DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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￥1.098
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￥0.9671
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￥0.8363
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￥0.7663
2470+
￥0.7352
6500+
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型号：TLP785(BL,F 编号：C115022

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

数据手册

5+
￥1.2945
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￥1.0173
200+
￥0.8601
500+
￥0.7119
2000+
￥0.6459
4000+
￥0.6062

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型号：MOC3083 编号：C10797

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入和输出之间的隔离电压 Viso: 5,000Vrms。 6 引脚 DIP 过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM: Min. 800V。高关态电压临界上升率 (dv/dt : MIN. 800V/μs)。双列直插式封装。宽引脚间距封装。应用：AC 电机驱动器。 AC 电机启动器

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5+
￥1.666
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￥1.3376
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￥1.1894
520+
￥1.0138
2080+
￥0.9357

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型号：LTV-824 编号：C10791

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

特性：AC输入响应。高输入输出隔离电压 (Viso = 5,000Vrms)。低集电极暗电流 (ICEO: MAX. 10⁻⁷A at VCE = 20V)。电流传输比 (CTR: MIN. 20% at IF = ±1mA, VCE = 5V)

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￥2.77
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￥2.21
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￥1.97
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￥1.66
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￥1.53
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￥1.45

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型号：GAQY216E 编号：C7435143

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥4.48
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￥3.61
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￥3.18
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￥2.51
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￥2.26
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￥2.12

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型号：GTLP3555 编号：C19271984

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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￥5.48
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￥4.4
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￥3.86
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￥3.33
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￥3.01
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￥2.84

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型号：PC817A 编号：C42371498

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

PC817A是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装（DIP4）。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.

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￥0.191452 ￥0.2081
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￥0.149224 ￥0.1622
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￥0.124384 ￥0.1352
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￥0.110308 ￥0.1199
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￥0.09154 ￥0.0995

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型号：PC817X3NSZ9F 编号：C96006

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

PC817C 新版管装

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5+
￥0.5528
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￥0.4428
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￥0.352
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￥0.3108
2000+
￥0.2778
4000+
￥0.2613

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型号：MOC3023M(UMW) 编号：C2842959

封装：DIP-6

UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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5+
￥0.7318
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￥0.644
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￥0.5539
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￥0.507
2470+
￥0.4861
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￥0.4735

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型号：MOC3020M(UMW) 编号：C5158042

封装：DIP-6

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式与塑料DIP6封装中的单片硅随机相光电可控硅耦合，具有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构，提供最稳定的隔离特性。

数据手册

5+
￥1.1081
50+
￥0.8774
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￥0.7379
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￥0.6145
2470+
￥0.5595
6500+
￥0.5266

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型号：MOC3022 编号：C115466

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用：AC电机驱动器。AC电机启动器

数据手册

5+
￥1.2437
50+
￥0.9846
130+
￥0.8582
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￥0.7197
2080+
￥0.658
5200+
￥0.621

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型号：EL3083 编号：C82997

封装：DIP-6

数据手册

5+
￥1.3127
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￥1.0506
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￥0.7465
3250+
￥0.6841
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￥0.6467

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型号：TLP350F(UMW) 编号：C53109745

封装：DIP-8

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￥3.3
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￥2.65
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￥2.32
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￥2
495+
￥1.81
990+
￥1.71

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型号：MOC3043M 编号：C80489

封装：DIP-6

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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1+
￥3.46
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￥2.78
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￥2.33
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￥1.99
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

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型号：MOC3062M 编号：C8919

封装：DIP-6

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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1+
￥3.8
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￥3.1
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￥2.75
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￥2.41
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￥2.2
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￥2.1

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型号：TLP250HF(UMW) 编号：C53109742

封装：DIP-8

1+
￥3.93
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￥3.15
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￥2.77
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￥2.38
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￥2.15

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型号：TP3120 编号：C47326391

封装：DIP-8

品牌：拓朴微

集成电路

1+
￥5.931 ￥6.59
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￥4.806 ￥5.34
30+
￥4.239 ￥4.71
100+
￥3.681 ￥4.09
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￥3.348 ￥3.72
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￥3.168 ￥3.52

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型号：HCPL-2531-000E 编号：C692026

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。

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1+
￥9.6
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￥7.98
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￥6.48
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￥5.48
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￥5.03
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￥4.83

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型号：HCPL2631M 编号：C899527

封装：DIP-8

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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1+
￥9.69
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￥7.97
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￥7.02
100+
￥5.95
500+
￥5.48
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￥5.26

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型号：ASSR-1611-501E 编号：C5570486

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开（1 Form A）机电继电器的固态替代品。由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级和一个高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5mA时，继电器导通（触点闭合）；当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。连接方式A允许继电器切换交流或直流负载；连接方式B具有降低导通电阻和提高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内规定。

1+
￥40.89
10+
￥35.24
30+
￥31.79
100+
￥28.9

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型号：PC817CAD 编号：C52092020

封装：DIP-4

品牌：GMIC(绿微)

20+
￥0.184008 ￥0.2091
200+
￥0.143352 ￥0.1629
600+
￥0.120736 ￥0.1372
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￥0.107096 ￥0.1217
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￥0.095392 ￥0.1084
20000+
￥0.089056 ￥0.1012

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型号：PC817A 编号：C22466619

封装：DIP-4

品牌：GOODWORK(固得沃克)

接收端电压：35V CTR:100%~160%

20+
￥0.205615 ￥0.2419
200+
￥0.164815 ￥0.1939
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￥0.144415 ￥0.1699
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￥0.129115 ￥0.1519
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￥0.116875 ￥0.1375
20000+
￥0.11067 ￥0.1302

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型号：EL2501(K)-G 编号：C85162

封装：DIP-4

-

数据手册

5+
￥0.6319
50+
￥0.5023
200+
￥0.4159
500+
￥0.3674
2500+
￥0.3285
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￥0.309

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型号：EL3052M-V 编号：C6844033

封装：DIP-6

5+
￥1.7112
50+
￥1.3332
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￥1.1712
520+
￥0.9691
2470+
￥0.8791

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型号：6N136M 编号：C2995535

封装：DIP-8

UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选

数据手册

5+
￥1.8488
50+
￥1.4439
150+
￥1.2704
500+
￥1.054
2500+
￥0.9576
5000+
￥0.8997

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型号：ELR2223 编号：C18164727

封装：DIP-7

ELRX223 系列器件均由一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管组成，该二极管与一个单片硅随机相位光控三端双向晶闸管和一个主输出三端双向晶闸管进行光耦合。它们专为电子控制器与负载之间的接口而设计，用于控制 115 至 240 VAC 工作的感性负载。这些器件采用 8 引脚双列直插式封装（DIP），也提供表面贴装（SMD）选项

数据手册

1+
￥2.17
10+
￥1.88
45+
￥1.76
90+
￥1.6
495+
￥1.53
990+
￥1.49

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型号：GAQY212E 编号：C19271985

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

1+
￥4.62
10+
￥3.73
30+
￥3.28
100+
￥2.61
500+
￥2.35
1000+
￥2.21

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型号：MOC3052M 编号：C8965

封装：DIP-6