DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

数据手册

1+
￥2.77
10+
￥2.16
50+
￥1.85
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￥1.52
500+
￥1.37
1000+
￥1.29

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型号：HCPL-4504-000E(UMW) 编号：C53109720

封装：DIP-8

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￥3.04
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￥2.38
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￥2.1
90+
￥1.75
495+
￥1.59
990+
￥1.5

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型号：4N32M 编号：C110941

封装：DIP-6

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

数据手册

1+
￥3.47
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￥2.79
50+
￥2.38
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￥2.02
500+
￥1.86
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￥1.76

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型号：GAQY212E 编号：C19271985

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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￥4.43
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￥3.57
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￥3.14
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￥2.5
500+
￥2.25
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￥2.12

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型号：6N137-000E 编号：C14750

封装：DIP-8

高CMR，高速TTL兼容的光电耦合器

数据手册

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￥4.85
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￥3.84
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￥3.19
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￥2.69
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￥2.39
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￥2.23

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型号：ATV252-CuH-D 编号：C22372856

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

ATV252光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET耦合组成。 ATV252实现低导通电阻。广泛应用于：工业机械及设备、放盗、防灾市场、空调控制、娱乐市场.

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￥5.9565 ￥6.27
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￥5.3865 ￥5.67
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￥5.073 ￥5.34
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520+
￥4.446 ￥4.68
975+
￥4.37 ￥4.6

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型号：HT8-214 编号：C34376248

封装：DIP-8

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：120mA，耐压：400V,RON:15欧姆，隔离电压：5KV.

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￥6.6
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￥5.31
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￥4.66
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￥4.02
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￥3.64
1000+
￥3.44

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

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￥7.11
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￥5.9
50+
￥4.35
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￥3.59
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￥3.26
1000+
￥3.1

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型号：HCPL-2601-000E 编号：C185846

封装：DIP-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

数据手册

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￥10.15
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￥8.55
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￥6.65
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￥5.3675 ￥5.65
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￥4.9495 ￥5.21
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￥4.7595 ￥5.01

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型号：HCPL-4503-500E 编号：C17455215

封装：DIP-8

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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￥10.56
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￥8.86
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￥7.79
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￥6.566 ￥6.7
500+
￥6.0858 ￥6.21
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￥5.8702 ￥5.99

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型号：GAQV252G3E 编号：C7435176

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥14.13
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￥12.02
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￥9.86
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￥8.51
500+
￥7.9
1000+
￥7.63

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型号：AQV258 编号：C1558745

封装：DIP-6

品牌：PANASONIC(松下)

特性：负载电压有40V、60V、100V、200V、250V、400V、600V、1000V和1500V多种选择。典型导通电阻为0.6Ω。具备5000Vrms的增强绝缘型输入输出隔离。应用：测量仪器。数据通信设备

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￥27.4
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￥24.61
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￥22.95
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￥21.57

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型号：EL817B 编号：C42371501

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

EL817B是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装（DIP4）。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.

20+
￥0.21681 ￥0.2409
200+
￥0.17361 ￥0.1929
600+
￥0.15201 ￥0.1689
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￥0.13581 ￥0.1509
10000+
￥0.12285 ￥0.1365
20000+
￥0.11637 ￥0.1293

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型号：817B 编号：C695830

封装：DIP-4

817 系列光耦合器由一个 GaAs 的发射管和一个 NPN 的晶体管组成。817 的 BIN 脚宽是 2.54mm。

数据手册

20+
￥0.2211
200+
￥0.1655
600+
￥0.1429
2000+
￥0.1294
10000+
￥0.1176
20000+
￥0.1113

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型号：LTV-817-C 编号：C109225

封装：DIP-4

品牌：LITEON(光宝)

LTV817C 直插光耦光电耦合

数据手册

10+
￥0.3099
100+
￥0.2567
300+
￥0.2126
1000+
￥0.1927
5000+
￥0.1767
10000+
￥0.1688

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型号：PC814A(UMW) 编号：C53109757

封装：DIP-4

10+
￥0.4071
100+
￥0.3236
300+
￥0.2819
1000+
￥0.2506
5000+
￥0.2255
10000+
￥0.213

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型号：LTV816D 编号：C364140

封装：DIP-4

816光耦合器由一个GaAs的发射管和一个NPN的晶体管组成。

数据手册

10+
￥0.4276
100+
￥0.335
300+
￥0.2887
1000+
￥0.254
5000+
￥0.2262
10000+
￥0.2123

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型号：CYTLP521-1(GB) 编号：C385051

封装：DIP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

CYTLP521是可控制的光电藕合器件，用于电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。四引脚封装，三种形式（DIP、DIP-M、SMD）。

数据手册

5+
￥0.7886
50+
￥0.6254
200+
￥0.5291
500+
￥0.4679
2500+
￥0.419
5000+
￥0.3945

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型号：MOC3061M 编号：C22373365

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

MOC3061M是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器。

5+
￥0.94221 ￥0.9918
50+
￥0.816525 ￥0.8595
130+
￥0.815385 ￥0.8583
520+
￥0.748125 ￥0.7875
2470+
￥0.7182 ￥0.756
6500+
￥0.700245 ￥0.7371

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型号：MOC3083M(UMW) 编号：C2842970

封装：DIP-6

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

5+
￥1.2087
50+
￥0.9634
130+
￥0.7756
520+
￥0.6444
2470+
￥0.586
6500+
￥0.551

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型号：FOD817B300 编号：C124471

封装：DIP-4

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.5791
50+
￥1.2698
200+
￥0.9339
500+
￥0.7685
2000+
￥0.6949
4000+
￥0.6507

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型号：4N25M 编号：C5241

封装：DIP-6

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥2.1036
50+
￥1.6097
150+
￥1.4162
500+
￥1.1749
2000+
￥1.0675
5000+
￥1.003

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型号：ACPL-827-00CE 编号：C445976

封装：DIP-8