DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：GAQY414E 编号：C7435144

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

光耦继电器触点形式:1 Form B(SPST-NC)

1+
￥5.62
10+
￥5.49
30+
￥5.4
100+
￥5.31

有货

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型号：GAQY211G3E 编号：C52177859

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO) 光MOS继电器，负载电压:40V 连续负载电流:2.5A

1+
￥5.68
10+
￥4.6
30+
￥4.06
100+
￥3.52

有货

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型号：AQW214E-C1L0 编号：C19185365

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

AQW214光继电器由红外发光二极管和光电发生器、光MOSFET耦合组成。

1+
￥5.7
10+
￥5.15
45+
￥4.84
90+
￥4.5
495+
￥4.34
990+
￥4.28

有货

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型号：GAQV215G1E 编号：C52177850

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

2Form A(SPST-NO)负载电压:100V 连续负载电流:1.1A

1+
￥6.41
10+
￥5.33
50+
￥4.73
100+
￥4.06

有货

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型号：APW210E 编号：C42444461

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

1+
￥6.53
10+
￥5.25
50+
￥4.6
100+
￥3.73
500+
￥3.35
1000+
￥3.15

有货

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型号：GAQW212G1E 编号：C7435149

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳切换。更高的速度和高频切换。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥7.28
10+
￥6.02
50+
￥5.33
100+
￥4.55
500+
￥4.2
1000+
￥4.05

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型号：ACPL-T350-060E 编号：C17568677

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个 GaAsP LED，该 LED 与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200 V/100 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。绝缘电压为 VIOMR = 630 V 峰值（选项 060）。

1+
￥7.29
10+
￥6.55
50+
￥6.14
100+
￥5.5664 ￥5.68
500+
￥5.3704 ￥5.48
1000+
￥5.2724 ￥5.38

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型号：GAQV216E 编号：C52177849

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:600V 连续负载电流:0.08A

1+
￥7.47
10+
￥6.21
50+
￥5.52
100+
￥4.74

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型号：HCPL2531M 编号：C899497

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

数据手册

1+
￥8.49
10+
￥7.74
50+
￥7.27
100+
￥6.79
500+
￥6.57
1000+
￥6.47

有货

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型号：GAQV215G2E 编号：C52177855

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:100V 连续负载电流:2.0A

1+
￥8.54
10+
￥7.1
50+
￥6.31
100+
￥5.41

有货

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型号：HCPL-2611-000E 编号：C692032

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

数据手册

1+
￥8.75
10+
￥7.23
50+
￥6.02
100+
￥5.07
500+
￥4.66

有货

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型号：AT226-CuH-D 编号：C22390118

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT226 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于：通讯产品、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

1+
￥9.081 ￥10.09
10+
￥7.731 ￥8.59
45+
￥6.885 ￥7.65
90+
￥6.012 ￥6.68
495+
￥5.616 ￥6.24
990+
￥5.445 ￥6.05

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型号：GAQV252G2E 编号：C7435175

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥11.76
10+
￥9.95
50+
￥8.82
100+
￥7.66
500+
￥7.14
1000+
￥6.91

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型号：HCNW2601-000E 编号：C5756493

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥17.77
10+
￥15.09
42+
￥13.49
84+
￥11.6424 ￥11.88
504+
￥10.9172 ￥11.14
1008+
￥10.584 ￥10.8

有货

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型号：HCPL-2731-000E 编号：C49268978

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥20.84
10+
￥17.73
50+
￥15.88
100+
￥14.02

有货

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型号：HCNW2611-000E 编号：C188688

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥22.21
10+
￥18.86
30+
￥16.87
100+
￥14.553 ￥14.85
500+
￥13.6416 ￥13.92
1000+
￥13.23 ￥13.5

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型号：HCPL-4200-000E 编号：C692047

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器设计用于在使用20 mA电流环的设备中作为接收器。20 mA电流环系统通常通过传输20 mA的环路电流（MARK）来表示逻辑高状态，通过允许不超过几毫安的环路电流（SPACE）来表示逻辑低状态。信号从20 mA电流环到逻辑输出的光耦合打破了接地环路，并提供了非常高的共模抑制。为电流环的逻辑高状态和逻辑低状态提供了保证的阈值，提供了LSTTL、TTL或CMOS兼容的逻辑接口，并提供了保证的共模抑制

数据手册