DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-6

可控硅输出光耦是一种实现电-光-电信号转换与电气隔离的关键元件，广泛应用于各类电子设备中。该器件采用双向可控硅结构，支持最大正向工作电流50mA，适用于多种负载控制场合。其正向压降为1.2V，有助于降低发热并提升系统能效。输入与输出端之间提供高达5kVrms的隔离电压，有效保障电路安全与抗干扰性能。此类光耦常用于通信模块、家电控制板及电源管理系统中，在实现精准控制的同时完成高压隔离，提升整体系统的稳定性和可靠性。

5+
￥1.2031
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￥0.9511
130+
￥0.8431
520+
￥0.7084

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型号：HL3053 编号：C48783752

封装：DIP-6

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

可控硅输出光耦是一种用于实现电气隔离与信号传输的光电耦合器件，适用于多种电子设备中的开关控制应用。该器件内部采用双向可控硅结构，可承受最大正向电流为50mA，具备良好的负载驱动能力。其正向压降为1.2V，有助于降低功耗并提升能效。器件支持高达5kVrms的隔离电压，确保输入与输出之间具备优异的电气隔离性能，保障系统安全性。此类光耦常用于通信设备、家用电器及自动化控制电路中，在复杂电磁环境下提供稳定可靠的信号传递与隔离保护。

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￥1.32582 ￥1.3956
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￥1.048135 ￥1.1033
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￥0.9291 ￥0.978
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￥0.780615 ￥0.8217
2470+
￥0.714495 ￥0.7521
6500+
￥0.674785 ￥0.7103

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型号：MOC3063M-A 编号：C42463259

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

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￥1.3308
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￥1.0275
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￥0.8976
1040+
￥0.7354
2080+
￥0.6632

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型号：MOC3052 编号：C115470

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小600V。高关态电压临界上升率 (dV/dt：最小1000V/μs)。应用：AC电机驱动器。 AC电机启动器

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￥1.3512
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￥1.0907
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￥0.9058

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型号：FOD817C300 编号：C124472

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

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￥1.4291
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￥1.1416
200+
￥0.8682
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￥0.7144
2000+
￥0.646
4000+
￥0.6049

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型号：MOC3081M 编号：C20612617

封装：DIP-6

品牌：AOTE(奥特)

MOC3081M是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器。

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￥1.615612 ￥1.7561
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￥1.277144 ￥1.3882
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￥1.13206 ￥1.2305
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￥0.951004 ￥1.0337
2500+
￥0.870412 ￥0.9461
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￥0.822112 ￥0.8936

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型号：HT-6N137 编号：C34376254

封装：DIP-8

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:10Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

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￥1.7288
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￥1.2003
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￥0.9996
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￥0.8566

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型号：6N139 编号：C2904409

封装：DIP-8

品牌：Slkor(萨科微)

6N138/6N139由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了传统光电晶体管耦合器的速度

数据手册

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￥2.66
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￥2.1
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￥1.79
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￥1.5
495+
￥1.37
990+
￥1.29

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型号：TIL113M 编号：C29407

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

数据手册

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￥2.99
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￥2.32
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￥2.03
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￥1.67
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￥1.51
1000+
￥1.42

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型号：KAQY214 编号：C136415

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

KAQY214系列性能稳定，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用镓铝砷（GaAlAs）发光二极管进行驱动控制，并使用集成单片管芯作为开关输出

数据手册

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￥3.44
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￥2.74
30+
￥2.4
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￥2.05
500+
￥1.85
1000+
￥1.74

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型号：MOC3043M 编号：C80489

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥4.12
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￥3.31
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￥2.76
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￥2.36
500+
￥2.12
1000+
￥2

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型号：GAQY212GE 编号：C7435142

封装：DIP4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥4.22
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￥3.4
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￥2.99
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￥2.58
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￥2.33
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￥2.21

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型号：AQH2223 编号：C128520

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

小型DIP型、对应AC负载的可控硅输出光电耦合器。

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1+
￥4.81
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￥4.12
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￥3.77
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￥3.12

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型号：6N136-500E 编号：C691904

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

数据手册

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￥5.38
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￥4.38
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￥3.88
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￥3.3124 ￥3.38
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￥2.6068 ￥2.66
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￥2.4598 ￥2.51

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型号：AT222-CuH-D 编号：C22390116

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT222光电继电器由光MOSFET、光电电压发生器和红外LED组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。采用8引脚封装（DIP、SMD）。广泛应用于：通讯产品、 调制解调器/传感器备、移动电话/安全设备、自动化设备、测量仪器、高速检测机。

1+
￥7.353 ￥7.74
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￥6.7545 ￥7.11
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￥6.384 ￥6.72
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￥6.004 ￥6.32
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￥5.8235 ￥6.13
990+
￥5.7475 ￥6.05

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型号：TLP525G-2(F) 编号：C141569

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光控三端双向可控硅组成。TLP525G-2 在八引脚塑料双列直插式封装中提供两个隔离通道，而 TLP525G-4 在十六引脚塑料双列直插式封装中提供四个隔离通道。

数据手册

1+
￥7.46
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￥6.25
50+
￥5.59
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￥4.84
500+
￥4.51

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型号：FOD3180 编号：C899257

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

1+
￥9.027 ￥20.06
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￥6.6885 ￥19.11
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￥4.635 ￥18.54
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￥4.4925 ￥17.97
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￥4.425 ￥17.7
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￥4.3975 ￥17.59

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型号：GAQY412E 编号：C7435145

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳、无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

1+
￥9.57
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￥7.91
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￥7.01
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￥5.98
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￥5.52
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￥5.31

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型号：HCPL2630M 编号：C899519

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

数据手册

1+
￥10.15
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￥8.64
50+
￥7.1
100+
￥6.13
500+
￥5.69
1000+
￥5.51

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型号：TLP250(F) 编号：C4078

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAlAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用8引脚DIP封装，适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路。

数据手册

1+
￥15.82
10+
￥13.32
50+
￥11.76
100+
￥10.15

有货

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型号：HCPL-2232-000E 编号：C545698

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门。HCPL22XX 和 HCPL-02XX 包含 GaAsP LED，而 HCNW22XX 包含 AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级，以提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。 HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232 和 HCNW2211 上的优质内部屏蔽保证了在 1000V 共模电压下 10kV/μs 的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥24.76
10+
￥21.43
50+
￥19.46
100+
￥17.46

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型号：CPC1215G 编号：C5972751

封装：DIP-4

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥28
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￥24.12
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￥21.81
100+
￥19.47

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型号：AQV254 编号：C719634

封装：DIP-6

品牌：PANASONIC(松下)

特性：负载电压有40V、60V、100V、200V、250V、400V、600V、1000V和1500V多种选择。典型导通电阻为0.6Ω（AQV251）。具备5000Vrms的加强绝缘型输入输出隔离。应用：测量仪器。数据通信设备

数据手册

1+
￥33.91
10+
￥30.37
50+
￥25.55

有货

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型号：HCPL-7710-500E 编号：C6570033

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

1+
￥35.12
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￥29.83
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￥26.68
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￥23.0202 ￥23.49
500+
￥21.5796 ￥22.02
1000+
￥20.9328 ￥21.36

有货

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型号：6N140A/883B 编号：C39318318

封装：DIP-16

品牌：Broadcom(博通)

这些是单通道、双通道和四通道的密封光耦合器。既可以作为商业产品购买，也可以通过完整的MIL-PRF-38534 H级或K级测试购买，或从适当的DLA标准微电路图纸（SMD）购买。所有器件均在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试，H级和K级器件包含在DLA混合微电路合格制造商列表QML-38534中。每个通道包含一个与集成高增益光子探测器光耦合的GaAsP发光二极管

1+
￥668.82
36+
￥612.275 ￥644.5

有货

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型号：FOC-817D 编号：C7464736

封装：DIP-4

品牌：国星光电

直插式铜支架，电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V

10+
￥0.1754
100+
￥0.1715
300+
￥0.1625
1000+
￥0.1598

有货

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型号：PC817B-HXY 编号：C22396740

封装：DIP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款直流输入光耦合器，采用先进的光电三极管输出技术，正向电压低至1.2V，显著提升了能效。50mA的大电流输出能力，确保信号传递快速且稳定，是隔离电路设计、信号调制及电平转换应用的理想选择。广泛适用于家电、办公自动化及消费电子等领域，为您的设备提供安全可靠的信号传输方案。

20+
￥0.178776 ￥0.2292
200+
￥0.141336 ￥0.1812
600+
￥0.122616 ￥0.1572
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￥0.108576 ￥0.1392
10000+
￥0.097344 ￥0.1248
20000+
￥0.09165 ￥0.1175

有货

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型号：PC814X1CSZ9F-HXY 编号：C52260338

封装：DIP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶体管输出光耦采用直流输入，输出端为光电三极管结构，具备良好的信号转换能力。其正向压降典型值为1.2V，适用于低功耗电路设计。最大输出电流可达50mA，可满足多种负载驱动需求。电流传输比（CTR）范围宽，达到20%至300%，确保在不同工作条件下均有稳定响应。器件通过光信号实现输入与输出间的电气隔离，常用于电源管理、通信接口隔离、信号电平转换及噪声抑制等场景，是实现电路间安全信号传输的关键元件。