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首页 > 热门关键词 > 3528光耦
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符合条件商品:共22261
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二极管导通电流:50mA(MAX),漏电流:100uA(MAX),主要应用:家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等
数据手册
  • 1+

    ¥4.56 ¥4.8
  • 10+

    ¥3.6575 ¥3.85
  • 30+

    ¥3.2015 ¥3.37
  • 100+

    ¥2.755 ¥2.9
  • 500+

    ¥2.584 ¥2.72
  • 1000+

    ¥2.451 ¥2.58
  • 有货
  • TLP292 是一款高隔离、交流输入型低电平光耦合器,在 SO4 封装中,由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷(InGaAs)红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55 至 125 °C),因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5077
    • 50+

      ¥1.1953
    • 150+

      ¥1.0613
    • 500+

      ¥0.8942
    • 2500+

      ¥0.7762
    • 5000+

      ¥0.7315
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。此外,它还具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥2.85
    • 10+

      ¥2.51
    • 30+

      ¥2.35
    • 100+

      ¥2.18
    • 500+

      ¥2.08
    • 1500+

      ¥2.02
  • 有货
  • LTV - 0601由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出端之间提供了出色的交流和直流隔离。光检测器的输出采用集电极开路的肖特基钳位晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.1
    • 10+

      ¥2.8
    • 30+

      ¥2.65
    • 100+

      ¥2.5
    • 500+

      ¥2.12
    • 1000+

      ¥2.08
  • 有货
  • 高CMR,高速光电耦合器
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥3.17
    • 30+

      ¥2.99
    • 100+

      ¥2.81
    • 500+

      ¥2.3
    • 1000+

      ¥2.24
  • 有货
  • 二极管导通电流:50mA(MAX),漏电流:100uA(MAX),主要应用:家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等
    数据手册
    • 1+

      ¥3.914 ¥4.12
    • 10+

      ¥3.173 ¥3.34
    • 30+

      ¥2.8025 ¥2.95
    • 100+

      ¥2.432 ¥2.56
    • 500+

      ¥2.1185 ¥2.23
    • 1000+

      ¥2.0045 ¥2.11
  • 有货
  • MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.15
    • 10+

      ¥4.14
    • 30+

      ¥3.64
    • 100+

      ¥3.14
    • 500+

      ¥2.77
    • 1000+

      ¥2.61
  • 有货
  • TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器,由一个 GaAℓAs 红外发光二极管(LED)和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层,可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度
    数据手册
    • 1+

      ¥7.5
    • 10+

      ¥6.16
    • 30+

      ¥5.43
    • 100+

      ¥4.61
    • 500+

      ¥4.24
    • 1500+

      ¥4.07
  • 有货
  • LT239是一款采用4引脚SOP封装的微型1-Form A固态继电器,它采用光耦合MOSFET技术,可实现1500V的输入输出隔离。光耦合输入由一个高效的GaAlAs红外LED控制,输出端采用MOSFET。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.67
    • 10+

      ¥6.42
    • 30+

      ¥5.79
    • 100+

      ¥5.17
    • 500+

      ¥4.11
    • 1000+

      ¥3.91
  • 有货
  • 应用:BMS电压监测和绝缘检测
    数据手册
    • 1+

      ¥23.53
    • 10+

      ¥21.08
    • 30+

      ¥19.63
    • 100+

      ¥17.76
    • 500+

      ¥16.94
    • 1000+

      ¥16.57
  • 有货
  • 晶体管光耦,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能等应用输入电压类型:DC, 正向压降Max:1.35V,输出类型:直流晶体管,输出电流:50mA,隔离电压:5KV.铁框架
    • 20+

      ¥0.1309 ¥0.154
    • 200+

      ¥0.11407 ¥0.1342
    • 600+

      ¥0.10472 ¥0.1232
    • 2000+

      ¥0.09911 ¥0.1166
    • 10000+

      ¥0.094265 ¥0.1109
    • 20000+

      ¥0.09163 ¥0.1078
  • 有货
  • 接收端电压:35V CTR:130%~260%
    数据手册
    • 10+

      ¥0.26809 ¥0.2822
    • 100+

      ¥0.22021 ¥0.2318
    • 300+

      ¥0.19627 ¥0.2066
    • 2000+

      ¥0.15048 ¥0.1584
    • 4000+

      ¥0.136135 ¥0.1433
    • 8000+

      ¥0.128915 ¥0.1357
  • 有货
  • UMW PC357系列产品将砷化铝镓(AlGaAs)红外发射二极管作为发射器,与塑料SOP4封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW PC357系列具备极其稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3715
    • 100+

      ¥0.2961
    • 300+

      ¥0.2584
    • 3000+

      ¥0.211
    • 6000+

      ¥0.1884
    • 9000+

      ¥0.177
  • 有货
  • 特性:电流传输比(CTR:在 Ic = 5nA,VCE = 5V,Ta = 29°C 时为 90%)。 高输入-输出隔离电压(Viso = 5,000Vrms)。 高集电极-发射极电压(VCEO = 70V)。应用:需要高密度安装的混合基板
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4463
    • 50+

      ¥0.3662
    • 150+

      ¥0.3262
    • 500+

      ¥0.2961
    • 3000+

      ¥0.2721
    • 6000+

      ¥0.2601
  • 有货
  • 可控硅光耦,用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载,可满足各式各样的工业控制板需求,包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用
    • 5+

      ¥0.52767 ¥0.5863
    • 50+

      ¥0.46233 ¥0.5137
    • 150+

      ¥0.42966 ¥0.4774
    • 500+

      ¥0.40518 ¥0.4502
    • 2500+

      ¥0.38556 ¥0.4284
    • 5000+

      ¥0.37575 ¥0.4175
  • 有货
  • PS2701是一款小型贴片光电耦合器件,适用于表面贴装生产。PS2701是由砷化镓发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器。其体积比双列直插封装(DIP)更小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6068
    • 50+

      ¥0.4842
    • 150+

      ¥0.4229
    • 500+

      ¥0.3769
    • 3000+

      ¥0.3094
    • 6000+

      ¥0.291
  • 有货
  • 3528UVA
    • 5+

      ¥0.7138
    • 50+

      ¥0.6256
    • 150+

      ¥0.5878
    • 500+

      ¥0.5406
    • 2000+

      ¥0.4956
    • 4000+

      ¥0.483
  • 有货
  • CYTLP181是一块小外形的贴片光电藕合器件,适合表面贴装生产。是由一个砷化镓发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器,它的体积比DIP小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.794
    • 50+

      ¥0.6308
    • 150+

      ¥0.5492
    • 500+

      ¥0.488
    • 3000+

      ¥0.4324
    • 6000+

      ¥0.4079
  • 有货
  • TLP291(SE)由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成。TLP291(SE)采用SO4封装,是一款非常小巧纤薄的耦合器。由于TLP291(SE)保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110°C)和较高的隔离电压(3750Vrms),因此它适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8758
    • 50+

      ¥0.6934
    • 150+

      ¥0.6022
    • 500+

      ¥0.5338
    • 2500+

      ¥0.4791
    • 5000+

      ¥0.4517
  • 有货
  • 特性:电流传输比(CTR:Mh:20%,IF = 1mA,VCE = 5V)。 高输入-输出隔离电压(Viso = 5000V rms)。 响应时间(tr:典型值4μs,VCE = 2V,IC = 2mA,RL = 100Ω)。应用:要求高密度安装的混合基板
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9181
    • 50+

      ¥0.7353
    • 150+

      ¥0.6439
    • 1000+

      ¥0.5754
    • 2000+

      ¥0.5206
    • 5000+

      ¥0.4931
  • 有货
  • 特性:6引脚DIP光耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。 高输入-输出隔离电压Viso = 5000Vrms。 高重复峰值关态电压VDRM:最小400V。 高关态电压临界上升率dV/dt:最小1000V/μs。 双列直插式封装。 宽引脚间距封装。应用:电机控制。 固态继电器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1586
    • 50+

      ¥0.9448
    • 130+

      ¥0.7821
    • 520+

      ¥0.6677
    • 2080+

      ¥0.6168
    • 5200+

      ¥0.5862
  • 有货
  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3025
    • 50+

      ¥1.0154
    • 150+

      ¥0.8923
    • 1000+

      ¥0.701
    • 2000+

      ¥0.6327
    • 5000+

      ¥0.5916
  • 有货
  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    • 5+

      ¥1.3245
    • 50+

      ¥1.0358
    • 130+

      ¥0.912
    • 520+

      ¥0.7576
    • 2470+

      ¥0.6888
    • 5005+

      ¥0.6475
  • 有货
  • 工业级
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5762
    • 50+

      ¥1.226
    • 150+

      ¥1.0551
    • 500+

      ¥0.9026
  • 有货
  • UwW 6N137 光耦合器由一个 850 nm 的铝镓砷(AlGaAS)发光二极管(LED)组成,该 LED 与一个带选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合。此输出采用集电极开路结构,因此允许进行线或输出。在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内,可保证耦合参数
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8058
    • 50+

      ¥1.3975
    • 135+

      ¥1.2225
    • 495+

      ¥1.0041
    • 2880+

      ¥0.9069
    • 4320+

      ¥0.8485
  • 有货
  • ELQ3H7(TA) 4通道2.5KV隔离 CTR:50~600
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9918
    • 50+

      ¥1.5229
    • 150+

      ¥1.294
    • 1000+

      ¥1.078902 ¥1.0898
    • 2000+

      ¥1.023363 ¥1.0337
    • 5000+

      ¥0.990099 ¥1.0001
  • 有货
  • 四脚球头
    数据手册
    • 5+

      ¥2.035565 ¥2.1427
    • 50+

      ¥1.595145 ¥1.6791
    • 150+

      ¥1.406285 ¥1.4803
    • 500+

      ¥1.17078 ¥1.2324
    • 2000+

      ¥1.018495 ¥1.0721
    • 4000+

      ¥0.955605 ¥1.0059
  • 有货
  • PS2801 - 1和PS2801 - 4是光耦合隔离器,在塑料SSOP封装中包含一个砷化镓(GaAs)发光二极管和一个NPN硅光电晶体管,适用于高密度应用。该封装具有屏蔽作用,可阻隔环境光。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2965
    • 50+

      ¥1.8448
    • 150+

      ¥1.6512
    • 500+

      ¥1.276
    • 3500+

      ¥1.1684
    • 7000+

      ¥1.1039
  • 有货
  • TCMT110系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成,采用4引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上,为满足最高安全要求,在输入和输出之间提供固定距离。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.71
    • 10+

      ¥2.17
    • 30+

      ¥1.94
    • 100+

      ¥1.65
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.36
  • 有货
  • 应用在等离子显示面板(PDPs)、工业逆变器、MOSFET栅极驱动、IGBT栅极驱动
    • 1+

      ¥3.06
    • 10+

      ¥2.43
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.81
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.54
  • 有货
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