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HCPL0453R2

型号：HCPL0453R2 编号：C463997

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由于高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件每个封装具有两个沟道，具有最佳安装密度。

数据手册

单价：
￥3.5832 / 个

我要订货

DC输入 2通道隔离电压(rms):2500V 停产

型号：HCPL2631SD 编号：C16382

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137、HCPL2601、HCPL2611单通道和HCPL2630、HCPL2631双通道光耦合器由一个850 nm AlGaAS LED组成，光耦合到一个具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。该输出具有集电极开路特性，因此允许线或输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证。

数据手册

100+
￥16.159
1000+
￥15.8652

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DC输入 2通道隔离电压(rms):2500V 停产

型号：HCPL2630SD 编号：C46037

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

单通道和双通道光耦合器由一个850nm AIGaAS LED组成，光耦合到一个具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。该输出具有集电极开路特性，因此允许线或输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证。最大5mA的输入信号将提供最小13mA的输出灌电流（扇出为8）。内部噪声屏蔽可提供典型值为10kV/μs的卓越共模抑制能力。HCPL2601和HCPL2631的最小共模抑制比为5kV/μs，HCPL2611的最小共模抑制比为10kV/μs。

数据手册

1+
￥19.01
10+
￥16.24
30+
￥14.59
100+
￥12.29
500+
￥11.52
1000+
￥11.17

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5300V

型号：6N136-X009 编号：C2971983

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

6N135 和 6N136 是采用 GaAIAs 红外发光二极管的光耦合器，与由光电二极管和高速晶体管组成的集成光电探测器进行光耦合，采用 DIP - 8 塑料封装。信号可在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。待耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压

数据手册

1+
￥6.54
10+
￥5.46
50+
￥4.87
100+
￥4.2
500+
￥3.9
1000+
￥3.76

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MP50L(P)(T3)-G(B)

型号：MP50L(P)(T3)-G(B) 编号：C47361225

封装：LSOP-6

品牌：MP(美禄科技)

高速光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 数据速率：1Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL：800ns；800ns 电源电压：2.7V~24V

1+
￥2.3305
200+
￥0.9299
500+
￥0.8989
1500+
￥0.8835

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MP6N136-G(B)

型号：MP6N136-G(B) 编号：C47361123

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

高速光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 数据速率：1Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL：800ns；800ns 电源电压：0V~30V

1+
￥2.4334
180+
￥0.971
495+
￥0.9385
990+
￥0.9225

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MP6N136(SL)(T1)-G(B)

型号：MP6N136(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361226

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

高速光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 数据速率：1Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL：800ns；800ns 电源电压：0V~30V

1+
￥2.4334
200+
￥0.971
500+
￥0.9385
1000+
￥0.9225

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MP60L(W)(T3)-G(B)

型号：MP60L(W)(T3)-G(B) 编号：C47361224

封装：LSOP-6

品牌：MP(美禄科技)

高速光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 数据速率：10Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL：100ns；100ns 电源电压：4.5V~5.5V；2.7V~3.6V

1+
￥2.4334
200+
￥0.971
500+
￥0.9385
1500+
￥0.9225

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MP6N137(SL)(T1)-G(B)

型号：MP6N137(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361227

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

高速光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 数据速率：10Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL：75ns；75ns 电源电压：4.5V~5.5V;2.7~3.6V 高速 10MB/s 逻辑门极光耦合器。

1+
￥2.5019
200+
￥0.9983
500+
￥0.9649
1000+
￥0.9485

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HT-6N139-S1TA1

型号：HT-6N139-S1TA1 编号：C34376261

封装：SMD-8P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

1+
￥2.4572
200+
￥0.9805
500+
￥0.9477
1000+
￥0.9315

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HT-6N138-S1TA1

型号：HT-6N138-S1TA1 编号：C34376260

封装：SMD-8P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

1+
￥2.4572
200+
￥0.9805
500+
￥0.9477
1000+
￥0.9315

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QXH511-CuH-L

型号：QXH511-CuH-L 编号：C52164472

封装：SOP-8

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

LSOP8封装1M高速光耦，7500V隔离电压，电源电压：30V

1+
￥15.61
200+
￥6.23
500+
￥6.02
800+
￥5.92

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L2TVM 编号：C899480

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

数据手册

单价：
￥2.14428 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L3TVM 编号：C899486

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

数据手册

单价：
￥2.14428 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L2VM 编号：C899481

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

数据手册

单价：
￥2.14428 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):2500V

型号：FOD050LR2 编号：C903684

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD050L 和 FOD053L 光耦合器包括一个与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。这些器件专用于在 3.3 V 电源电压下运行。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。内部干扰屏蔽提供了 CMH = 50 kV/μs（典型值）和 CML = 35 kV/μs（典型值）的卓越共模抑制。

数据手册

单价：
￥2.69832 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):2500V@AC

型号：HCPL0501R2V 编号：C903761

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX和HCPL04XX光电耦合器包含一个砷化铝镓LED，它光耦合到紧凑型8引脚小尺寸封装中一个高速光电探测器晶体管。

数据手册

单价：
￥2.718 / 个

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6N137SVM

型号：6N137SVM 编号：C898990

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/?s。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/?s。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/?s。

数据手册

单价：
￥3.06396 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):2500V

型号：HCPL4503SM 编号：C899552

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

数据手册

单价：
￥3.58344 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：HCPL2611SDM 编号：C899515

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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单价：
￥3.3492 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：6N137TSR2VM 编号：C898469

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

数据手册

单价：
￥3.37524 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD8342R2 编号：C899347

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

数据手册

单价：
￥3.51372 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):2500V

型号：HCPL4503SDM 编号：C899550

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

数据手册

单价：
￥3.76128 / 个

我要订货

DC输入 1通道隔离电压(rms):2500V

型号：HCPL4503SDVM 编号：C899551

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

数据手册

单价：
￥3.94896 / 个

我要订货

DC输入 1通道隔离电压(rms):2500V

型号：FOD053LR2 编号：C903685

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD050L 和 FOD053L 光耦合器包括一个与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。这些器件专用于在 3.3 V 电源电压下运行。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。内部干扰屏蔽提供了 CMH = 50 kV/μs（典型值）和 CML = 35 kV/μs（典型值）的卓越共模抑制。

数据手册

单价：
￥4.16952 / 个

我要订货

DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD260LS 编号：C899214

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/us。

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单价：
￥4.16208 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD260LSV 编号：C899217

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/us。

数据手册

单价：
￥4.26204 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD260LSDV 编号：C899216

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/us。

数据手册

单价：
￥4.5222 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD8342TV 编号：C900922

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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1+
￥8.97
200+
￥3.47
500+
￥3.35
1000+
￥3.29

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3120TSV 编号：C899241

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

数据手册

单价：
￥4.635 / 个

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