高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

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￥24.59
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型号：HCPL-M701-500E 编号：C6795903

封装：SOP-5-175mil-2.54mm

这些小外形、低输入电流、高增益光耦合器是单通道设备，采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形无需在PCB上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。这些高增益系列光耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速运行

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型号：ASSR-V621-302E 编号：C6795987

封装：SMD-8

专为驱动高功率MOSFET而设计。它由一个AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级和一个输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于外部开关两个独立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时，继电器驱动器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器驱动器关闭（触点断开）。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性，可以通过串联连接2个通道来使光伏电压加倍，或者通过并联连接2个通道来使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。

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型号：ACPL-K64L-000E 编号：C22379965

封装：SOIC-8-6.8mm

低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规范。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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￥42.85
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型号：ASSR-1611-001E 编号：C1525255

封装：DIP-6

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由一个AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5 mA时，继电器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。

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型号：6N137 编号：C127191

封装：DIP-8

品牌：CT MICRO

6N137、CT2601 光耦合器由一个 850nm 的铝镓砷（AlGaAS）发光二极管（LED）和一个高速集成光电探测器逻辑门组成，该逻辑门带有可选通输出。此输出为集电极开路，因此允许进行线或输出。开关参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内有保证

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型号：TLP5701(D4-TP,E 编号：C2892104

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，它在物理尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：ACPL-061L-500E 编号：C2985493

封装：SOIC-8

超低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗极低，在整个温度范围内，每通道IDD2电流最大为1.3mA。LED正向电流低至1.6mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的宽温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：TLP3407S(TP,E 编号：C2152160

封装：VSON-4(1.5x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

光MOSFET与红外发光二极管光耦合，采用S-VSON4封装。具有极低的导通电阻，能够实现高达1.0A电流的导通和关断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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型号：HCPL-3120-C1LO 编号：C20612451

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-3120/HCPL-3120S是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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型号：6N136(S)(T1) 编号：C191865

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：CT MICRO

6N135、6N136、CT4502和CT4503器件均由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的高速光电探测器晶体管组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），也提供鸥翼式（400mil）和表面贴装引脚成型封装形式

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型号：KPC6N136S 编号：C136417

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Cosmo(冠西)

KPC6N136系列由一个与光控集成电路（OPIC）芯片光耦合的发光二极管（LED）组成。它是一款专为低电路电流设计的高速数字输出型光电耦合器。该产品采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距版本和贴片（SMD）可选

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型号：HT-6N135 编号：C34376252

封装：DIP-8

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

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￥2.1354
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型号：6N136 编号：C94861

封装：DIP-8

6N135、6N136、ICPL4502和ICPL4503器件均由一个红外发光二极管和一个高速光电探测器晶体管光耦合组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

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型号：6N136SM 编号：C255742

封装：SOP-8-2.54mm

6N135、6N136、ICPL4502和ICPL4503器件均由一个红外发光二极管和一个高速光电探测器晶体管光耦合组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

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型号：ICPL4503SM 编号：C393530

封装：SOP-8-2.54mm

6N135、6N136、ICPL4502和ICPL4503器件均由一个红外发光二极管和一个高速光电探测器晶体管光耦合组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

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型号：ICPL2531SM 编号：C393526

封装：SOP-8-2.54mm

ICPL2530 和 ICPL2531 双通道器件均包含一个红外发光二极管，该二极管与一个高速光电探测器晶体管进行光耦合。通过降低基极 - 集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

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￥6.07
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￥5.82

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型号：H11L1SVM 编号：C899474

封装：SOP-6-2.54mm

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥2.14212 / 个

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型号：FOD8001 编号：C463968

封装：SOIC-8

FOD8001 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。此高速逻辑门极光耦合器封装在 8 引脚小型封装中，包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。

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￥6.27612 / 个

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型号：H11N1SR2M 编号：C899489

封装：SOP-6-2.54mm

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥16.81
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￥14.1
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￥9.88
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型号：TLP3442(TP,F 编号：C2152175

封装：VSON-4(1.5x2.5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP3442是非常小外形的无引脚光电继电器，适用于表面贴装。它由一个红外LED与一个光电MOSFET光耦合而成，采用VSON 4引脚封装。TLP3442具有低输出电容CoFF，因此能够对高频信号进行快速通断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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￥17.45
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￥17.02
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￥16.74
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￥16.45

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型号：FOD3182V 编号：C899269

封装：DIP-8

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.31276 / 个

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型号：AQV215AZ 编号：C5948031

封装：SMD-6P

品牌：PANASONIC(松下)

特性：控制低电平模拟信号，光电MOS具有极低的闭路失调电压，可无失真地控制低电平模拟信号。控制各种类型的负载，如继电器、电机、灯和螺线管。光耦合实现极高的隔离，与机械继电器不同，光电MOS结合了LED和光电器件，使用光传输信号以实现极高的隔离。无需在输入侧驱动电路中使用反电动势保护二极管。稳定的导通电阻。低电平关态泄漏电流最大为1μA。应用：高速检测机。电话设备

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￥24.19
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￥20.83
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￥18.83
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￥16.82
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￥15.89
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型号：HCPL-2300-000E 编号：C6795995

封装：PDIP-8

光耦合器将820 nm AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由安华高设计和制造的半导体器件组合，为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新型低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器，由于较低的IF和VF规格，在给定的数据速率下，HCPL-2300/HCPL-0300将在更长的线路长度上工作。

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￥64.663631 / 个

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型号：HCPL0501R2 编号：C257710

封装：SOP-8

HCPL05XX和HCPL04XX光电耦合器包含一个砷化铝镓LED，它光耦合到紧凑型8引脚小尺寸封装中一个高速光电探测器晶体管。

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￥2.66376 / 个

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型号：KPC410 0E 编号：C2890329

封装：SOP-5

品牌：Cosmo(冠西)

KPC410系列由一个与OPIC芯片光耦合的LED组成。它是一款专为低电路电流设计的高速数字输出型光电耦合器，采用5引脚迷你扁平封装。

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￥4.91
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￥4
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￥3.54
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￥3.09
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￥2.42
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￥2.29

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型号：6N135SM 编号：C188671

封装：SOP-8-2.54mm

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.3054 / 个

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型号：6N135SVM 编号：C188657

封装：SOP-8-2.54mm

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.4962 / 个

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型号：H11L3SM 编号：C899483

封装：SOP-6-2.54mm