DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP748J(D4,F) 编号：C150192

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP748J由一个光电晶闸管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用六引脚塑料DIP封装。

数据手册

1+
￥9.8
10+
￥8.23
30+
￥7.25
100+
￥6.24
500+
￥5.79
1000+
￥5.59

有货

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型号：HCPL-2630-000E 编号：C28575

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

数据手册

1+
￥9.82
10+
￥8.11
50+
￥6.92
100+
￥5.86
500+
￥5.39
1000+
￥5.18

有货

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型号：TLP548J(F) 编号：C5370524

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP548J由一个与红外发射二极管光耦合的光控晶闸管组成，采用六引脚塑料DIP封装。

数据手册

1+
￥10.15
10+
￥8.35
50+
￥7.36
100+
￥6.25
500+
￥5.75
1000+
￥5.53

有货

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型号：TLP521-4(GB,F) 编号：C2848504

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521-2 在八引脚塑料 DIP 封装中提供两个隔离通道，而 TLP521-4 在十六引脚塑料 DIP 封装中提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥16.13
10+
￥13.78
25+
￥11.22
100+
￥9.72

有货

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型号：AQV252G 编号：C719671

封装：DIP-6

品牌：PANASONIC(松下)

特性：宽范围负载电压：49V、69V、199V、299V、359V、499V、600V、1000V 和 1500V。低导通电阻：典型值 0.6Ω。具备 5000Vrms I/O 隔离的加强绝缘类型。应用：测量仪器。数据通信设备

数据手册

1+
￥20.25
10+
￥18.02
50+
￥16.69
100+
￥15.59
500+
￥14.84
1000+
￥14.51

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型号：PC-817-C-F 编号：C42368114

封装：DIP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

由红外发射二极管和光电晶体管检测器通过光学耦合封装组成，晶体管光耦可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：5KV.铁框架

20+
￥0.1627
200+
￥0.1263
600+
￥0.106
2000+
￥0.0939
10000+
￥0.0833
20000+
￥0.0777

有货

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型号：PC817SC 编号：C20612450

封装：SOP-4

品牌：KTP(科泰普)

PC817系列器件均由一个红外发光二极管和一个光电晶体管探测器光耦合组成。它们采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选封装。

10+
￥0.2655
100+
￥0.2141
300+
￥0.1884
2000+
￥0.166
4000+
￥0.1506
10000+
￥0.1428

有货

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型号：MPC817B1(SL)(T1)-FGV 编号：C17701948

封装：SOP-4

品牌：MP(美禄科技)

结合了AlGaAs红外发射二极管作为发射器，该发射器与塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，具有不同的引脚成型选项。采用坚固的共面双模具结构，提供最稳定的隔离特性。

10+
￥0.269
100+
￥0.2124
300+
￥0.1841
1500+
￥0.1628
4500+
￥0.1458
10500+
￥0.1373

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型号：PC814A(UMW) 编号：C53109757

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

10+
￥0.413
100+
￥0.3238
300+
￥0.2792
1000+
￥0.2458
5000+
￥0.2238
10000+
￥0.2104

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型号：LTV-817-B 编号：C479627

封装：DIP-4

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：最小值为50%（IF = 5mA，VCE = 5V时）。高输入输出隔离电压：Viso = 5,000Vrms。响应时间（tr）：典型值为4μs（VCE = 2V，IC = 2mA，RL = 100Ω时）。双列直插式封装：LTV-817为单通道型，LTV-827为双通道型，LTV-847为四通道型。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

数据手册

10+
￥0.457
100+
￥0.3778
300+
￥0.3113
1000+
￥0.2816
5000+
￥0.2578
10000+
￥0.246

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型号：4N25 编号：C3014309

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极，该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，封装形式为塑料 DIP6 封装，引脚成型方式多样。

数据手册

5+
￥1.0338
50+
￥0.7875
130+
￥0.6819
520+
￥0.5501
2470+
￥0.4915
6500+
￥0.4563

有货

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型号：MOC3083M(UMW) 编号：C6171201

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

5+
￥1.3409
50+
￥1.0488
130+
￥0.9236
520+
￥0.7674
2470+
￥0.6979
5005+
￥0.6561

有货

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型号：MOC3043M(UMW) 编号：C6171202

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

5+
￥1.5336
50+
￥1.1995
130+
￥1.0563
520+
￥0.8777
2470+
￥0.7981
6500+
￥0.7504

有货

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型号：MOC3082M(UMW) 编号：C2842969

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

2+
￥1.7008
20+
￥1.3486
60+
￥1.1976
200+
￥0.9254
1000+
￥0.8415
2000+
￥0.7912

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型号：6N138M 编号：C3001991

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极，该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管，具有不同的引脚成型选项。光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容，与传统光电晶体管光耦合器相比，速度提高了几个数量级。

数据手册

5+
￥1.8379
50+
￥1.4375
160+
￥1.2659
480+
￥1.0519
2400+
￥0.9565
4800+
￥0.8993

有货

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型号：EL3053 编号：C5633075

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

5+
￥2.1585
50+
￥1.7143
130+
￥1.524
520+
￥1.2865
2470+
￥1.1807
5005+
￥1.1172

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型号：TLP560G(F) 编号：C2848505

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅和一个红外发光二极管组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

数据手册

1+
￥4.55
10+
￥3.72
50+
￥3.31
100+
￥2.91
500+
￥2.66
1000+
￥2.54

有货

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型号：GAQW216E 编号：C7435152

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥6.75
10+
￥5.5
50+
￥4.61
100+
￥3.99
500+
￥3.62
1000+
￥3.42

有货

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型号：GAQW211G2E 编号：C7435147

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无阀弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥7.04
10+
￥5.88
50+
￥5.13
100+
￥4.42
500+
￥4.1
1000+
￥3.95

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型号：PC817B 编号：C5692981

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

817 系列光耦合器由一个 GaAs 的发射管和一个 NPN 的晶体管组成。817 的 BIN 脚宽是 2.54mm。

20+
￥0.2003
200+
￥0.1531
600+
￥0.1268
2000+
￥0.1111
10000+
￥0.0974
20000+
￥0.0901

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型号：LTV816D 编号：C364140

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

816光耦合器由一个GaAs的发射管和一个NPN的晶体管组成。

数据手册

10+
￥0.4413
100+
￥0.3478
300+
￥0.3011
1000+
￥0.266
5000+
￥0.238
10000+
￥0.224

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型号：TLP785GB 编号：C20612584

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

TLP85GB是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式 ( DIP、DIP-M、SMD) 。广泛应用于：开关电源，智能电表、可编程控制器、家用电器等。

10+
￥0.44397 ￥0.4933
100+
￥0.34857 ￥0.3873
300+
￥0.30537 ￥0.3393
1000+
￥0.27297 ￥0.3033
5000+
￥0.24705 ￥0.2745
10000+
￥0.234 ￥0.26

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型号：PC817X3NSZ2B 编号：C390735

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

替换PC817X3NSZW(C档）

数据手册

5+
￥0.8354
50+
￥0.677
200+
￥0.5762
500+
￥0.5168
2500+
￥0.4693
5000+
￥0.4455

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型号：4N35 编号：C3014310

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极，该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，封装形式为塑料 DIP6 封装，引脚成型方式多样。

数据手册

5+
￥1.0851
50+
￥0.8487
130+
￥0.7474
520+
￥0.621
2470+
￥0.5647
5005+
￥0.531

有货

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型号：MOC3063M(UMW) 编号：C6171203

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC306X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

5+
￥1.2258
50+
￥0.9588
150+
￥0.8443
500+
￥0.7016
2500+
￥0.638
5000+
￥0.5998

有货

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型号：FOD817C3SD 编号：C241831

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.4329
50+
￥1.1197
150+
￥0.9855
1000+
￥0.803
2000+
￥0.7285
5000+
￥0.6837

有货

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型号：MOC3081M(UMW) 编号：C2842968

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.5939
50+
￥1.2594
130+
￥1.0598
520+
￥0.8809
2470+
￥0.8013
6500+
￥0.7535

有货

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型号：LTV-847 编号：C10794

封装：DIP-16

品牌：LITEON(光宝)

数据手册

5+
￥2.3338
50+
￥1.8493
150+
￥1.6416
400+
￥1.3826
2400+
￥1.2672

有货

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型号：ACPL-827-00CE 编号：C445976

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚双列直插式封装。同样，是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚双列直插式封装。两款光耦合器都提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装器件（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

数据手册

1+
￥2.56
10+
￥2.24
50+
￥2.08
100+
￥1.93
500+
￥1.83
1000+
￥1.79

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型号：HCPL-2601-000E(UMW) 编号：C53109714

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

1+
￥3.05
10+
￥2.39
45+
￥2.11
90+
￥1.76
495+
￥1.6
990+
￥1.5

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