高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.59632 / 个

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型号：FOD3182 编号：C899263

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.25972 / 个

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型号：FODM8061R2V 编号：C411198

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM8061 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出（开路集电极）光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此光耦合器在输入处包含一个 AlGaAS LED，与高速集成式光电检测器逻辑门级进行光耦合。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。耦合参数在 -40°C 至 +110°C 的宽温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。

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￥7.88472 / 个

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型号：ACSL-6310-00TE 编号：C6795992

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

ACSL - 6xx0 是真正的隔离式、多通道双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现了多个光耦合器的单片集成。这些器件采用紧凑的表面贴装封装，具备全双工和双向隔离数据传输及通信能力

1+
￥67.18
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￥58.19
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￥52.71
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￥48.12

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型号：PS9924-Y-F3-AX 编号：C6629259

封装：LSDIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款光耦合高速、低电平有效型隔离器，输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧在一个芯片上包含一个光电二极管和一个信号处理电路。

1+
￥82.86
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￥71.77
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￥65.01
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￥59.35

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型号：KLM453-TA 编号：C41414448

封装：SOP-5-175mil

品牌：Kinglight(晶台)

高速光耦，数据传输速率1Mbps，电源电压30V，逻辑低电平的传播延迟时间0.8us，逻辑高电平的传播延迟时间0.8us，电流传输比20~50%,共模瞬变抗扰度15000V/us,工作温度-40~+85℃，隔离电压3750V，SOP5（尺寸4.4x4.1x2.0），TA-铜线

5+
￥1.111
50+
￥1.0863
150+
￥1.0697
500+
￥1.0532

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型号：KLM452-TA 编号：C41414447

封装：SOP-5-175mil

品牌：Kinglight(晶台)

高速光耦，数据传输速率1Mbps，电源电压30V，逻辑低电平的传播延迟时间0.8us，逻辑高电平的传播延迟时间0.8us，电流传输比20~50%,共模瞬变抗扰度5000V/us,工作温度-40~+85℃，隔离电压3750V，SOP5（尺寸4.4x4.1x2.0），TA-铜线

5+
￥1.111
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￥1.0863
150+
￥1.0697
500+
￥1.0532

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型号：KLM601-TA 编号：C41414450

封装：SOP-5-175mil

品牌：Kinglight(晶台)

高速光耦，数据传输速率10Mbps，电源电压7V，共模瞬变抗扰度5000V/us,输出电流最大值50mA,工作温度-40~+85℃，隔离电压3750V，SOP5（尺寸4.4x4.1x2.0），TA-铜线

5+
￥1.1369
50+
￥1.1115
150+
￥1.0946
500+
￥1.0777

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型号：HCPL0500 编号：C463038

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由于高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件每个封装具有两个沟道，具有最佳安装密度。

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￥2.52816 / 个

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型号：FOD3184S 编号：C457717

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.47176 / 个

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型号：FODM611 编号：C463973

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM611是一款5V高速逻辑门输出（开路集电极）光电耦合器，支持隔离式通信，允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。该器件采用飞兆专有的共面封装技术，Optoplanar，优化了IC设计，通过高共模瞬变抑制规格特点实现了高抗噪能力。该光电耦合器在输入端包括一个AlGaAS LED，该LED光耦合至一个高速集成光电检测器逻辑门。检测器IC输出是一个开路集电极肖特基箝位晶体管。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 5mA的最大输入信号将提供13mA的最小输出灌电流（扇出为8）。

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￥4.9212 / 个

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型号：FOD8480 编号：C605163

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。

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￥7.38036 / 个

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型号：ACPL-077L-500E 编号：C691926

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 077L光耦合器采用最新的CMOS IC技术，实现了出色的速度和低功耗性能，最低数据速率达25 MBd，最大脉冲宽度失真为6 ns，并且在系统级IEC 61000 - 4 - X测试（静电放电/电快速瞬变脉冲群/浪涌）中具有更高的可靠性。ACPL - 077L采用SO - 8封装，其基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，该驱动IC为LED提供电流

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1+
￥19.06875
20+
￥18.306
100+
￥17.54325
200+
￥17.0856
500+
￥16.7805

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型号：HCPL0531R2 编号：C231172

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件的每个封装有两个沟道，具有最佳安装密度。

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单价：
￥4.50624 / 个

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型号：MP6N137-G(B) 编号：C47361124

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

高速光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 数据速率：10Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL：75ns；75ns 电源电压：4.5V~5.5V;2.7~3.6V 高速 10MB/s 逻辑门极光耦合器。

5+
￥1.0712
50+
￥1.0477
135+
￥1.032
495+
￥1.0163

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型号：KLM611-TA 编号：C41414451

封装：SOP-5-175mil

品牌：Kinglight(晶台)

高速光耦，数据传输速率10Mbps，电源电压7V，共模瞬变抗扰度15000V/us,输出电流最大值50mA,工作温度-40~+85℃，隔离电压3750V，SOP5（尺寸4.4x4.1x2.0），TA-铜线

5+
￥1.1369
50+
￥1.1115
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￥1.0946
500+
￥1.0777

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型号：H11L3VM 编号：C899487

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥2.14428 / 个

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型号：H11L2SVM 编号：C899479

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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单价：
￥2.14428 / 个

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型号：H11L2SM 编号：C899477

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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￥2.14428 / 个

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型号：FOD0720 编号：C463016

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD0721/0720/0710 系列利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此类高速逻辑门极光耦合器由与 CMOS 检测器集成电路耦合的 CMOS 集成电路驱动的高速 AlGaAs LED 组成，该检测器集成电路包括集成光电二极管、高速互阻抗放大器和带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。此类器件采用紧凑型 8 引脚小外形封装。

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单价：
￥4.90836 / 个

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型号：HCPL0638R2 编号：C462775

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制。

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单价：
￥6.75072 / 个

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型号：FOD8342T 编号：C900921

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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单价：
￥3.37404 / 个

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型号：6N137VM 编号：C898993

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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单价：
￥3.09348 / 个

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型号：6N137TVM 编号：C898992

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/?s。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/?s。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/?s。

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单价：
￥3.11952 / 个

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型号：6N135SDM 编号：C188669

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.67128 / 个

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型号：6N135SDVM 编号：C188670

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.73788 / 个

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型号：HCPL4503TSR2VM 编号：C898475

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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单价：
￥3.7848 / 个

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型号：FOD8342 编号：C605161

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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单价：
￥3.40368 / 个

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型号：FOD8342TR2V 编号：C899349

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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￥3.561 / 个

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型号：HCPL2611M 编号：C899514

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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