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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：6N136SM 编号：C255742

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：ISOCOM(英国安数光)

6N135、6N136、ICPL4502和ICPL4503器件均由一个红外发光二极管和一个高速光电探测器晶体管光耦合组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

数据手册

1+
￥3.66
10+
￥2.93
50+
￥2.56

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：ICPL4503SM 编号：C393530

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：ISOCOM(英国安数光)

6N135、6N136、ICPL4502和ICPL4503器件均由一个红外发光二极管和一个高速光电探测器晶体管光耦合组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

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1+
￥5.4
10+
￥4.32
50+
￥3.78

有货

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DC输入 2通道隔离电压(rms):5000V

型号：ICPL2531SM 编号：C393526

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：ISOCOM(英国安数光)

ICPL2530 和 ICPL2531 双通道器件均包含一个红外发光二极管，该二极管与一个高速光电探测器晶体管进行光耦合。通过降低基极 - 集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。

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1+
￥6.07
10+
￥5.92
30+
￥5.82

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4000V

型号：SFH6316T 编号：C2838496

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

高速光耦合器由 GaAlAs 红外发射二极管、集成光电探测器和高速晶体管组成。光电探测器与晶体管结隔离，以减少米勒电容效应。集电极开路输出功能允许电路设计人员在与不同逻辑系统（如 TTL、CMOS 等）接口时调整负载条件。带有法拉第屏蔽的型号可抑制和最小化高输入到输出的共模瞬态电压，且无基极连接，进一步降低进入封装的潜在电气噪声。采用行业标准 SOIC-8 封装，适用于表面贴装。

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单价：
￥5.533429 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L1SVM 编号：C899474

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥2.14212 / 个

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FODM611R2

型号：FODM611R2 编号：C463974

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM611是一款5V高速逻辑门输出（开路集电极）光电耦合器，支持隔离式通信，允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。该器件采用飞兆专有的共面封装技术，Optoplanar，优化了IC设计，通过高共模瞬变抑制规格特点实现了高抗噪能力。该光电耦合器在输入端包括一个AlGaAS LED，该LED光耦合至一个高速集成光电检测器逻辑门。检测器IC输出是一个开路集电极肖特基箝位晶体管。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 5mA的最大输入信号将提供13mA的最小输出灌电流（扇出为8）。

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单价：
￥3.51228 / 个

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FOD8001

型号：FOD8001 编号：C463968

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD8001 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。此高速逻辑门极光耦合器封装在 8 引脚小型封装中，包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。

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单价：
￥6.27612 / 个

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1 Form A (SPST-NO)

型号：AQV215AZ 编号：C5948031

封装：SMD-6P

品牌：PANASONIC(松下)

特性：控制低电平模拟信号，光电MOS具有极低的闭路失调电压，可无失真地控制低电平模拟信号。控制各种类型的负载，如继电器、电机、灯和螺线管。光耦合实现极高的隔离，与机械继电器不同，光电MOS结合了LED和光电器件，使用光传输信号以实现极高的隔离。无需在输入侧驱动电路中使用反电动势保护二极管。稳定的导通电阻。低电平关态泄漏电流最大为1μA。应用：高速检测机。电话设备

1+
￥24.19
10+
￥20.83
30+
￥18.83
100+
￥16.82
500+
￥15.89
1000+
￥15.47

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3180 编号：C899257

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.03916 / 个

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DC输入 2通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-2430-300E 编号：C2686012

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 2400和HCPL - 2430高速光耦合器将820 nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了极高的数据传输速率和低输入电流。图腾柱输出（HCPL - 2430）或三态输出（HCPL - 2400）无需上拉电阻，可直接驱动数据总线

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1+
￥36.01
10+
￥35.17
50+
￥34.6
100+
￥34.04

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DC输入 1通道隔离电压(rms):2500V@AC

型号：HCPL0501R2 编号：C257710

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX和HCPL04XX光电耦合器包含一个砷化铝镓LED，它光耦合到紧凑型8引脚小尺寸封装中一个高速光电探测器晶体管。

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单价：
￥2.66376 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：6N135SM 编号：C188671

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.3054 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：6N135SVM 编号：C188657

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.4962 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3182 编号：C899263

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.25972 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：FODM8061R2V 编号：C411198

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM8061 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出（开路集电极）光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此光耦合器在输入处包含一个 AlGaAS LED，与高速集成式光电检测器逻辑门级进行光耦合。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。耦合参数在 -40°C 至 +110°C 的宽温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。

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单价：
￥7.88472 / 个

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高共模抑制比、10 Mbps 集电极开路输出型 8 引脚 LSDIP 光电耦合器

型号：PS9924-Y-F3-AX 编号：C6629259

封装：LSDIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款光耦合高速、低电平有效型隔离器，输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧在一个芯片上包含一个光电二极管和一个信号处理电路。

1+
￥82.86
10+
￥71.77
30+
￥65.01
100+
￥59.35

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HCPL0500

型号：HCPL0500 编号：C463038

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由于高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件每个封装具有两个沟道，具有最佳安装密度。

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单价：
￥2.52816 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：TLP108 编号：C39672

封装：SOP-5-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器光耦合而成。采用6引脚MFSOP封装。具有图腾柱输出，能够吸收和提供电流。具有内部法拉第屏蔽，可保证±10kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有反相输出。

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1+
￥4.44
10+
￥4.33
30+
￥4.26
100+
￥4.18

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FOD3184S

型号：FOD3184S 编号：C457717

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.47176 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：FOD060LR2 编号：C903686

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。器件包含可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽具有出色的共模抑制性能，在 1,000V 共模下通常为 50 kV/us。

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5+
￥64.610993
10+
￥61.021493
100+
￥52.645995
1000+
￥48.458245

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FODM611

型号：FODM611 编号：C463973

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM611是一款5V高速逻辑门输出（开路集电极）光电耦合器，支持隔离式通信，允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。该器件采用飞兆专有的共面封装技术，Optoplanar，优化了IC设计，通过高共模瞬变抑制规格特点实现了高抗噪能力。该光电耦合器在输入端包括一个AlGaAS LED，该LED光耦合至一个高速集成光电检测器逻辑门。检测器IC输出是一个开路集电极肖特基箝位晶体管。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 5mA的最大输入信号将提供13mA的最小输出灌电流（扇出为8）。

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单价：
￥4.9212 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3182SDV 编号：C899265

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.59632 / 个

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FOD8480

型号：FOD8480 编号：C605163

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。

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单价：
￥7.38036 / 个

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逻辑输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：ACPL-077L-500E 编号：C691926

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 077L光耦合器采用最新的CMOS IC技术，实现了出色的速度和低功耗性能，最低数据速率达25 MBd，最大脉冲宽度失真为6 ns，并且在系统级IEC 61000 - 4 - X测试（静电放电/电快速瞬变脉冲群/浪涌）中具有更高的可靠性。ACPL - 077L采用SO - 8封装，其基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，该驱动IC为LED提供电流

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10+
￥27.706399
100+
￥23.90356
1000+
￥22.00214

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1 Form A(SPSTNO) 负载负载电压60V

型号：ASSR-1611-001E 编号：C1525255

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由一个AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5 mA时，继电器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。

1+
￥70.53
10+
￥61.22
50+
￥55.55
100+
￥50.79

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KLM453-TA

型号：KLM453-TA 编号：C41414448

封装：SOP-5-175mil

品牌：Kinglight(晶台)

高速光耦，数据传输速率1Mbps，电源电压30V，逻辑低电平的传播延迟时间0.8us，逻辑高电平的传播延迟时间0.8us，电流传输比20~50%,共模瞬变抗扰度15000V/us,工作温度-40~+85℃，隔离电压3750V，SOP5（尺寸4.4x4.1x2.0），TA-铜线

5+
￥1.111
50+
￥1.0863
150+
￥1.0697
500+
￥1.0532

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KLM601-TA

型号：KLM601-TA 编号：C41414450

封装：SOP-5-175mil

品牌：Kinglight(晶台)

高速光耦，数据传输速率10Mbps，电源电压7V，共模瞬变抗扰度5000V/us,输出电流最大值50mA,工作温度-40~+85℃，隔离电压3750V，SOP5（尺寸4.4x4.1x2.0），TA-铜线

5+
￥1.1369
50+
￥1.1115
150+
￥1.0946
500+
￥1.0777

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KLM611-TA

型号：KLM611-TA 编号：C41414451

封装：SOP-5-175mil

品牌：Kinglight(晶台)

高速光耦，数据传输速率10Mbps，电源电压7V，共模瞬变抗扰度15000V/us,输出电流最大值50mA,工作温度-40~+85℃，隔离电压3750V，SOP5（尺寸4.4x4.1x2.0），TA-铜线

5+
￥1.1369
50+
￥1.1115
150+
￥1.0946
500+
￥1.0777

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L3VM 编号：C899487

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥2.14428 / 个

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L2SVM 编号：C899479

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥2.14428 / 个

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