3528光耦_厂家_价格_品牌_库存

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型号：FOD817A3SD 编号：C128788

封装：SMD-4P

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：LTV-3063 编号：C571216

封装：SOP-4-175mil

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：3750Vrms。 4 引脚 MFP 过零光耦三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压 VDRM：最小值 600V。应用：电机控制

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型号：ELM3023(TA) 编号：C7272557

封装：SOP-4

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型号：TCLT1009 编号：C73498

封装：SOP-4-2.54mm

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用4引脚SOP4L封装。

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型号：TLP265J(TPL,E 编号：C5798515

封装：SOIC-4-175mil

由一个非过零光控双向可控硅和一个红外发光二极管光耦合组成。采用SO6封装，保证了最小5.0mm的爬电距离、最小5.0mm的电气间隙和最小0.4mm的绝缘厚度。因此，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：CA45-B-25V-10uF-K 编号：C503897

封装：CASE-B-3528-19(mm)

品牌：TORCH(火炬)

应用：工作频率较高和存在浪涌的低阻抗电路。脉冲充放电电路

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型号：EL0601(TA) 编号：C2992671

封装：ESOP-8

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型号：OR-406AS-TP 编号：C3031116

封装：SMD-4P

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 406A、OR - 425A、OR - 440A 和 OR - 460A 是固态继电器，其发光侧（输入侧）包含铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管，并通过光耦合连接至高压输出检测电路。该检测电路由输出侧的光伏二极管阵列和 MOSFET 组成。单通道配置等同于 1 型 AEMR

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型号：AT212-CuH-S 编号：C41399198

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT212光电继电器由光MOSFET、光电电压发生器和红外LED组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。采用4引脚封装（DIP、SMD、DIP-M、SLM）。广泛应用于：通讯产品、调制解调器/传感器备、移动电话/安全设备、自动化设备、测量仪器、高速检测机。

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型号：LTV-155E 编号：C2916312

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 155E光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。1.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200 V/50 A的IGBT

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型号：HCPL-181-000E 编号：C692017

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 181包含一个发光二极管和一个光晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚迷你扁平SMD封装，封装高度为2.0 mm。

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型号：MOC3020M 编号：C86911

封装：DIP-6

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：ELM453(TA) 编号：C42384986

封装：SOP-5

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型号：SFH6106-3T 编号：C118291

封装：SMD-4P

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。规格可能会有所变化。

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型号：HTV-214-S1TP1 编号：C34376242

封装：SMD-4P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：120mA，耐压：400V,RON:15欧姆，隔离电压：5KV.

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型号：H11L1M 编号：C16587

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：MOC3023SR2M 编号：C40701

封装：SMD-6P

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

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型号：LTV-5314-TP1 编号：C2944034

封装：SMD-5P

品牌：LITEON(光宝)

适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。光电耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +110℃ 的温度范围内得到保证。

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型号：ELM460A(TA)(BMS)-VG 编号：C41381189

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

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型号：ELM453(TA)-V 编号：C110223

封装：SOP-5-4.4mm

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型号：TLP104(TPL,E 编号：C48236

封装：SOIC-5-4.6mm

由GaAtAs红外发光二极管和集成高增益、高速光电探测器组成，采用SO6封装，输出级为集电极开路类型。光电探测器具有内部法拉第屏蔽，保证了±15kV/μs的共模瞬态抗扰度，保证了传播延迟时间、开关速度分散性的最小和最大值以及高共模瞬态抗扰度，适用于电机控制应用中IPM（智能功率模块）之间的隔离接口。

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￥4.69
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型号：FOD8342TR2 编号：C132695

封装：SOP-6-6.8mm

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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型号：ACPL-W314-500E 编号：C194137

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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型号：TLP124(BV-TPR,F) 编号：C99475

封装：SOP-4-2.54mm

东芝小型扁平耦合器TLP124是一种小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压：80 V（最小值）

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型号：ILD213T 编号：C435834

封装：SOIC-8

ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装，非常适合空间有限的高密度应用

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型号：TLP292-4(GB-TP,E 编号：C95713

封装：SOP-16-4.4mm

TLP292 4由光电晶体管组成，这些光电晶体管与两个反向并联的InGaAs红外发光二极管进行光耦合，可通过交流输入电流直接工作。TLP292 4采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于TLP292 4保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C以及较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥3.33

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型号：HCPL-3120-000E 编号：C14970

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

IGBT栅极驱动光耦

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￥3.83
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型号：AQY210SXE04 编号：C3027212

封装：SMD

品牌：PANASONIC(松下)

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￥3.64

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型号：ILD217T 编号：C145010

封装：SO-8