3528光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-4-2.54mm

CPC1017N是一款采用4引脚SOP封装的微型单刀常开（1-Form-A）固态继电器，它采用光耦合MOSFET技术，可实现1500Vrms的输入输出隔离。这种超高效MOSFET开关和光伏管芯采用了IXYS集成电路事业部的专利光MOS架构，而光耦合输出则由高效红外LED控制。与竞争对手更大尺寸的4引脚SOP继电器相比，它至少可节省20%的电路板空间

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￥6
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￥4.96
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￥2.99

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型号：FOD3120SD 编号：C15455

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥6.04
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型号：TLP3906(TPL,E 编号：C146278

封装：SOP-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3906 是一款采用 SO6 封装的光耦合器，由一个红外发光二极管和一个光电二极管阵列通过光耦合组成。这些光电二极管串联连接，使 TLP3906 适用于 MOS 栅极驱动应用。

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型号：GAQY215G1EH 编号：C48606611

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:150V 连续负载电流:1.1A

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￥6.41
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型号：HCPL-0630-500E 编号：C20027

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

6N137、HCPL - 26xx/06xx/4661、HCNW137/26x1 是光耦合门，其将 GaAsP 发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。使能输入可对探测器进行选通。探测器集成电路的输出是集电极开路的肖特基钳位晶体管

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￥8.43
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型号：GAQV211G4EH 编号：C7435166

封装：SMD-6P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（功耗更低）。抗电磁干扰或射频干扰。无垂直电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥22.9
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￥20.09
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型号：AT817C-FeL-SE 编号：C20612669

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT817X是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装 ( DIP、 DIP-M、 SMD) 广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.

20+
￥0.220248 ￥0.2394
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￥0.176088 ￥0.1914
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￥0.154008 ￥0.1674
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￥0.138368 ￥0.1504
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￥0.12512 ￥0.136
20000+
￥0.118404 ￥0.1287

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型号：XL-3528SURUGC-FJ 编号：C2843812

封装：SMD3528-4P

品牌：XINGLIGHT(成兴光)

3528红翠绿双色（反极性脚位）

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10+
￥0.261725 ￥0.2755
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￥0.21033 ￥0.2214
300+
￥0.184585 ￥0.1943
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￥0.15523 ￥0.1634
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￥0.13984 ￥0.1472
10000+
￥0.132145 ￥0.1391

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型号：PC817X3NSZWC 编号：C39832427

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

新版本

10+
￥0.359
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￥0.2846
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￥0.2474
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￥0.2195
5000+
￥0.1972
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￥0.1861

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型号：EL357C 编号：C19267783

封装：SOP-4

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款SOP-4封装的光电耦合器，采用光电晶体管输出方式，专为实现电气隔离和信号传输设计。其拥有1.2V低正向电压，适用于DC输入电压环境，能提供最大50mA的稳定输出电流，同时具备6V的高反向电压防护能力。该器件性能卓越，广泛应用于通信设备及各类电路中的信号隔离场合，确保高效、安全的数据传输。

10+
￥0.3717
100+
￥0.2997
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￥0.2637
3000+
￥0.2182
6000+
￥0.1966
9000+
￥0.1858

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型号：HL-AF-3528S39FU70GH203BC-A-S1-HL 编号：C516144

封装：SMD3528-4P

品牌：HONGLITRONIC(鸿利光电)

绿光LED由InGaN三种元素芯片激发而成,红光LED由AlGaInP四种元素芯片激发而成,蓝光LED由InGaN三种元素芯片激发而成。

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10+
￥0.39843 ￥0.4194
100+
￥0.31863 ￥0.3354
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￥0.27873 ￥0.2934
2000+
￥0.248805 ￥0.2619
4000+
￥0.224865 ￥0.2367
10000+
￥0.2128 ￥0.224

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型号：NTD3528I8 编号：C7464752

封装：SMD2835-2P

品牌：国星光电

3528IR,3.5x2.8mm；TOP带球头红外发光LED；应用于红外摄像、机械设备的可视系统、监视设备及遥控发射电路中。

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￥0.4395
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￥0.3382
30+
￥0.2875
100+
￥0.2495
500+
￥0.2191
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￥0.2039

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型号：EL357N(A)(TA)-G 编号：C42385000

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

EL357N - G 系列包含一个红外发光二极管，与光电晶体管探测器进行光耦合。这些器件采用 4 引脚小外形贴片（SMD）封装。

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5+
￥0.5301
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￥0.4241
150+
￥0.371
500+
￥0.3312
3500+
￥0.2994
7000+
￥0.2835

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型号：MTLP521-1GB(DIP) 编号：C41419317

封装：DIP-4

品牌：MSKSEMI(美森科)

MTLP521-1XX(DIP)/MTLP521-1XX(SOP)是可控制的光电藕合器件，电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。四引脚封装，两种形式（DIP-4、SMD-4P）。

5+
￥0.693785 ￥0.7303
50+
￥0.563825 ￥0.5935
200+
￥0.45296 ￥0.4768
500+
￥0.404225 ￥0.4255
2500+
￥0.36518 ￥0.3844
5000+
￥0.345705 ￥0.3639

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型号：MOC3022M(UMW) 编号：C2842958

封装：DIP-6

品牌：UMW(友台半导体)

UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

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5+
￥0.7784
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￥0.6873
130+
￥0.5745
520+
￥0.5258
2470+
￥0.5041
6500+
￥0.4911

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型号：CA45-B016M106T 编号：C126944

封装：CASE-B-3528-19(mm)

品牌：湘怡中元/湘江

特性：环氧树脂模压封装,片状,易于集成,有极性。尺寸小,重量轻,电性能和存储性能稳定,长工作寿命,高可靠性。执行标准:QJ/PWV109 2003

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5+
￥0.7983
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￥0.6336
150+
￥0.5513
500+
￥0.4895
2000+
￥0.4512
4000+
￥0.4265

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型号：TLP293(GR-TPL,E 编号：C2832665

封装：SO-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器，采用SO4封装，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥0.863
50+
￥0.7445
150+
￥0.6937
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￥0.6303
2500+
￥0.6202
5000+
￥0.6033

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型号：CA45-B-25V-10uF-K 编号：C128259

封装：CASE-B-3528-19(mm)

品牌：CEC(振华新云)

特性：模压封装、片式引出。密封性好。重量轻。电性能优良。稳定可靠。应用：移动通讯。摄像机

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5+
￥0.9026
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￥0.7271
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￥0.6394
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￥0.5736
2000+
￥0.521
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￥0.4946

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型号：MPCM3063(T1)-GV 编号：C17701956

封装：SOP-4

品牌：MP(美禄科技)

光耦光耦：控制可控硅触发，电吹风发热控制，低触发电流：≤5mA，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。