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首页 > 热门关键词 > DIP光耦
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由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压(交流:5kVRMS (最小值))。
数据手册
  • 10+

    ¥0.4621
  • 100+

    ¥0.3567
  • 300+

    ¥0.3162
  • 1000+

    ¥0.2858
  • 5000+

    ¥0.2615
  • 10000+

    ¥0.2493
  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7851
    • 50+

      ¥0.6891
    • 130+

      ¥0.593
    • 520+

      ¥0.5416
    • 2470+

      ¥0.5188
    • 6500+

      ¥0.505
  • 有货
  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    • 5+

      ¥1.3596
    • 50+

      ¥1.0659
    • 130+

      ¥0.9401
    • 520+

      ¥0.7831
    • 2470+

      ¥0.7132
    • 6500+

      ¥0.6712
  • 有货
  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3596
    • 50+

      ¥1.0356
    • 130+

      ¥0.8967
    • 520+

      ¥0.7235
    • 2080+

      ¥0.6463
    • 4160+

      ¥0.6
  • 有货
  • MOC3041M是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。
    • 5+

      ¥1.68372 ¥1.8708
    • 50+

      ¥1.33902 ¥1.4878
    • 130+

      ¥1.19124 ¥1.3236
    • 520+

      ¥1.00692 ¥1.1188
    • 2470+

      ¥0.92484 ¥1.0276
    • 6500+

      ¥0.87552 ¥0.9728
  • 有货
  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 2+

      ¥1.7222
    • 20+

      ¥1.3656
    • 60+

      ¥1.2127
    • 200+

      ¥0.937
    • 1000+

      ¥0.8521
    • 2000+

      ¥0.8011
  • 有货
  • HCPL - 4504和HCPL - 0454包含一个GaAsP LED,而HCPL - J454和HCNW4504包含一个AlGaAs LED。该LED与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。HCPL - 4504系列具有短传播延迟和高电流传输比(CTR)
    数据手册
    • 1+

      ¥6.55
    • 10+

      ¥5.32
    • 50+

      ¥4.37
    • 100+

      ¥3.572 ¥3.76
    • 500+

      ¥3.23 ¥3.4
    • 1000+

      ¥3.0495 ¥3.21
  • 有货
  • TLP748J由一个光电晶闸管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成,采用六引脚塑料DIP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.8
    • 10+

      ¥8.23
    • 30+

      ¥7.25
    • 100+

      ¥6.24
    • 500+

      ¥5.79
    • 1000+

      ¥5.59
  • 有货
  • 东芝TLP548J由一个与红外发射二极管光耦合的光控晶闸管组成,采用六引脚塑料DIP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.12
    • 10+

      ¥8.32
    • 50+

      ¥7.34
    • 100+

      ¥6.22
    • 500+

      ¥5.72
    • 1000+

      ¥5.5
  • 有货
  • 817 系列光耦合器由一个 GaAs 的发射管和一个 NPN 的晶体管组成。817 的 BIN 脚宽是 2.54mm。
    • 20+

      ¥0.2031
    • 200+

      ¥0.1553
    • 600+

      ¥0.1287
    • 2000+

      ¥0.1128
    • 10000+

      ¥0.099
    • 20000+

      ¥0.0915
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2393
    • 200+

      ¥0.1732
    • 600+

      ¥0.1501
    • 2000+

      ¥0.131
    • 10000+

      ¥0.1244
    • 20000+

      ¥0.1199
  • 有货
  • PC817系列器件均由一个红外发光二极管和一个光电晶体管探测器光耦合组成。它们采用4引脚DIP封装,有宽引脚间距和SMD可选封装。
    • 10+

      ¥0.2533
    • 100+

      ¥0.2019
    • 300+

      ¥0.1762
    • 2000+

      ¥0.1538
    • 4000+

      ¥0.1383
    • 10000+

      ¥0.1306
  • 有货
  • TLP85GB是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装,三种形式 ( DIPDIP-M、SMD) 。 广泛应用于:开关电源 ,智能电表、可编程控制器、家用电器等。
    • 10+

      ¥0.41877 ¥0.4653
    • 100+

      ¥0.32337 ¥0.3593
    • 300+

      ¥0.28017 ¥0.3113
    • 1000+

      ¥0.24777 ¥0.2753
    • 5000+

      ¥0.22185 ¥0.2465
    • 10000+

      ¥0.2088 ¥0.232
  • 有货
  • 应用:OA设备。视听设备。家用电器。电信设备(终端)。测量设备。加工机械。计算机
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4803
    • 50+

      ¥0.3745
    • 200+

      ¥0.3216
    • 500+

      ¥0.276262 ¥0.2819
    • 2000+

      ¥0.245098 ¥0.2501
    • 4000+

      ¥0.229614 ¥0.2343
  • 有货
  • 4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极,该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,封装形式为塑料 DIP6 封装,引脚成型方式多样。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8119
    • 50+

      ¥0.6399
    • 130+

      ¥0.5539
    • 520+

      ¥0.4894
    • 2470+

      ¥0.4378
    • 5005+

      ¥0.412
  • 有货
  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0508
    • 50+

      ¥0.8216
    • 130+

      ¥0.6922
    • 520+

      ¥0.5697
    • 2470+

      ¥0.5151
    • 6500+

      ¥0.4824
  • 有货
  • 结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极,该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管,具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容,与传统光电晶体管光耦合器相比,速度提高了几个数量级。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6598
    • 50+

      ¥1.3013
    • 160+

      ¥1.1477
    • 480+

      ¥0.956
    • 2400+

      ¥0.8707
    • 4800+

      ¥0.8194
  • 有货
  • AT212光电继电器由光MOSFET、光电电压发生器和红外LED组成。实现了低导通电阻,具有良好的性价比。采用4引脚封装(DIP、SMD、DIP-M、SLM)。 广泛应用于:通讯产品、 调制解调器/传感器备、移动电话/安全设备、自动化设备、测量仪器、高速检测机。
    • 1+

      ¥3.3155 ¥3.49
    • 10+

      ¥2.9545 ¥3.11
    • 30+

      ¥2.774 ¥2.92
    • 100+

      ¥2.603 ¥2.74
    • 500+

      ¥2.489 ¥2.62
    • 1000+

      ¥2.4415 ¥2.57
  • 有货
  • 特性:长寿命(机械和电气寿命无限制)。 无弹跳开关。 更高的速度和高频开关。 更高的灵敏度(更低的功耗)。 抗电磁干扰或射频干扰。 无电弧、无弹跳和无噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
    • 1+

      ¥6.4
    • 10+

      ¥5.15
    • 50+

      ¥4.26
    • 100+

      ¥3.64
    • 500+

      ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.08
  • 有货
  • 二极管导通电流:3mA 漏电流:1uA;主要应用:通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等
    数据手册
    • 1+

      ¥9.0535 ¥9.53
    • 10+

      ¥7.486 ¥7.88
    • 50+

      ¥6.631 ¥6.98
    • 100+

      ¥5.6525 ¥5.95
    • 500+

      ¥5.225 ¥5.5
    • 1000+

      ¥5.0255 ¥5.29
  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管组成,采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装,输入和输出之间的距离大于3mm,满足最高安全要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.75
    • 10+

      ¥12.4
    • 25+

      ¥10.92
    • 100+

      ¥9.2316 ¥9.42
    • 500+

      ¥8.5554 ¥8.73
    • 1000+

      ¥8.2712 ¥8.44
  • 有货
  • 特性:宽范围负载电压:49V、69V、199V、299V、359V、499V、600V、1000V 和 1500V。低导通电阻:典型值 0.6Ω。具备 5000Vrms I/O 隔离的加强绝缘类型。应用:测量仪器。数据通信设备
    数据手册
    • 1+

      ¥18.73
    • 10+

      ¥16.59
    • 50+

      ¥15.32
    • 100+

      ¥14.26
    • 500+

      ¥13.55
    • 1000+

      ¥13.23
  • 有货
  • 专为高电流应用而设计,常见于工业设备中。该继电器是单极、常开(1 Form A)机电继电器的固态替代品。 由一个铝镓砷红外发光二极管(LED)输入级和一个高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5mA时,继电器导通(触点闭合);当输入电压为0.8V或更低时,继电器断开(触点打开)。 连接方式A允许继电器切换交流或直流负载;连接方式B具有降低导通电阻和提高输出电流的优点,仅允许继电器切换直流负载。 电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内规定。
    • 1+

      ¥38.45
    • 10+

      ¥32.8
    • 30+

      ¥29.35
    • 100+

      ¥26.46
  • 有货
  • PC817C-CX消费类产品,由红外发光二极管和光耦合的光电晶体管探测器组成。
    • 20+

      ¥0.1715
    • 200+

      ¥0.1342
    • 600+

      ¥0.1135
    • 2000+

      ¥0.1011
    • 10000+

      ¥0.0903
    • 20000+

      ¥0.0845
  • 有货
  • 接收端电压:35V CTR:100%~160%
    • 20+

      ¥0.21774 ¥0.2292
    • 200+

      ¥0.17214 ¥0.1812
    • 600+

      ¥0.14934 ¥0.1572
    • 2000+

      ¥0.13224 ¥0.1392
    • 10000+

      ¥0.11856 ¥0.1248
    • 20000+

      ¥0.111625 ¥0.1175
  • 有货
  • 特性:电流传输比(CTR):最小值为50%(IF = 5mA,VCE = 5V时)。 高输入输出隔离电压:Viso = 5,000Vrms。 响应时间(tr):典型值为4μs(VCE = 2V,IC = 2mA,RL = 100Ω时)。 双列直插式封装:LTV-817为单通道型,LTV-827为双通道型,LTV-847为四通道型。应用:要求高密度安装的混合基板。 可编程控制器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3701
    • 100+

      ¥0.2935
    • 300+

      ¥0.2292
    • 1000+

      ¥0.2005
    • 5000+

      ¥0.1775
    • 10000+

      ¥0.166
  • 有货
  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0944
    • 50+

      ¥0.8681
    • 130+

      ¥0.7173
    • 520+

      ¥0.5963
    • 2080+

      ¥0.5424
    • 4160+

      ¥0.51
  • 有货
  • UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    • 5+

      ¥1.0963
    • 50+

      ¥0.8595
    • 150+

      ¥0.758
    • 500+

      ¥0.6314
    • 2500+

      ¥0.5751
    • 5000+

      ¥0.5412
  • 有货
  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7001
    • 50+

      ¥1.3433
    • 130+

      ¥1.1304
    • 520+

      ¥0.9396
    • 2470+

      ¥0.8547
    • 6500+

      ¥0.8037
  • 有货
  • UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容,为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距(M型)和贴片式(SMD)可选
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7247
    • 50+

      ¥1.3522
    • 150+

      ¥1.1925
    • 500+

      ¥0.9934
    • 2500+

      ¥0.9047
    • 5000+

      ¥0.8515
  • 有货
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