3528光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：LTV-356T-D 编号：C94651

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%。高输入输出隔离电压（Viso = 3,750Vrms）。高集电极发射极电压（VCEO = 80V）。应用：需要高密度安装的混合基板

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￥0.5823
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￥0.4737
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￥0.4194
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￥0.3786
3000+
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￥0.2736

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型号：PS2701-1-L 编号：C4944983

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

PS2701是一款小型贴片光电耦合器件，适用于表面贴装生产。PS2701是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装（DIP）更小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器

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￥0.6036
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￥0.4126
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￥0.3648
3000+
￥0.2893
6000+
￥0.2702

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型号：NTD3528R2 编号：C7464746

封装：SMD3528-2P

品牌：国星光电

光通：6~10Lm；应用：机械设备的指示系统、检测设备及植物光照。

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￥0.7238
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￥0.4327
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￥0.3628

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型号：MPCM3053(T1)-GV 编号：C17701955

封装：SOP-4

品牌：MP(美禄科技)

光耦光耦：控制可控硅触发，电吹风发热控制，低触发电流：≤5mA，可直接替代：M3052(触发电流≤10mA)，该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载。

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￥0.5345
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￥0.3957

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型号：LTV-817S-TA1 编号：C125121

封装：SMD-4P

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：最小50%（IF = 5mA，VCE = 5V）。高输入输出隔离电压（Viso = 5000Vrms）。响应时间（tr）：典型值4μs（VCE = 2V，IC = 2mA，RL = 100Ω）。应用：要求高密度安装的混合基板

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￥0.454
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￥0.4294

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型号：TLP291(GRL-TP,SE 编号：C248929

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP291(SE)由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP291(SE)采用SO4封装，是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至110°C）和较高的隔离电压（3750Vrms），因此适用于高密度表面贴装应用，如小型开关电源和可编程控制器

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￥1.2161
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￥0.5743
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型号：CA45-B6R3M107T 编号：C127945

封装：CASE-B-3528-19(mm)

品牌：湘怡中元/湘江

特性：环氧树脂模压封装,片状,易于集成,有极性。尺寸小,重量轻,电性能和存储性能稳定,长工作寿命,高可靠性。执行标准:QJ/PWV109 2003

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￥1.3058
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型号：CNY17-3S(TA) 编号：C4749151

封装：SMD-6P

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：MOC3052 编号：C115470

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP光耦合器，三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小600V。高关态电压临界上升率 (dV/dt：最小1000V/μs)。应用：AC电机驱动器。 AC电机启动器

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型号：EL3081 编号：C115479

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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￥1.4379
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型号：ELM3053(TA 编号：C5373086

封装：SOP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：TLP182(GB-TPL,E 编号：C96457

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP182是一款低交流输入型光电耦合器，采用SO6封装，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管光耦合而成。由于TLP182保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：CA45A-B-10V-100UF-K 编号：C2976906

封装：CASE-B-3528-19(mm)

品牌：CEC(振华新云)

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型号：CA45-B6R3K227T 编号：C122649

封装：CASE-B-3528-19(mm)

品牌：湘怡中元/湘江

工业级

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型号：PS2801-1-F3 编号：C133880

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2801 - 1和PS2801 - 4是光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

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型号：SFH6156-3T 编号：C118293

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。该耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料贴片封装。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

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型号：6N136 编号：C500386

封装：DIP-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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型号：TLP267J(TPL,E 编号：C393892

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个非过零光控可控硅和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证爬电距离最小为5.0mm，电气间隙最小为5.0mm，内部隔离厚度最小为0.4mm。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP2398(TPL,E 编号：C5370545

封装：SOIC-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP2398由两个GaAℓAs发光二极管与一个高增益、高速光电探测器耦合而成。它采用SO6封装。由于采用两个LED反并联结构，因此它可以处理灌电流和拉电流输入信号

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￥3.43
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￥2.81
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型号：GAQY221R2S 编号：C22385176

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥3.48
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￥1.82

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型号：MOC3063M 编号：C8920

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥4.21
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￥3.48
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￥2.97
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￥2.61
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￥2.39
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￥2.28

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型号：GAQY210EH 编号：C7435126

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳切换。更高的速度和高频切换。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥4.43
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￥2.28

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型号：ACPL-W340-500E 编号：C60056

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

IGBT驱动光耦-1A-SO6(ROHS)

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￥5.16
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￥4.16
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￥3.66
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￥3.16
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￥2.75
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￥2.6

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型号：EL440AS1(TU)-G 编号：C3013780

封装：SMD-4P

品牌：EVERLIGHT(亿光)

单通道, 60至600V输出耐受电压, Viso: 5,000Vrms, 工作温度范围: -40℃至85℃

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￥5.39
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￥4.46
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￥3.99
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￥3.53
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￥2.92
1000+
￥2.77

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型号：AT176-CuH-S 编号：C42371484

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT176 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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￥5.51
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￥4.47
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￥3.95
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￥3.43
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￥3.12
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￥2.96

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型号：TLP350(F) 编号：C50232

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光电耦合器，由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽，可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

数据手册

1+
￥6.76
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￥5.68
50+
￥4.31
100+
￥3.64
500+
￥3.34
1000+
￥3.2

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型号：HCPL0601R2 编号：C411208

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

数据手册

1+
￥6.77
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￥5.53
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￥4.9
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￥4.28
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￥3.26
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￥3.07

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型号：TLP250H(TP1,F) 编号：C3002258

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器，由一个 GaAℓAs 红外发光二极管（LED）和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层，可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度

数据手册

1+
￥7.29
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￥6
30+
￥5.29
100+
￥4.48
500+
￥4.13
1500+
￥3.96

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型号：TLP176AM(TPL,E 编号：C5370540

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP176AM由一个红外LED和一个光MOSFET组成，封装在4引脚SO6中。该光电继电器的输出电流额定值高于光电晶体管型光耦合器，适用于高电流的开/关控制。它是无卤素的，工作温度范围可达110℃（最大）。该器件通常处于断开状态（1-Form-A），关断状态输出端电压为60 V（最小），触发LED电流为3 mA（最大），导通状态电流为700 mA（最大）。导通状态电阻为2 Ω（最大），隔离电压为3750 Vrms（最小）。TLP176AM通过了UL 1577、cUL、UL 508认证，并且符合VDE批准的EN 60747-5-5标准。它适用于安全系统、工厂自动化、测量仪器、电池管理系统（非汽车）、可编程逻辑控制器（PLC）以及机械继电器替换等应用。

数据手册

1+
￥7.5
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￥6.17
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￥5.43
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￥4.61
500+
￥4.24
1000+
￥4.08

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型号：BCY215S 编号：C5348922

封装：SOP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

数据手册

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￥7.76
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￥6.45
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￥5.72
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￥5.2
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￥4.84
1000+
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