3528光耦_厂家_价格_品牌_库存

特性：电流传输比(CTR)：在IF = 5mA、VCE = 5V时，最小值为50%。高输入输出隔离电压(Viso = 5000Vrms)。响应时间(tr)：在VCE = 2V、Ic = 2mA、RL = 100Ω时，典型值为4μs。双列直插封装：单通道、双通道、四通道类型。宽引脚间距封装：单通道、双通道、四通道类型。表面贴装封装：单通道、双通道、四通道类型。卷带包装：单通道、双通道类型。安全认证：UL / CSA / FIMKO / NEMKO / DEMKO / SEMKO / VDE认证。符合RoHS标准

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型号：HCPL-181-00DE 编号：C188708

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

光敏晶体管光电耦合器

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型号：LTV-5314-TP1 编号：C2944034

封装：SMD-5P

适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。光电耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +110℃ 的温度范围内得到保证。

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型号：TCMT1100 编号：C118298

封装：SOP-4-1.27mm

TCMT110系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上，为满足最高安全要求，在输入和输出之间提供固定距离。

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型号：GAQY210EH 编号：C7435126

封装：SMD-4P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳切换。更高的速度和高频切换。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：H11L1SR2M 编号：C20082

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：LTV-5480-TP1 编号：C2944037

封装：SOP-5-300mil

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型号：LTV-244-GB-G 编号：C5143796

封装：SMD-16P

特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA、VCE = 5V时，最小为20%。高输入输出隔离电压：(viso = 3,750Vms)。采用双传输模塑技术。 UL1577、VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5)、CSA CA5A、FIMKO认证。 RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（No.2002/95/EC）。 ESD通过HBM 6000V/MM2000V。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

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型号：TCMD1000 编号：C143718

封装：SOP-4-1.27mm

由光电达林顿管与砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚或16引脚迷你扁平封装。元件在输入和输出之间提供固定距离，以满足最高安全要求。

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型号：TLP2361(V4-TPL,E 编号：C123773

封装：SOIC-5-4.6mm

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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型号：TLP627M(TP1,E 编号：C39286670

封装：SMD-4P

TLP627M是一款光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电达林顿晶体管光耦合而成。它采用4引脚DIP封装，具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间的击穿电压较高，TLP627M适用于可编程控制器的100 V直流输出模块等应用

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型号：GAQY212GEH 编号：C19188659

封装：SMD-4P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：LTV-5341-TP1 编号：C2944035

封装：SOP-5-300mil

LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证

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型号：T521B226M025ATE100 编号：C696813

封装：CASE-B-3528-19(mm)

品牌：KEMET(基美)

有机电容器(KO CAP)是一种固体电解电容器,具有导电聚合物阴极,能够在高频下实现极低的等效串联电阻(ESR)和改善的电容保持率。KO CAP将多层陶瓷的低ESR、铝电解质的高电容和钽的体积效率结合在一个表面贴装封装中。与基于液体电解质的电容器不同,KO CAP具有很长的使用寿命和高纹波电流能力。适用于高达48伏直流电压轨的通用直流应用。

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型号：AT174-CuH-S 编号：C20624243

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT174光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。广泛应用于：通讯产品（移动电话、电脑、笔记本电脑）、测量设备、工厂自动化设备、高速检验机器等。

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型号：AT176-CuH-S 编号：C42371484

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT176 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：ILD206T 编号：C144955

封装：SO-8

光电耦合器, 三极管输出, 双通道

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型号：GAQY214EH 编号：C7435128

封装：SMD-4P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：ISOM8600DFGR 编号：C41368623

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM8600 是一款具有光耦仿真器输入的 80V 单极常开开关。光耦仿真器输入可控制背对背 MOSFET，在次级侧无需使用任何电源。该器件是许多传统光耦合器的引脚兼容、可直接替换器件，无需重新设计 PCB 即可增强业界通用封装。

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型号：TLP5754(D4-TP,E 编号：C843785

封装：SO-6L-300mil

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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型号：ILD213T 编号：C435834

封装：SOIC-8

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

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型号：TLP124(BV-TPR,F) 编号：C99475

封装：SOP-4-2.54mm

东芝小型扁平耦合器TLP124是一种小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

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型号：GAQW216EH 编号：C7435161

封装：SMD-8P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥6.68
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型号：TLP3122A(TPL,E 编号：C4153843

封装：SOP-4

隔离电压:3750Vrms 导通电流:1.4A off状态输出端电压:60V

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型号：HCPL-2630-000E 编号：C28575

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥8.29
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￥7.16
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￥6.14
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型号：HCPL-2630-500E 编号：C545699

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40℃至+85℃范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥6.31
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型号：GAQV252G2EH 编号：C7435169

封装：SMD-6P