高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-5

FODM8061 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出（开路集电极）光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此光耦合器在输入处包含一个 AlGaAS LED，与高速集成式光电检测器逻辑门级进行光耦合。该检测集成电路的输出是一款开路集电极肖特基箝位晶体管。耦合参数在 -40°C 至 +110°C 的宽温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。

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单价：
￥7.88472 / 个

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型号：FOD8332R2 编号：C132702

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

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750+
￥48.305521
750+
￥35.835014
750+
￥25.782078
750+
￥22.930256
750+
￥21.866326

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型号：FOD8318R2 编号：C898489

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8318 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200 V/150 A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的高速隔离式反馈。FOD8318 具有有源米勒箝位功能，可在高 dv/dt 情况下关闭 IGBT，而无需负电源电压。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件封装在紧凑型 16 引脚小型塑料封装中，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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单价：
￥21.28956 / 个

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型号：FOD8332R2V 编号：C898491

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

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单价：
￥21.28956 / 个

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型号：FOD8318R2V 编号：C898490

封装：SO-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8318 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200 V/150 A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的高速隔离式反馈。FOD8318 具有有源米勒箝位功能，可在高 dv/dt 情况下关闭 IGBT，而无需负电源电压。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件封装在紧凑型 16 引脚小型塑料封装中，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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单价：
￥21.28956 / 个

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型号：FOD8316R2 编号：C80622

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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单价：
￥21.28956 / 个

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型号：FOD8334 编号：C899346

封装：SO-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8334 是一款 4.0 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8334 提供了一些必需的保护特性，防止发生导致 IGBT 破坏性热崩溃的故障情况。该器件利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现可靠的高隔离和高抗扰度，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体，16 引脚，小外形塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的 AlGaAs 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

单价：
￥30.64644 / 个

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型号：SI8261BCC-C-IS 编号：C160667

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

MOSFET隔离栅极驱动器传统光耦驱动升级替代品高CMTI、4A驱动、高速

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1+
￥56.14
10+
￥48.39
30+
￥43.28
96+
￥39.32

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型号：SI8710AC-B-IS 编号：C430289

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

隔离式数据采集测试与测量设备。Si87xx 隔离器引脚兼容，为单通道产品，可直接替代流行的、数据速率高达 15 Mbps 的光耦合器。这些器件可隔离高速数字信号，具备光耦合器解决方案所不具备的性能、可靠性和灵活性优势。Si87xx 系列基于 Silicon Labs 专有的 CMOS 隔离技术，可实现低功耗和高速运行，且能抵御光耦合器中出现的老化效应，这种效应会随着温度升高、正向电流增大和器件老化而降低性能。因此，与光耦合器相比，Si87xx 系列的使用寿命更长，可靠性显著提高。订购选项包括带或不带集成上拉电阻的集电极开路输出以及输出使能选项。

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1+
￥10.283
50+
￥9.492
100+
￥9.0965
500+
￥8.8592
1000+
￥8.701

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型号：HCPL-2400-300E 编号：C6795965

封装：PDIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器将820 nm的AlGaAs发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出（HCPL-2430）或三态输出（HCPL-2400）无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。HCPL-2400和HCPL-2430的电气和开关特性在0℃至70℃的温度范围内得到保证。

1+
￥60.06
10+
￥51.61
50+
￥46.46
100+
￥42.14

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型号：HCPL2631SDM 编号：C899529

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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100+
￥6.077
500+
￥5.768
1000+
￥5.665
2000+
￥5.562

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型号：HCPL2631SD 编号：C16382

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137、HCPL2601、HCPL2611单通道和HCPL2630、HCPL2631双通道光耦合器由一个850 nm AlGaAS LED组成，光耦合到一个具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。该输出具有集电极开路特性，因此允许线或输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证。

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1+
￥20
20+
￥19.2
100+
￥18.4
200+
￥17.92
500+
￥17.6

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型号：HCPL0453R2 编号：C463997

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由于高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件每个封装具有两个沟道，具有最佳安装密度。

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单价：
￥3.5832 / 个

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型号：HCPL2630SD 编号：C46037

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

单通道和双通道光耦合器由一个850nm AIGaAS LED组成，光耦合到一个具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。该输出具有集电极开路特性，因此允许线或输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证。最大5mA的输入信号将提供最小13mA的输出灌电流（扇出为8）。内部噪声屏蔽可提供典型值为10kV/μs的卓越共模抑制能力。HCPL2601和HCPL2631的最小共模抑制比为5kV/μs，HCPL2611的最小共模抑制比为10kV/μs。

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1+
￥19.01
10+
￥16.24
30+
￥14.59
100+
￥12.29
500+
￥11.52
1000+
￥11.17

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型号：6N136-X009 编号：C2971983

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

6N135 和 6N136 是采用 GaAIAs 红外发光二极管的光耦合器，与由光电二极管和高速晶体管组成的集成光电探测器进行光耦合，采用 DIP - 8 塑料封装。信号可在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。待耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压

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1+
￥6.54
10+
￥5.46
50+
￥4.87
100+
￥4.2
500+
￥3.9
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