高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

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型号：KL2611S1-TA 编号：C41414454

封装：SMD-8P

品牌：Kinglight(晶台)

高速光耦，数据传输速率10Mbps，电源电压7V，正向电流50mA,输出电流最大值50mA,工作温度-40~+85℃，隔离电压5000V，DIP8（尺寸9.76x6.6x3.5），TA-铜线

1+
￥2.5398
200+
￥1.0134
500+
￥0.9796
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￥0.9628

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型号：KL2601S1-TA 编号：C41414453

封装：SMD-8P

品牌：Kinglight(晶台)

高速光耦，数据传输速率10Mbps，电源电压7V，正向电流50mA,输出电流最大值50mA,工作温度-40~+85℃，隔离电压5000V，DIP8（尺寸9.76x6.6x3.5），TA-铜线

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型号：KLM600-TA 编号：C41414449

封装：SOP-5-175mil

品牌：Kinglight(晶台)

高速光耦，数据传输速率10Mbps，电源电压7V，输出电流最大值50mA，工作温度-40~+85℃，隔离电压3750V，SOP5（尺寸4.4x4.1x2.0），TA-铜线

1+
￥2.6928
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￥1.0386
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￥1.0208

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型号：H11L3TVM 编号：C899486

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥2.14428 / 个

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型号：H11L2TVM 编号：C899480

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥2.14428 / 个

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型号：H11L2VM 编号：C899481

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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￥2.14428 / 个

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型号：FOD050LR2 编号：C903684

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD050L 和 FOD053L 光耦合器包括一个与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。这些器件专用于在 3.3 V 电源电压下运行。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。内部干扰屏蔽提供了 CMH = 50 kV/μs（典型值）和 CML = 35 kV/μs（典型值）的卓越共模抑制。

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￥2.69832 / 个

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型号：HCPL0501R2V 编号：C903761

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX和HCPL04XX光电耦合器包含一个砷化铝镓LED，它光耦合到紧凑型8引脚小尺寸封装中一个高速光电探测器晶体管。

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单价：
￥2.718 / 个

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型号：6N137SVM 编号：C898990

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/?s。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/?s。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/?s。

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￥3.06396 / 个

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型号：HCPL4503SM 编号：C899552

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.58344 / 个

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型号：HCPL2611SDM 编号：C899515

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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单价：
￥3.3492 / 个

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型号：6N137TSR2VM 编号：C898469

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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单价：
￥3.37524 / 个

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型号：FOD8342R2 编号：C899347

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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单价：
￥3.51372 / 个

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型号：HCPL4503SDM 编号：C899550

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.76128 / 个

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型号：HCPL4503SDVM 编号：C899551

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.94896 / 个

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型号：FOD053LR2 编号：C903685

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD050L 和 FOD053L 光耦合器包括一个与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。这些器件专用于在 3.3 V 电源电压下运行。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。内部干扰屏蔽提供了 CMH = 50 kV/μs（典型值）和 CML = 35 kV/μs（典型值）的卓越共模抑制。

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单价：
￥4.16952 / 个

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型号：FOD260LS 编号：C899214

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/us。

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单价：
￥4.16208 / 个

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型号：FOD260LSV 编号：C899217

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/us。

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单价：
￥4.26204 / 个

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型号：FOD260LSDV 编号：C899216

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/us。

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单价：
￥4.5222 / 个

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型号：FOD8342TV 编号：C900922

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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1+
￥8.97
200+
￥3.47
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￥3.35
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￥3.29

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型号：FOD3120TSV 编号：C899241

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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单价：
￥4.635 / 个

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型号：FOD0710R2 编号：C512958

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD0721/0720/0710 系列利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此类高速逻辑门极光耦合器由与 CMOS 检测器集成电路耦合的 CMOS 集成电路驱动的高速 AlGaAs LED 组成，该检测器集成电路包括集成光电二极管、高速互阻抗放大器和带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 工艺与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。此类器件采用紧凑型 8 引脚小外形封装。

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单价：
￥5.43924 / 个

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型号：FOD0720R2 编号：C903687

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD0721/0720/0710 系列利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此类高速逻辑门极光耦合器由与 CMOS 检测器集成电路耦合的 CMOS 集成电路驱动的高速 AlGaAs LED 组成，该检测器集成电路包括集成光电二极管、高速互阻抗放大器和带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。此类器件采用紧凑型 8 引脚小外形封装。

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￥5.43924 / 个

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型号：FOD3180TSV 编号：C899261

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥4.95636 / 个

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型号：FOD3120TSR2V 编号：C898470

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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单价：
￥5.09448 / 个

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型号：FOD3182TV 编号：C899268

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.33868 / 个

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型号：FOD8480V 编号：C900929

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。

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200+
￥4.12
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￥3.98
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型号：FOD3184SV 编号：C899273

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.5236 / 个

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型号：FOD3184TSV 编号：C899274

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.547 / 个

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型号：FOD3182TSR2V 编号：C898472

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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