DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：EL3063 编号：C85623

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

DIP光耦

数据手册

5+
￥1.0156
50+
￥0.7961
130+
￥0.702
520+
￥0.5846
3250+
￥0.5323
4875+
￥0.501

有货

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型号：AT4N31-CuH-D 编号：C22396202

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N31是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.07172 ￥1.1908
50+
￥0.84717 ￥0.9413
130+
￥0.75096 ￥0.8344
520+
￥0.6309 ￥0.701
2470+
￥0.57744 ￥0.6416
6500+
￥0.54531 ￥0.6059

有货

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型号：MOC3083D-JSM 编号：C18723104

封装：DIP-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电磁阀控制、镇流器、温度控制等

5+
￥1.16154 ￥1.2906
50+
￥0.91206 ￥1.0134
150+
￥0.80514 ￥0.8946
500+
￥0.67176 ￥0.7464
2500+
￥0.61236 ￥0.6804
5000+
￥0.57672 ￥0.6408

有货

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型号：AT4N32-CuH-D 编号：C22396201

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N32是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.19079 ￥1.3231
50+
￥0.94131 ￥1.0459
130+
￥0.83439 ￥0.9271
520+
￥0.70101 ￥0.7789
2470+
￥0.64161 ￥0.7129
6500+
￥0.60588 ￥0.6732

有货

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型号：AT4N27-CuH-D 编号：C22396198

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N27是一款由发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。六引脚封装（DIP6、 SMD6）。广泛应用于：电源调节器、数字逻辑输入、微处理输入。

5+
￥1.19508 ￥1.299
50+
￥0.944748 ￥1.0269
130+
￥0.837384 ￥0.9102
520+
￥0.703524 ￥0.7647
2470+
￥0.643908 ￥0.6999
6500+
￥0.60812 ￥0.661

有货

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型号：QX3021-CuH-DE 编号：C52164383

封装：DIP-6

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

DIP6封装非过零可控硅光耦，5000V隔离电压，VDRM:400V IFT:15mA

5+
￥1.2272
50+
￥0.9701
130+
￥0.86
520+
￥0.7225
2470+
￥0.6613

有货

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型号：CNY174M 编号：C899082

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥1.239 ￥2.95
10+
￥0.7488 ￥2.34
50+
￥0.4576 ￥2.08
100+
￥0.3872 ￥1.76
500+
￥0.3542 ￥1.61
1000+
￥0.3366 ￥1.53

有货

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型号：AT4N29-CuH-D 编号：C22396203

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N29是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.36395 ￥1.5155
50+
￥1.0782 ￥1.198
130+
￥0.95571 ￥1.0619
520+
￥0.80289 ￥0.8921
2470+
￥0.73485 ￥0.8165
6500+
￥0.69408 ￥0.7712

有货

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型号：AT4N30-CuH-D 编号：C22396204

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

AT4N30是一款由 GaAs发光二极管和达林顿晶体管组成的光电耦合器。可以在保持驱动电路和负载电路之间的高度隔离的同时实现开关，具有使用寿命长、速度快等优点能让它替代常规继电器。广泛应用于：开关电源，工业控制、测量仪器、可编程控制器、家用电器等。

5+
￥1.46142 ￥1.6238
50+
￥1.15524 ￥1.2836
130+
￥1.02402 ￥1.1378
520+
￥0.86031 ￥0.9559
2470+
￥0.78741 ￥0.8749
6500+
￥0.74358 ￥0.8262

有货

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型号：FOD817C3SD 编号：C241831

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.5014
50+
￥1.1881
150+
￥1.0538
1000+
￥0.8714
2000+
￥0.7968
5000+
￥0.752

有货

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型号：MOC3061 编号：C115472

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

由砷化镓红外发光二极管与单片硅探测器光耦合组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于逻辑系统与由115/240 Vac线路供电的设备之间的接口，与可控硅配合使用。简化了115/240 Vac电源的逻辑控制。

数据手册

5+
￥1.6914
50+
￥1.3697
130+
￥1.1001
520+
￥0.9281

有货

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型号：6N135-L 编号：C571210

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6N136 - L由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。光电耦合器偏置连接通过减小基极 - 集电极电容，提高了传统光电晶体管耦合器的速度

数据手册

1+
￥2.85
10+
￥2.28
50+
￥2.04
100+
￥1.74
500+
￥1.61

有货

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型号：MOC8050M 编号：C97210

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

数据手册

1+
￥3.21
10+
￥2.56
50+
￥2.28
100+
￥1.93
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

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型号：AT4506-CuH-D 编号：C32710532

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT4506 包含一个 GaAsP LED，它被光学耦合到一个集成的高增益光电探测器。芯片上的 20KΩ输出上拉电阻可以通过短接输出引脚 6 和 7 来启用，因此在常见的 IPM 应用中不需要外部上拉电阻。广泛应用于：IPM 隔离、隔离 IGBT/MOSFET 门驱动器、交流和直流无刷直流电机驱动器、工业逆变器。

1+
￥4.869 ￥5.41
10+
￥3.951 ￥4.39
45+
￥3.42 ￥3.8
90+
￥2.961 ￥3.29
495+
￥2.682 ￥2.98
990+
￥2.547 ￥2.83

有货

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型号：TLP351(F) 编号：C150126

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

数据手册

1+
￥5.03
10+
￥4.01
50+
￥3.5
100+
￥3
500+
￥2.7
1000+
￥2.54

有货

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型号：GAQW212G2E 编号：C7435150

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗 EMI 或 RF。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥7.21
10+
￥6.58
50+
￥6.23
100+
￥5.84
500+
￥5.67
1000+
￥5.59

有货

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型号：FOD3150 编号：C899246

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。

数据手册

1+
￥7.9
10+
￥6.79
50+
￥5.23
100+
￥4.54
500+
￥4.24
1000+
￥4.1

有货

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型号：LT538 编号：C33962509

封装：DIP-8

品牌：Letex(丽太)

LT538是一款8引脚DIP封装的2-Form A固态继电器，采用光耦合MOSFET技术，提供3750V/5000V的输入到输出隔离。光耦合输入由高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOS FET。

1+
￥9.6627 ￥10.39
10+
￥8.8815 ￥9.55
45+
￥8.3886 ￥9.02
90+
￥7.8864 ￥8.48
495+
￥7.6632 ￥8.24
990+
￥7.5609 ￥8.13

有货

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型号：4N46-300E 编号：C39556289

封装：DIP-6-300mil

品牌：Broadcom(博通)

4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管，该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。由于集成了发射极 - 基极旁路电阻，该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流，并将多余的基极驱动电流泄放到地，因此在不同温度下都能实现出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比，第二级基极可外接，从而具备更好的抗噪能力。可以在基极添加外部电阻或电容，以进行增益带宽或输入电流阈值调整。基极引脚也可用于反馈。

1+
￥9.78
10+
￥8.9
50+
￥8.35
100+
￥7.6342 ￥7.79
500+
￥7.3892 ￥7.54
1000+
￥7.2716 ￥7.42

有货

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型号：HCPL2630M 编号：C899519

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

数据手册

1+
￥10.15
10+
￥8.64
50+
￥7.1
100+
￥6.13
500+
￥5.69
1000+
￥5.51

有货

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型号：H11D1 编号：C5334388

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

采用GaAs红外发光二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用塑料DIP-6封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

数据手册

1+
￥10.23
10+
￥8.46
50+
￥7.5
100+
￥6.144 ￥6.4
500+
￥5.6736 ￥5.91
1000+
￥5.4624 ￥5.69

有货

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型号：GAQV252GAE 编号：C52177856

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO) 光MOS继电器，负载电压:60V 连续负载电流:3.5A

1+
￥11.06
10+
￥9.41
50+
￥8.37
100+
￥7.31

有货

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型号：MID400M 编号：C5207629

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

是一种光隔离交流线路到逻辑接口设备，采用8引脚塑料双列直插式封装。交流线路电压由两个与外部电阻串联的背对背砷化镓发光二极管监测。高增益检测电路感应发光二极管电流，并将输出门驱动到逻辑低电平状态。专为用作交流线路监测器而设计，推荐用于任何需要出色的光隔离、固态可靠性、TTL兼容性、小尺寸、低功耗和低频操作的交直流控制应用。

数据手册

1+
￥12.21 ￥20.35
10+
￥10.416 ￥17.36
50+
￥9.3 ￥15.5
100+
￥8.148 ￥13.58
500+
￥7.632 ￥12.72
1000+
￥7.41 ￥12.35

有货

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型号：GAQV211G4AE 编号：C52177846

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:40V 连续负载电流:4.5A

1+
￥13.07
10+
￥11.11
50+
￥9.89
100+
￥8.63

有货

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型号：AQW212 编号：C1525247

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

1+
￥25.26
10+
￥21.64
30+
￥19.49
100+
￥17.32

有货

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型号：LBB110 编号：C6285878

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

是双常闭 (1-Form-B) 固态继电器，在 8 引脚 SOIC 封装中具有两个独立控制的光耦合 MOSFET 开关，采用光耦合 MOSFET 技术，可提供 3750Vrms 的输入到输出隔离。其光耦合输出采用获得专利的 OptoMOS 架构，由高效红外 LED 控制。双单极 OptoMOS 继电器在各种应用中，通过将两个继电器集成在一个 8 引脚封装中，比分立单极继电器提供更紧凑的设计解决方案。