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H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：FOD3180SDV 编号：C899259

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：FOD3182SV 编号：C899266

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：ACSL-6210-00RE 编号：C6795961

封装：SOIC-8

是真正隔离的、多通道和双向的高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输及通信能力。有15Mbd的速度选项和较宽的电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。有8引脚和16引脚窄体SOIC封装，工作温度范围为 -40°C至 +100°C

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型号：NCID9401R2 编号：C2902043

封装：SOIC-16-300mil

NCID9401、NCID9411、NCID9400和NCID9410是带输出使能的四通道高速电流隔离型数字隔离器。该器件支持隔离通信，从而允许数字信号在系统之间进行通信，而不会形成接地环路或传导危险电压。它采用安森美半导体（onsemi）获得专利的电流型片外电容隔离技术和优化的集成电路设计，以实现高绝缘性和高抗噪性，具有高共模抑制和电源抑制特性。厚陶瓷衬底所制成的电容器，其厚度约为片上薄膜电容器和无芯变压器的25倍。因此，该器件兼具数字隔离器的电气性能优势，以及类似传统光耦合器所具备的大于0.5mm绝缘屏障的安全可靠性。该器件采用16引脚宽体小外形封装。

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型号：ASSR-1411-001E 编号：C5555230

封装：DIP-6

该系列由与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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型号：ACSL-6300-50TE 编号：C6800668

封装：SO-16

是真正隔离的多通道和双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输与通信能力。提供15Mbd速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。有8引脚和16引脚窄体SOIC封装，工作温度范围为 -40℃至 +100℃。

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型号：PS9121-F3-AX 编号：C5334559

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款光耦合高速、低电平有效型隔离器，在一个芯片上，输入侧包含一个铝镓砷 (AlGaAs) 发光二极管，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。专为高共模瞬态抗扰度 (CMR) 和低脉冲宽度失真而设计，适用于高密度应用。

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型号：NCID9411 编号：C2902261

封装：SOIC-16-300mil

是一种具有输出使能功能的电隔离高速四通道数字隔离器。该设备支持隔离通信，从而允许数字信号在系统之间进行通信，而不会传导接地环路或危险电压。它采用了专利的电隔离片外电容隔离技术和优化的IC设计，以实现高绝缘性和高抗噪性，具有高共模抑制和电源抑制规格。厚陶瓷基板产生的电容器的厚度是薄膜片上电容器和无芯变压器的约25倍。结果是数字隔离器提供的电气性能优势与类似于光耦合器历史上提供的>0.5mm绝缘屏障的安全可靠性相结合。该设备采用16引脚宽体小外形封装。

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型号：ASSR-4120-502E 编号：C6800675

封装：DIP-8-300mil

博通ASSR - 41xx系列由一个与高压输出检测电路光耦合的砷化铝镓红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。单通道配置的ASSR - 4110和ASSR - 4111相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR - 4120相当于2个A型EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装可供选择。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有明确规定。它们用于信号和低功率交流/直流负载的通用开关。ASSR - 4111支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流Io增加到0.24A，导通电阻R(ON)降至8.5Ω。

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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8

高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。

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型号：HCPL-2430-500E 编号：C43019

封装：SOP-8-2.54mm

高速光耦合器将 820nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。HCPL2400 和 HCPL-2430 的电气和开关特性在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内得到保证。

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型号：TLP3407SRL(TP,E 编号：C1880963

封装：VSON-4(1.5x2)

TLP3407SRL光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用S-VSON4T封装。TLP3407SRL的特点是导通电阻极小，能够实现高达1 A电流的通/断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用

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型号：ACSL-6420-50TE 编号：C6854640

封装：SOIC-16

是真正的隔离式多通道双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输及通信能力。具有 15Mbd 速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。提供 8 引脚和 16 引脚窄体 SOIC 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +100°C。

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型号：HCPL-4506-C1L0 编号：C19185363

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-4506 高速光电耦合器采用一个GaAsP 的LED。LED 光耦合到一个集成高增益光电检测器上。此光耦通过减少开关死区时间，来最小化器件之间的传输延迟差，为提高逆变器效率提供优良的解决方案。

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型号：H11L1TVM 编号：C899475

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：H11L3SR2VM 编号：C899485

封装：SOP-6-2.54mm

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：TLP5772(D4-TP,E 编号：C7361695

封装：SOIC-6-300mil

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。特别地，该光耦合器保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。此外，它具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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型号：H11L2SR2M 编号：C899478

封装：SOP-6-2.54mm

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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型号：FOD260LSD 编号：C899215

封装：SOP-8-2.54mm

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/us。

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型号：HCNW136-000E 编号：C6795879

封装：DIP-8

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用，在IF = 16mA时，这些器件的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：HCPL0534 编号：C891325

封装：SOIC-8

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件的每个封装有两个沟道，具有最佳安装密度。

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型号：TLP5702H(D4-TP,E 编号：C5798537

封装：SOIC-6-300mil

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由一个红外LED与一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达125℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±50kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于中小型IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：H11N1SR2VM 编号：C899490

封装：SOP-6-2.54mm

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：HCPL-4562-300E 编号：C17341733

封装：DIP-8

提供用于模拟信号的宽带隔离。与应用电路结合使用时，非常适合视频隔离。通过AlGaAs LED与高速探测器相结合，实现高线性度和低相移。单通道光耦合器，有8引脚DIP和宽体封装配置。

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型号：TLP3375(TP15,F) 编号：C38203615

封装：-

由与红外 LED 光耦合的光电 MOSFET 组成，采用 4 引脚 USOP 封装。设计用于实现快速上升时间并减少信号衰减，主要适用于替代机械继电器，用作高速测试仪中的开关设备。

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型号：HCPL4503TSVM 编号：C899554

封装：SOP-8-2.54mm

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：H11N1M 编号：C463996

封装：PDIP-6

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：HCPL-4701-000E 编号：C692051

封装：DIP-8