高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

FOD8320 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的 Optoplanar 共面封装封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED) 组成，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。该器件采用宽体，5 引脚，小外形塑料封装。

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型号：FOD8012AR2 编号：C903694

封装：SO-8

FOD8012A 是一款半工、双向、高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar, 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此高速逻辑门极光耦合器与布置为双向配置的 2 个光耦合沟道进行高度集成，采用紧凑的 8 引脚小型封装。每个光耦合器沟道都包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、15ns 脉冲宽度失真）。

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￥21.19296 / 个

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型号：PS8352AL2-E3-AX 编号：C17627007

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离放大器，输入侧采用带有高精度Σ-Δ A/D转换器的IC和具有高速响应及高发光效率的AlGaAs发光二极管，输出侧采用带有高精度D/A转换器的IC。专为高共模瞬态抗扰度（CMTI）和高线性度（非线性）而设计，用于电流和电压感应。

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型号：OPI1268 编号：C7502138

封装：DIP-5

品牌：TT Electronics

是一款具有数字输出的高压隔离器，能够进行高速数据传输。输入部分由一个峰值波长为850 nm的高效GaAlAs LED组成，该LED与输出光IC进行光耦合。输出IC中的光电二极管检测输入的调制光并将其转换为相应的电流。该电流被输入到一个经过温度、电流和电压补偿的高增益线性放大器中。其结果是具有集电极开路反相器配置的高度稳定的数字输出。该设备在输入和输出电路之间产生直流和交流电压隔离，同时保证TTL信号的完整性。

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型号：ICPL2601 编号：C255749

封装：DIP-8

由一个红外发光二极管组成，光耦合到一个带可选通输出的高速集成光电探测器逻辑门。

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型号：6N137S 编号：C48783759

封装：SMD-8P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

逻辑输出光耦是一款用于信号隔离与传输的电子元器件，适用于需要电气隔离的电路设计场景。该器件输入类型为DC，工作电压为5.5V，支持高达10Mbps的数据传输速率，能够满足高速信号处理的需求。同时具备5kVrms的隔离电压能力，有效保障系统安全性与稳定性。其典型应用包括电源管理、通信接口隔离、传感器信号传输等领域，适合对信号完整性与抗干扰要求较高的电路环境。

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型号：TLP109(TPL,E 编号：C2931197

封装：SOIC-5-4.4mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由高输出功率红外 LED 与高速光电二极管晶体管芯片光耦合而成。采用 SO6 封装，保证爬电距离 ≥ 5.0 mm、电气间隙 ≥ 5.0 mm 和绝缘厚度 ≥ 0.4 mm。因此，该耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：ACPL-M62L-500E 编号：C6733637

封装：SOIC-5-175mil

是一种光耦合器，结合了AlGaAs发光二极管和集成高增益光电探测器，满足低功耗需求。该光耦合器在整个温度范围内最大Ipo功耗为1.5mA，正向电流低至2mA，因此允许大多数微处理器进行直流驱动。支持3.3V和5V电源电压，在-40°C至+105°C范围内保证交流和直流工作参数。探测器IC的输出为开漏类型，内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现最大交流和直流电路隔离的同时，实现了TTL/CMOS兼容性。这些光耦合器适用于高速逻辑接口，同时功耗极低。

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型号：ASSR-1218-003E 编号：C1525239

封装：SO-4

由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

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型号：RV1S9160ACCSP-100C#SC0 编号：C5739140

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款光耦合器，具有高达 15Mbps 的高速开关能力，采用低电平有效输出逻辑，输入侧为 AIGaAs 发光二极管，输出侧为带光电二极管的集成电路。该产品可在 3.3V/5V 电源下实现低电流运行，具有高抗噪共模抑制比（CMR）：最小 50kV/μs，可在高达 125℃的高温环境下的逻辑接口电路中工作。

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型号：ACPL-M483-000E 编号：C19673760

封装：SOIC-5

高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

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型号：HCPL-M701-500E 编号：C6795903

封装：SOP-5-175mil-2.54mm

这些小外形、低输入电流、高增益光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形无需在PCB上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。这些高增益系列光耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速运行

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型号：ACPL-K64L-000E 编号：C22379965

封装：SOIC-8-6.8mm

低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规范。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：HCPL-0300-000E 编号：C6795998

封装：SOT-ALL-8

光耦合器将820nm的AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由设计和制造的半导体器件组合，为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器，由于较低的IF和VF规格，在给定数据速率下，该器件可在更长的线路长度上工作。

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型号：HCPL-2300 编号：C6796003

封装：DIP-8

光耦合器将 820 nm AlGaAs 光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种半导体器件组合为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速 AlGaAs 发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的 RS-232-C 接口。作为线路接收器，由于较低的 IF 和 VF 规格，在给定数据速率下，其可在更长的线路长度上工作。

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型号：6N135S 编号：C2918949

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Slkor(萨科微)

由一个高效 AlGaAs 发光二极管和一个高速光探测器组成。这种设计可在光耦合器的输入侧和输出侧之间提供出色的交流和直流隔离。光电二极管的偏置连接通过降低基极-集电极电容来提高传统光电晶体管耦合器的速度。

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型号：TLP3407S(TP,E 编号：C2152160

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外发光二极管光耦合，采用S-VSON4封装。具有极低的导通电阻，能够实现高达1.0A电流的导通和关断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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型号：6N137 编号：C127191

封装：DIP-8

品牌：CT MICRO

6N137、CT2601 光耦合器由一个 850nm 的铝镓砷（AlGaAS）发光二极管（LED）和一个高速集成光电探测器逻辑门组成，该逻辑门带有可选通输出。此输出为集电极开路，因此允许进行线或输出。开关参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内有保证

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型号：6N136(S)(T1) 编号：C191865

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：CT MICRO

6N135、6N136、CT4502和CT4503器件均由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的高速光电探测器晶体管组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），也提供鸥翼式（400mil）和表面贴装引脚成型封装形式

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型号：LTV-M501-3 编号：C2944049

封装：SOP-5-175mil

品牌：LITEON(光宝)

LTV - M501 - 3 系列由高效铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和高速光电探测器组成。这种独特的设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交直流隔离。通过减少基极 - 集电极电容，连接光电二极管偏置可提高其速度，优于传统光电晶体管耦合器

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￥3.22
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型号：CYHCPL2531S(TP1) 编号：C20417311

封装：SOP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

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￥6.3
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￥5.05
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￥4.43
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型号：MP6N137-G(B) 编号：C47361124

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

高速光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 数据速率：10Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL：75ns；75ns 电源电压：4.5V~5.5V;2.7~3.6V 高速 10MB/s 逻辑门极光耦合器。

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￥1.0712
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￥1.0477
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￥1.032
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型号：H11L1 编号：C255760

封装：DIP-6

由一个砷化镓红外发射二极管与一个高速输出集成微处理器兼容施密特触发器探测器光耦合而成，该探测器为抗噪声和脉冲整形提供迟滞功能。

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￥3.93
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￥3.15
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型号：ICPL0611 编号：C255752

封装：SOIC-8

由一个红外发光二极管组成，光耦合到一个带可选通输出的高速集成光电探测器逻辑门。

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￥4.89
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￥4.37
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￥4.11
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￥3.86
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￥3.7
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￥3.62

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型号：6N137SM 编号：C898989

封装：SOP-8-2.54mm

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥2.9388 / 个

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型号：HCPL0501 编号：C463998

封装：SOIC-8

HCPL05XX和HCPL04XX光电耦合器包含一个砷化铝镓LED，它光耦合到紧凑型8引脚小尺寸封装中一个高速光电探测器晶体管。

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￥2.52564 / 个

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型号：CYHCPL2630 编号：C3018812

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8，DIP8-M和SMD8三种封装形式。

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￥6.02
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￥4.94
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￥4.25
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型号：6N136 编号：C94861

封装：DIP-8