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FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器,具有开路集电极输出,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计,从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。
数据手册
  • 单价:

    ¥7.85724 / 个
FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器,具有开路集电极输出,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计,从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。
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FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器,具有开路集电极输出,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计,从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。
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FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器,具有开路集电极输出,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计,从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。
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FOD8163 系列是一款 3.3 V/5 V 高速逻辑门极光耦合器,具有开路集电极输出,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。FOD8163 系列利用拉伸体封装实现了 8 mm 的漏电和间距 (FOD8163T) 以及优化的集成电路设计,从而实现可靠的高隔离电压和高抗扰性。FOD8163 系列由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成的高速光电检测器组成。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内得以保证。
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FODM8061 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出(开路集电极)光耦合器,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制规定特性。此光耦合器在输入处包含一个 AlGaAS LED,与高速集成式光电检测器逻辑门级进行光耦合。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。耦合参数在 -40°C 至 +110°C 的宽温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。
数据手册
  • 单价:

    ¥7.88472 / 个
FOD3182 是一款 3A 输出电流,高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中,可兼容 260°C 回流工艺,用于实现无引线焊接机合规性。
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  • 单价:

    ¥5.28684 / 个
FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器,能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
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  • 单价:

    ¥4.878 / 个
FODM8071 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出光耦合器,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制规定特性。此高速逻辑门极输出光耦合器封装在紧凑的 5 引脚小扁平封装中,在输入处包含一个高速 AlGaAs LED 与输出处的 CMOS 检测集成电路进行耦合。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合,实现了低能耗以及极高速(60ns 传播延迟、20ns 脉冲宽度失真)。
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  • 单价:

    ¥9.62004 / 个
HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合(单沟道器件)。这些器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极,因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成,而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由采用 CMOS 工艺的双极晶体管组成,用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制。
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  • 单价:

    ¥5.28792 / 个
FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器,能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制规定特性。 它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管,该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
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  • 1+

    ¥19.25
  • 10+

    ¥16.34
  • 30+

    ¥14.52
  • 100+

    ¥12.66
  • 500+

    ¥11.82
  • 1000+

    ¥11.45
  • 订货
  • FOD3184 是一款 3A 输出电流,高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中,可兼容 260°C 回流工艺,用于实现无引线焊接机合规性。
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    • 单价:

      ¥5.44464 / 个
    FODM8061 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出(开路集电极)光耦合器,支持隔离式通信,使得数字信号能够在系统之间进行通信,而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制规定特性。此光耦合器在输入处包含一个 AlGaAS LED,与高速集成式光电检测器逻辑门级进行光耦合。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。耦合参数在 -40°C 至 +110°C 的宽温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。
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    • 单价:

      ¥7.88472 / 个
    HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成,采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容,与传统光电晶体管相比,速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板,可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件的每个封装有两个沟道,具有最佳安装密度。
    数据手册
    • 单价:

      ¥4.50624 / 个
    FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计,可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),用于进行故障感应。
    数据手册
    • 单价:

      ¥21.28956 / 个
    FOD8318 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动大多数 1200 V/150 A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它包含一个集成式门极驱动光耦合器,带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管,可将 IGBT 在轨之间驱动,还包含一个用于故障感应的高速隔离式反馈。FOD8318 具有有源米勒箝位功能,可在高 dv/dt 情况下关闭 IGBT,而无需负电源电压。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计,可实现高抗扰性,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件封装在紧凑型 16 引脚小型塑料封装中,满足 8 毫米漏电和间距要求。
    数据手册
    • 单价:

      ¥21.28956 / 个
    FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计,可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),用于进行故障感应。
    数据手册
    • 单价:

      ¥21.28956 / 个
    FOD8318 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动大多数 1200 V/150 A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它包含一个集成式门极驱动光耦合器,带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管,可将 IGBT 在轨之间驱动,还包含一个用于故障感应的高速隔离式反馈。FOD8318 具有有源米勒箝位功能,可在高 dv/dt 情况下关闭 IGBT,而无需负电源电压。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计,可实现高抗扰性,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件封装在紧凑型 16 引脚小型塑料封装中,满足 8 毫米漏电和间距要求。
    数据手册
    • 单价:

      ¥21.28956 / 个
    FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计,可实现高抗扰性,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器,带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管,可将 IGBT 在轨之间驱动,还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装,满足 8 毫米漏电和间距要求。
    数据手册
    • 单价:

      ¥21.28956 / 个
    FOD8334 是一款 4.0 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8334 提供了一些必需的保护特性,防止发生导致 IGBT 破坏性热崩溃的故障情况。 该器件利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现可靠的高隔离和高抗扰度,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体,16 引脚,小外形塑料封装。 该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的 AlGaAs 发光二极管 (LED),用于进行故障感应。
    • 单价:

      ¥30.64644 / 个
    MOSFET隔离栅极驱动器 传统光耦驱动升级替代品 高CMTI、4A驱动、高速
    数据手册
    • 1+

      ¥56.14
    • 10+

      ¥48.39
    • 30+

      ¥43.28
    • 96+

      ¥39.32
  • 订货
  • 高速光耦,数据传输速率1Mbps,电源电压30V,逻辑低电平的传播延迟时间0.8us,逻辑高电平的传播延迟时间0.8us,电流传输比20~50%,共模瞬变抗扰度5000V/us,工作温度-40~+85℃,隔离电压3750V,SOP5(尺寸4.4x4.1x2.0),TA-铜线
    • 5+

      ¥1.111
    • 50+

      ¥1.0863
    • 150+

      ¥1.0697
    • 500+

      ¥1.0532
  • 订货
  • KPC6N136系列由一个与光控集成电路(OPIC)芯片光耦合的发光二极管(LED)组成。它是一款专为低电路电流设计的高速数字输出型光电耦合器。该产品采用8引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距版本和贴片(SMD)可选
    数据手册
    • 1+

      ¥4.59
    • 10+

      ¥3.7
    • 48+

      ¥3.26
    • 96+

      ¥2.82
    • 480+

      ¥2.56
    • 1008+

      ¥2.42
  • 订货
  • KPC410系列由一个与OPIC芯片光耦合的LED组成。它是一款专为低电路电流设计的高速数字输出型光电耦合器,采用5引脚迷你扁平封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.91
    • 10+

      ¥4
    • 30+

      ¥3.54
    • 100+

      ¥3.09
    • 500+

      ¥2.42
    • 1000+

      ¥2.29
  • 订货
  • 隔离式数据采集测试与测量设备。Si87xx 隔离器引脚兼容,为单通道产品,可直接替代流行的、数据速率高达 15 Mbps 的光耦合器。这些器件可隔离高速数字信号,具备光耦合器解决方案所不具备的性能、可靠性和灵活性优势。Si87xx 系列基于 Silicon Labs 专有的 CMOS 隔离技术,可实现低功耗和高速运行,且能抵御光耦合器中出现的老化效应,这种效应会随着温度升高、正向电流增大和器件老化而降低性能。因此,与光耦合器相比,Si87xx 系列的使用寿命更长,可靠性显著提高。订购选项包括带或不带集成上拉电阻的集电极开路输出以及输出使能选项。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.63
    • 10+

      ¥24.53
    • 30+

      ¥22.09
    • 100+

      ¥19.63
    • 500+

      ¥18.49
    • 1000+

      ¥17.98
  • 订货
  • 专为驱动高功率MOSFET而设计。它由一个AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级和一个输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成,用于外部开关两个独立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时,继电器驱动器开启(触点闭合)。当输入电压为0.8V或更低时,继电器驱动器关闭(触点断开)。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性,可以通过串联连接2个通道来使光伏电压加倍,或者通过并联连接2个通道来使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。
    • 1+

      ¥36.17
    • 10+

      ¥35.32
    • 50+

      ¥34.76
    • 100+

      ¥34.2
  • 订货
  • 高速光耦合器将820 nm的AlGaAs发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出(HCPL-2430)或三态输出(HCPL-2400)无需上拉电阻,并允许直接驱动数据总线。探测器具有内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容的波形,无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力,并最大程度减少输出信号抖动的可能性。HCPL-2400和HCPL-2430的电气和开关特性在0℃至70℃的温度范围内得到保证。
    • 1+

      ¥60.06
    • 10+

      ¥51.61
    • 50+

      ¥46.46
    • 100+

      ¥42.14
  • 订货
  • ACSL - 6xx0 是真正的隔离式、多通道双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现了多个光耦合器的单片集成。这些器件采用紧凑的表面贴装封装,具备全双工和双向隔离数据传输及通信能力
    • 1+

      ¥67.18
    • 10+

      ¥58.19
    • 50+

      ¥52.71
    • 100+

      ¥48.12
  • 订货
  • 光耦合器将820 nm AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由安华高设计和制造的半导体器件组合,为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。 新型低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造,在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器,由于较低的IF和VF规格,在给定的数据速率下,HCPL-2300/HCPL-0300将在更长的线路长度上工作。
    • 单价:

      ¥63.801726 / 个
    6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
    数据手册
    • 单价:

      ¥6.0024 / 个
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