高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

是真正隔离的、多通道和双向的高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输及通信能力。有15Mbd的速度选项和较宽的电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。有8引脚和16引脚窄体SOIC封装，工作温度范围为 -40°C至 +100°C

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型号：HCPL4503TSVM 编号：C899554

封装：SOP-8-2.54mm

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：H11N1M 编号：C463996

封装：PDIP-6

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：NCID9411 编号：C2902261

封装：SOIC-16-300mil

是一种具有输出使能功能的电隔离高速四通道数字隔离器。该设备支持隔离通信，从而允许数字信号在系统之间进行通信，而不会传导接地环路或危险电压。它采用了专利的电隔离片外电容隔离技术和优化的IC设计，以实现高绝缘性和高抗噪性，具有高共模抑制和电源抑制规格。厚陶瓷基板产生的电容器的厚度是薄膜片上电容器和无芯变压器的约25倍。结果是数字隔离器提供的电气性能优势与类似于光耦合器历史上提供的>0.5mm绝缘屏障的安全可靠性相结合。该设备采用16引脚宽体小外形封装。

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型号：NCID9210R2 编号：C2902216

封装：SOIC-16-300mil

是一种完全双工、双向、高速双通道数字隔离器，支持隔离通信，允许数字信号在系统之间通信，而不会传导接地环路或危险电压。利用专利的电流隔离技术和优化的IC设计，实现高绝缘和高抗噪性，具有高共模抑制和电源抑制规格。厚陶瓷基板产生的电容器的厚度是薄膜片上电容器和无芯变压器的25倍左右。结合了数字隔离器的电气性能优势和类似于光耦合器的0.5mm绝缘体屏障的安全可靠性。采用16引脚宽体小外形封装。

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型号：ASSR-4120-502E 编号：C6800675

封装：DIP-8-300mil

博通ASSR - 41xx系列由一个与高压输出检测电路光耦合的砷化铝镓红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。单通道配置的ASSR - 4110和ASSR - 4111相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR - 4120相当于2个A型EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装可供选择。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有明确规定。它们用于信号和低功率交流/直流负载的通用开关。ASSR - 4111支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流Io增加到0.24A，导通电阻R(ON)降至8.5Ω。

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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8

高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。

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型号：FOD8320R2V 编号：C899341

封装：SOIC-5-9.2mm

FOD8320 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的 Optoplanar 共面封装封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED) 组成，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。该器件采用宽体，5 引脚，小外形塑料封装。

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型号：HCPL-2430-500E 编号：C43019

封装：SOP-8-2.54mm

高速光耦合器将 820nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。HCPL2400 和 HCPL-2430 的电气和开关特性在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内得到保证。

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型号：TLP3407SRL(TP,E 编号：C1880963

封装：VSON-4(1.5x2)

TLP3407SRL光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用S-VSON4T封装。TLP3407SRL的特点是导通电阻极小，能够实现高达1 A电流的通/断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用

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型号：ACSL-6420-50TE 编号：C6854640

封装：SOIC-16

是真正的隔离式多通道双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输及通信能力。具有 15Mbd 速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。提供 8 引脚和 16 引脚窄体 SOIC 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +100°C。

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型号：OPI1268 编号：C7502138

封装：DIP-5

品牌：TT Electronics

是一款具有数字输出的高压隔离器，能够进行高速数据传输。输入部分由一个峰值波长为850 nm的高效GaAlAs LED组成，该LED与输出光IC进行光耦合。输出IC中的光电二极管检测输入的调制光并将其转换为相应的电流。该电流被输入到一个经过温度、电流和电压补偿的高增益线性放大器中。其结果是具有集电极开路反相器配置的高度稳定的数字输出。该设备在输入和输出电路之间产生直流和交流电压隔离，同时保证TTL信号的完整性。

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型号：6N137S 编号：C48783759

封装：SMD-8P

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

逻辑输出光耦是一款用于信号隔离与传输的电子元器件，适用于需要电气隔离的电路设计场景。该器件输入类型为DC，工作电压为5.5V，支持高达10Mbps的数据传输速率，能够满足高速信号处理的需求。同时具备5kVrms的隔离电压能力，有效保障系统安全性与稳定性。其典型应用包括电源管理、通信接口隔离、传感器信号传输等领域，适合对信号完整性与抗干扰要求较高的电路环境。

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型号：H11L2SR2M 编号：C899478

封装：SOP-6-2.54mm

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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型号：HCNW136-000E 编号：C6795879

封装：DIP-8

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用，在IF = 16mA时，这些器件的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：TLP5702H(D4-TP,E 编号：C5798537

封装：SOIC-6-300mil

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由一个红外LED与一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达125℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±50kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于中小型IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：HCPL-4562-300E 编号：C17341733

封装：DIP-8

提供用于模拟信号的宽带隔离。与应用电路结合使用时，非常适合视频隔离。通过AlGaAs LED与高速探测器相结合，实现高线性度和低相移。单通道光耦合器，有8引脚DIP和宽体封装配置。

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型号：PS9124-F3-AX 编号：C6148735

封装：SO-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合高速、低电平有效型隔离器，在一个芯片上，输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。

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型号：TLP3375(TP15,F) 编号：C38203615

封装：-

由与红外 LED 光耦合的光电 MOSFET 组成，采用 4 引脚 USOP 封装。设计用于实现快速上升时间并减少信号衰减，主要适用于替代机械继电器，用作高速测试仪中的开关设备。

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型号：HCPL-4701-000E 编号：C692051

封装：DIP-8

这些器件是低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。每个通道可以用低至 40μA 的输入电流驱动，典型电流传输比为 3500%。这些高增益耦合器使用 AlGaAs 发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行

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型号：TLP3409S(TP,E 编号：C2653910

封装：VSON-4(1.5x2)

由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成，采用S-VSON4封装。具有非常小的导通电阻，能够进行高达0.65A电流的通断切换，适用于高速测试仪中的开关应用。

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型号：ASSR-V622-502E 编号：C5570511

封装：DIP-8

该系列专为驱动高功率MOSFET而设计，由一个与输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于外部开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时，继电器驱动器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器驱动器关闭（触点断开）。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性，可通过串联连接2个通道使光伏电压加倍，或通过并联连接2个通道使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。

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型号：PS8101-AX 编号：C17653195

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离器，在发光二极管（输入侧）包含一个AlGaAs LED，在输出侧的一个芯片上包含一个PIN光电二极管和一个高速放大器晶体管。这是一种用于高密度应用的塑料SOP（小外形封装）类型。

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型号：FOD8332 编号：C462757

封装：SO-16-300mil

FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

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型号：PS8352AL2-E3-AX 编号：C17627007

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离放大器，输入侧采用带有高精度Σ-Δ A/D转换器的IC和具有高速响应及高发光效率的AlGaAs发光二极管，输出侧采用带有高精度D/A转换器的IC。专为高共模瞬态抗扰度（CMTI）和高线性度（非线性）而设计，用于电流和电压感应。

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型号：ASSR-1420-302E 编号：C1558760

封装：DIP-8

博通ASSR - 14XX系列包含一个铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级，该输入级与高压输出检测电路进行光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于控制两个分立高压MOSFET的开关。当输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）

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型号：TLP109(TPL,E 编号：C2931197

封装：SOIC-5-4.4mm

小型扁平耦合器，适用于表面贴装组装。由高输出功率红外 LED 与高速光电二极管晶体管芯片光耦合而成。采用 SO6 封装，保证爬电距离 ≥ 5.0 mm、电气间隙 ≥ 5.0 mm 和绝缘厚度 ≥ 0.4 mm。因此，该耦合器符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：ACPL-M62L-500E 编号：C6733637

封装：SOIC-5-175mil

是一种光耦合器，结合了AlGaAs发光二极管和集成高增益光电探测器，满足低功耗需求。该光耦合器在整个温度范围内最大Ipo功耗为1.5mA，正向电流低至2mA，因此允许大多数微处理器进行直流驱动。支持3.3V和5V电源电压，在-40°C至+105°C范围内保证交流和直流工作参数。探测器IC的输出为开漏类型，内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现最大交流和直流电路隔离的同时，实现了TTL/CMOS兼容性。这些光耦合器适用于高速逻辑接口，同时功耗极低。

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型号：ASSR-1218-003E 编号：C1525239

封装：SO-4