      ¥1.6587
    • 50+

      ¥1.3059
    • 150+

      ¥1.1547
    • 500+

      ¥0.9661
    • 2500+

      ¥0.8821
    • 5000+

      ¥0.8316
  • 有货
  • JSM2203S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
    • 5+

      ¥1.8093
    • 50+

      ¥1.4061
    • 150+

      ¥1.2333
    • 500+

      ¥1.0177
    • 2500+

      ¥0.9937
    • 4000+

      ¥0.936
  • 有货
  • 驱动两个N-MOSFET,DC-DC转换
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9845
    • 50+

      ¥1.5461
    • 150+

      ¥1.3582
    • 500+

      ¥1.0977
    • 2500+

      ¥0.9934
    • 5000+

      ¥0.9307
  • 有货
  • EG2103是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2103高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻,LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-0.3/0.6A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0125
    • 50+

      ¥1.5226
    • 150+

      ¥1.3126
    • 500+

      ¥1.0507
    • 2500+

      ¥1.033
    • 4000+

      ¥0.963
  • 有货
  • 双通道(双反)、 四输入 25V 4A/4A SOP-8
    • 5+

      ¥2.0624
    • 50+

      ¥1.6088
    • 150+

      ¥1.4144
    • 500+

      ¥1.1719
    • 2500+

      ¥1.0639
    • 4000+

      ¥0.999
  • 有货
  • IRFR3607TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路
    • 1+

      ¥2.09
    • 10+

      ¥1.84
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.59
    • 500+

      ¥1.53
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-45A 功率(Pd):38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.0mΩ@-20A,-10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.5V@-250uA
    • 1+

      ¥2.41
    • 10+

      ¥2.14
    • 30+

      ¥2.01
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.79
    • 1000+

      ¥1.75
  • 有货
  • 高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥2.576 ¥3.22
    • 10+

      ¥2.064 ¥2.58
    • 30+

      ¥1.8 ¥2.25
    • 100+

      ¥1.544 ¥1.93
    • 500+

      ¥1.392 ¥1.74
    • 1000+

      ¥1.312 ¥1.64
  • 有货
  • 集成二极管 三相高低侧功率驱动芯片 驱动配置:高低侧 负载类型:MOSFET;IGBT 含自举二极管 电源电压:8V~20V 峰值灌电流:1.5A 峰值拉电流:1.8A 带上下电保护、欠压保护 。
    • 1+

      ¥3.41
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.44
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • GC4931P是一款三相无刷直流电机驱动芯片。芯片可以驱动NMOS,可在4.7~36V电源电压,10A的持续电流下工作,芯片工作温度在-40~110℃。封装形式采用 5mmx5mm的QFN28脚,底部有散热片。芯片集成固定衰减时间的脉冲调制来控制电流并且抑制励磁涌流;堵转保护时间可调;内置霍尔元件;过温保护,过压监测,同步整流等等。提供STM32参考例程及原厂技术支持
    • 1+

      ¥3.61
    • 10+

      ¥3.17
    • 30+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.74
    • 500+

      ¥2.61
    • 1000+

      ¥2.55
  • 有货
  • UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥3.88
    • 10+

      ¥3.14
    • 30+

      ¥2.83
    • 100+

      ¥2.43
    • 500+

      ¥2.02
    • 1000+

      ¥1.92
  • 有货
  • N沟道,100V,83A,7.1mΩ@10V,30A,3.0V@250μA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 1+

      ¥3.9
    • 10+

      ¥3.16
    • 30+

      ¥2.79
    • 100+

      ¥2.43
    • 500+

      ¥2.21
    • 1000+

      ¥2.1
  • 有货
  • 此款DC双向马达驱动芯片,采用SOP8封装,最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻,静态电流1UA,具有过热保护,短路保护,过流保护及紧急停止功能,能够满足大多数小型到中型直流电机驱动需求等,可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中,驱动直流电机正转和反转,因其高效能和稳定性,特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。
    • 1+

      ¥3.971 ¥4.18
    • 10+

      ¥3.192 ¥3.36
    • 30+

      ¥2.8025 ¥2.95
    • 100+

      ¥2.413 ¥2.54
    • 500+

      ¥2.185 ¥2.3
    • 1000+

      ¥2.0615 ¥2.17
  • 有货
  • 具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动,带关断和可编程死区时间控制功能
    • 1+

      ¥3.996 ¥4.44
    • 10+

      ¥3.213 ¥3.57
    • 30+

      ¥2.826 ¥3.14
    • 100+

      ¥2.439 ¥2.71
    • 500+

      ¥2.214 ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.088 ¥2.32
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥3.996 ¥4.44
    • 10+

      ¥3.213 ¥3.57
    • 30+

      ¥2.826 ¥3.14
    • 100+

      ¥2.439 ¥2.71
    • 500+

      ¥2.214 ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.088 ¥2.32
  • 有货
  • 4A, 单相, 双低侧驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥4.22
    • 10+

      ¥3.77
    • 30+

      ¥3.55
    • 100+

      ¥3.33
    • 500+

      ¥3
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
  • LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥4.42
    • 10+

      ¥3.96
    • 30+

      ¥3.71
    • 100+

      ¥3.43
    • 500+

      ¥3.3
    • 1000+

      ¥3.24
  • 有货
  • 内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路
    • 1+

      ¥4.59 ¥5.4
    • 10+

      ¥3.706 ¥4.36
    • 30+

      ¥3.264 ¥3.84
    • 100+

      ¥2.8305 ¥3.33
    • 500+

      ¥2.363 ¥2.78
    • 1000+

      ¥2.227 ¥2.62
  • 有货
  • 250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器,可实现100%占空比
    • 1+

      ¥4.921 ¥5.18
    • 10+

      ¥3.933 ¥4.14
    • 30+

      ¥3.4485 ¥3.63
    • 100+

      ¥2.9545 ¥3.11
    • 500+

      ¥2.6695 ¥2.81
    • 1000+

      ¥2.5175 ¥2.65
  • 有货
  • NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流,在米勒平坦区高达 5A 峰值电流,有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能,在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。 此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.09
    • 10+

      ¥4.06
    • 30+

      ¥3.54
    • 100+

      ¥3.04
    • 500+

      ¥2.68
    • 1000+

      ¥2.53
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.176 ¥6.47
    • 10+

      ¥4.672 ¥5.84
    • 30+

      ¥4.4 ¥5.5
    • 100+

      ¥4.088 ¥5.11
    • 500+

      ¥3.944 ¥4.93
    • 1000+

      ¥3.88 ¥4.85
  • 有货
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