DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：MOC3021 编号：C123202

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小400V。应用：交流电机驱动器

数据手册

5+
￥1.0305
50+
￥0.8372
130+
￥0.706
520+
￥0.6336
2080+
￥0.5756
5200+
￥0.5466

有货

立即购买

型号：MOC3063 编号：C78487

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP过零光耦可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压VDRM：最小600V。应用：交流电机驱动器

数据手册

5+
￥1.2046
50+
￥0.9995
130+
￥0.8519
520+
￥0.764
2080+
￥0.7054
5200+
￥0.6702

有货

立即购买

型号：MOC3041M 编号：C8921

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥3
50+
￥2.48
100+
￥2.12
500+
￥1.9
1000+
￥1.79

有货

立即购买

型号：TLP627(F) 编号：C96253

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接光电晶体管光耦合组成，该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻，以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料双列直插式封装（DIP），提供两个隔离通道；而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥5.37
10+
￥4.29
30+
￥3.75
100+
￥3.21
500+
￥2.89
1000+
￥2.73

有货

立即购买

型号：PC817X3NSZW 编号：C2840441

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

数据手册

5+
￥0.6104
50+
￥0.482
200+
￥0.4081
500+
￥0.36
2000+
￥0.3215
4000+
￥0.3022

有货

立即购买

型号：MOC3052 编号：C115470

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小600V。高关态电压临界上升率 (dV/dt：最小1000V/μs)。应用：AC电机驱动器。 AC电机启动器

数据手册

5+
￥1.4203
50+
￥1.1525
130+
￥0.9625
520+
￥0.8194
2080+
￥0.7556
5200+
￥0.7173

有货

立即购买

型号：EL3081 编号：C115479

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

5+
￥1.4379
50+
￥1.16
130+
￥0.9398
520+
￥0.7912
3250+
￥0.725
4875+
￥0.6853

有货

立即购买

型号：6N136 编号：C500386

封装：DIP-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.19
45+
￥1.93
90+
￥1.61
495+
￥1.47
990+
￥1.38

有货

立即购买

型号：MOC3063M 编号：C8920

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥4.21
10+
￥3.48
50+
￥2.97
100+
￥2.61
500+
￥2.39
1000+
￥2.28

有货

立即购买

型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册