DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：6N137M 编号：C20612600

封装：DIP-8

6N137M 光耦合器由一个 850nm 的 AlGaAS LED 组成，其光学耦合到一个非常高速的集成光电探测器逻辑门，可快速输出。广泛应用于：接地回路消除、LSTTL 转 TTL, LSTTL 或 5V CMOS、线路接收器、数据传输、开关电源、计算机外围接口。

5+
￥1.828275 ￥1.9245
50+
￥1.445235 ￥1.5213
160+
￥1.281075 ￥1.3485
480+
￥1.076255 ￥1.1329
2480+
￥0.985055 ￥1.0369
5000+
￥0.93024 ￥0.9792

有货

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型号：ATH11L1-CuH-D 编号：C20612621

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

ATH11L1是由一个GaAs红外发射二极管和一个高速集成电路检测器组成。输出检波器内置施密特触发器，为抗噪和脉冲整形提供迟滞。高数据速率，典型频率为2MHZ；紧凑型双列直插式封装；广泛应用于：逻辑隔离器、可编程电流电

5+
￥1.8612
50+
￥1.4832
130+
￥1.3212
520+
￥1.1191
2470+
￥1.0291
5005+
￥0.975

有货

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型号：TIL117M 编号：C13705

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8100、TIL111 和 TIL117 光耦合器在 6 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

1+
￥2.35
10+
￥1.85
50+
￥1.54
100+
￥1.27
500+
￥1.15
1000+
￥1.08

有货

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型号：TIL113M 编号：C29407

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

数据手册

1+
￥2.72
10+
￥2.11
50+
￥1.85
100+
￥1.52
500+
￥1.38
1000+
￥1.29

有货

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型号：6N139 编号：C2904409

封装：DIP-8

品牌：Slkor(萨科微)

6N138/6N139由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了传统光电晶体管耦合器的速度

数据手册

1+
￥3.04
10+
￥2.49
45+
￥2.18
90+
￥1.88
495+
￥1.75
990+
￥1.67

有货

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型号：MOC3022M 编号：C8917

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

数据手册

1+
￥3.09
10+
￥2.41
50+
￥2.06
100+
￥1.7
500+
￥1.54
1000+
￥1.44

有货

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型号：AT3120-CuH-D 编号：C41367997

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT3120 是一种输出电流为 2.5A 的栅极驱动光电耦合器，具有一个砷化铝镓（ AlGaAs）的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：不间断电源、IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动、感应加热、工业逆变器等。

1+
￥3.6765 ￥3.87
10+
￥2.983 ￥3.14
45+
￥2.6315 ￥2.77
90+
￥2.2895 ￥2.41
495+
￥2.0805 ￥2.19
990+
￥1.976 ￥2.08

有货

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型号：GAQY212GE 编号：C7435142

封装：DIP4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥4.22
10+
￥3.4
30+
￥2.99
100+
￥2.58
500+
￥2.33
1000+
￥2.21

有货

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型号：GAQY412E 编号：C7435145

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳、无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥9.57
10+
￥7.91
30+
￥7.01
100+
￥5.98
500+
￥5.52
1000+
￥5.31

有货

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型号：LT538 编号：C33962509

封装：DIP-8

品牌：Letex(丽太)

LT538是一款8引脚DIP封装的2-Form A固态继电器，采用光耦合MOSFET技术，提供3750V/5000V的输入到输出隔离。光耦合输入由高效的GaAlAs红外LED控制，输出端采用MOS FET。

1+
￥9.6627 ￥10.39
10+
￥8.8815 ￥9.55
45+
￥8.3886 ￥9.02
90+
￥7.8864 ￥8.48
495+
￥7.6632 ￥8.24
990+
￥7.5609 ￥8.13

有货

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型号：HCPL2630M 编号：C899519

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

数据手册

1+
￥10.33
10+
￥8.57
50+
￥7.03
100+
￥5.93
500+
￥5.45
1000+
￥5.23

有货

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型号：HCPL-4503-500E 编号：C17455215

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。