3528光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HT-1019-TP1 编号：C34376211

封装：LSOP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

晶体管光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型：直流晶体管，输出电流：50mA，隔离电压：5KV.

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￥0.34443 ￥0.3827
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￥0.27549 ￥0.3061
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￥0.24093 ￥0.2677
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￥0.19008 ￥0.2112
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￥0.17973 ￥0.1997

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型号：MOC3023SR2M 编号：C40701

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

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￥3.46
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￥2.82
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￥2.55
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￥2.2
500+
￥1.59
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￥1.49

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型号：BC2223A 编号：C596513

封装：SMD-7P

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：50mA(MAX)，漏电流：100uA(MAX)，主要应用：家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等

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￥3.781 ￥3.98
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￥3.04 ￥3.2
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￥2.3085 ￥2.43
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￥2.1185 ￥2.23
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￥2.0045 ￥2.11

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型号：MOC3052SR2M 编号：C19864

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥4.44
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￥3.76
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￥3.41
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￥3.08
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￥2.06
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￥1.95

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型号：PS2801C-4-F3-A 编号：C74385

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这些产品为光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中集成了一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用，具备出色的性价比。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

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￥4.98
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￥4.1
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￥3.66
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￥3.23
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￥2.85
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￥2.72

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型号：ACPL-W340-500E 编号：C60056

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

IGBT驱动光耦-1A-SO6(ROHS)

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￥5.04
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￥3.54
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￥3.05
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￥2.64
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￥2.48

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型号：GTLP3555 编号：C19271984

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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￥5.48
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￥4.4
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￥3.86
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￥3.33
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￥3.01
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￥2.84

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型号：ACPL-T350-500E 编号：C37389

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED通过光学方式耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。

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￥5.97
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￥4.81
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￥4.23
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￥3.66
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￥3.13

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型号：TLP627(TP1,F) 编号：C30336

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接的光电晶体管光耦合而成，该光电晶体管带有一个集成基极 - 发射极电阻，用于优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料DIP封装，提供两个隔离通道，而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。

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￥6.49
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￥5.41
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￥4.82
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￥4.15
500+
￥3.39
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￥3.25

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型号：GAQW214E 编号：C7435148

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥6.58
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￥5.36
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￥4.6
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￥3.99
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￥3.63
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￥3.44

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型号：TLP350H(TP1,F) 编号：C261928

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款DIP8封装的光耦合器，由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥7.17
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￥5.88
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￥5.23
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￥4.59
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￥3.67
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￥3.47

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型号：HCPL-0630-500E 编号：C20027

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

6N137、HCPL - 26xx/06xx/4661、HCNW137/26x1 是光耦合门，其将 GaAsP 发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。使能输入可对探测器进行选通。探测器集成电路的输出是集电极开路的肖特基钳位晶体管

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￥8.27
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￥6.79
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￥5.98
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￥4.9588 ￥5.06
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￥4.5668 ￥4.66
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￥4.3806 ￥4.47

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型号：ACPL-024L-500E 编号：C691920

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M21L（单通道SO-5封装）、ACPL-021L（单通道SO-8封装）、ACPL-024L（双通道SO-8封装）、ACPL-W21L（单通道拉伸SO-6封装）和ACPL-K24L（双通道拉伸SO-8封装）是光耦合逻辑门。探测器IC具有CMOS输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。 ACPL-M21L/021L/024L/W21L/K24L上的内部屏蔽保证了在1000V共模电压下25 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥10.33
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￥8.73
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￥7.73
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￥6.5758 ￥6.71
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￥6.125 ￥6.25
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￥5.9192 ￥6.04

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型号：GAQV215G1EH 编号：C19188587

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电压电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥11.57
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￥9.76
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￥8.63
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￥7.29
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￥6.77
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￥6.54

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型号：HCPL-0710-500E 编号：C188706

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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￥14.23
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￥12.2
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￥10.93
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￥9.62
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￥9.03
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￥8.78

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型号：TLP521-4(GB,F) 编号：C2848504

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。TLP521-2 在八引脚塑料 DIP 封装中提供两个隔离通道，而 TLP521-4 在十六引脚塑料 DIP 封装中提供四个隔离通道。

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￥16.6
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￥14.25
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￥11.69
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￥10.18
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￥9.5
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￥9.2

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型号：QCPL-A58JV-500E 编号：C3010671

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

是一款用于汽车应用的高压光电MOSFET，由AIGaAs红外发光二极管（LED）输入级与高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。光电MOSFET在通过输入LED的最小输入电流为7 mA时开启（触点闭合），在输入电压为0.4V或更低时关闭（触点断开）。提供增强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，适用于汽车和高温工业应用。采用16引脚SOIC封装。

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