高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/?s。

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单价：
￥4.188 / 个

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型号：6N137TSVM 编号：C898991

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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单价：
￥3.14088 / 个

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型号：FOD3120SV 编号：C899240

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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单价：
￥4.61244 / 个

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型号：FOD3120V 编号：C899243

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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单价：
￥4.5876 / 个

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型号：FOD3180TV 编号：C899262

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.13024 / 个

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型号：FOD3180SV 编号：C899260

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.13024 / 个

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型号：FOD3180SD 编号：C479712

封装：SOIC-8-6.6mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.15364 / 个

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型号：FOD8342V 编号：C900923

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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单价：
￥3.42024 / 个

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型号：FOD3182TSV 编号：C899267

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.36208 / 个

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型号：FOD060LR2 编号：C903686

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。器件包含可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽具有出色的共模抑制性能，在 1,000V 共模下通常为 50 kV/us。

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1+
￥7.83
10+
￥6.54
30+
￥5.61
100+
￥4.81
500+
￥4.45
1000+
￥4.29

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型号：H11N1SM 编号：C899488

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥4.79064 / 个

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型号：H11N1VM 编号：C899492

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥4.83504 / 个

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型号：H11N1TVM 编号：C899491

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥4.87008 / 个

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型号：FODM453V 编号：C891203

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM452 和 FODM453 光耦合器包括一个与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。该器件采用紧凑的 5 引脚微型扁平封装，可实现最佳安装密度。FODM453 具有高 CMR 等级，可实现优化的共模瞬变抗扰性。

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单价：
￥6.38964 / 个

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型号：FOD0710 编号：C463015

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD0721/0720/0710 系列利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此类高速逻辑门极光耦合器由与 CMOS 检测器集成电路耦合的 CMOS 集成电路驱动的高速 AlGaAs LED 组成，该检测器集成电路包括集成光电二极管、高速互阻抗放大器和带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 工艺与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。此类器件采用紧凑型 8 引脚小外形封装。

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单价：
￥4.7196 / 个

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型号：FOD8163T 编号：C900902

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.46556 / 个

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型号：FOD8480TR2 编号：C899358

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。

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单价：
￥7.47504 / 个

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型号：FOD8163TR2 编号：C899332

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FOD8163TR2V 编号：C899333

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FOD8163V 编号：C900903

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FOD8163 编号：C900901

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FOD8163R2 编号：C899330

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FOD8163R2V 编号：C899331

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器，具有开路集电极输出，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计，从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。

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单价：
￥7.85724 / 个

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型号：FODM8061 编号：C891204

封装：SOIC-5-175mil

品牌：onsemi(安森美)

FODM8061 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出（开路集电极）光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此光耦合器在输入处包含一个 AlGaAS LED，与高速集成式光电检测器逻辑门级进行光耦合。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。耦合参数在 -40°C 至 +110°C 的宽温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。

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单价：
￥7.88472 / 个

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型号：FOD3182S 编号：C899264

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.28684 / 个

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型号：FOD3120S 编号：C605155

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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单价：
￥4.878 / 个

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型号：FODM8071R2 编号：C903716

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM8071 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此高速逻辑门极输出光耦合器封装在紧凑的 5 引脚小扁平封装中，在输入处包含一个高速 AlGaAs LED 与输出处的 CMOS 检测集成电路进行耦合。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、20ns 脉冲宽度失真）。

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单价：
￥9.62004 / 个

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型号：HCPL0637R2 编号：C903763

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。这些器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由采用 CMOS 工艺的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制。

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单价：
￥5.28792 / 个

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型号：FOD3125 编号：C899244

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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1+
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10+
￥16.34
30+
￥14.52
100+
￥12.66
500+
￥11.82
1000+
￥11.45

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型号：FOD3184 编号：C899270

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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