驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC-DC/DC-DC转换器应用中的功率、GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动MOSFET，实现高效转换。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891V峰值和1140V峰值的绝缘电压。

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型号：TLP5702P-AXW 编号：C42432184

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流4A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，窄体

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型号：TLP5701B(D4CNTPE 编号：C43687168

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：SL3120RS 编号：C41369501

封装：SMD-8P

品牌：Slkor(萨科微)

是一个采用DIP8封装的光电耦合器，由一个红外发光二极管 (LED) 与一个高速光电探测器IC芯片光耦合而成。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP700(TP,F) 编号：C43687210

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成，采用6引脚SDIP封装。比8引脚DIP小50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路，尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。

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型号：ACPL-331J(AT) 编号：C41415695

封装：SOP-16

品牌：AOTE(奥特)

ACPL-331J(AT)具有一个AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光学耦合。广泛应用于：隔离型 IGBT 或隔离型功率 MOSFET 的栅极驱动、交流和无刷式直流电机驱动器、工业逆变器、不间断电源（UPS）。

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型号：AT331J-CuH-S 编号：C41416966

封装：SOP-16

品牌：AOTE(奥特)

AT331J具有一个AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光学耦合。广泛应用于：隔离型 IGBT 或隔离型功率 MOSFET 的栅极驱动、交流和无刷式直流电机驱动器、工业逆变器和不间断电源（UPS）。

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型号：AT316J-CuH-S 编号：C22372855

封装：SOP-16

品牌：AOTE(奥特)

AT316J是一款高度集成的功率控制器件，它将具有故障保护和反馈的完整、隔离的IGBT门极驱动电路所需的所有组件集成到一个SOP16封装中。TTL输入逻辑电平允许与微控制器直接接口，光隔离功率输出级可驱动150A/1200V的IGBTs。输出IC为IGBT提供局部保护，以防止过流期间产生损坏，第二个光链路为微控制器提供完全隔离的故障状态反馈信号。

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型号：CCi8335SVB-1DX 编号：C47817656

封装：SOP-8WW

品牌：CrossChip(成都芯进)

CCi8335是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，具有6A峰值拉电流和8A峰值灌电流。33V的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET和SiC，具有60ns传播延迟和25ns最大脉宽失真。输入侧通过一个8000VRMS增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制（CMTI）典型值为150V/ns。

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型号：ACPL-K33T-560E 编号：C2927813

封装：SOP-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差，专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的SiC MOSFET和IGBT而设计。输出级的高工作电压范围为栅控设备提供所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动SiC MOSFET和IGBT，以实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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型号：ICPL-341W-500EAXW 编号：C42432187

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流3A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，宽体

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