高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

是非常小外形无铅光电继电器，适用于表面贴装组件。由与光电MOSFET光耦合的红外LED组成，采用VSON 4引脚封装。具有低输出电容COFF，因此可实现高频信号的快速开/关切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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1+
￥29.03
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￥28.35
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￥27.91

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型号：TLP3409S(TP,E 编号：C2653910

封装：VSON-4(1.5x2)

由与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成，采用S-VSON4封装。具有非常小的导通电阻，能够进行高达0.65A电流的通断切换，适用于高速测试仪中的开关应用。

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￥44.85
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￥38.63
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型号：CY6N136 编号：C3018820

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

光耦合器由一个 AlGaAs LED 和高速光电晶体管组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。

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￥1.8884
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型号：CY6N136S(TP1) 编号：C3018821

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：OCIC(卓睿科)

CY6N135、CY6N136光耦合器由一个AlGaAs LED和高速光电晶体管组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。

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1+
￥2.0282
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型号：QX6N130-CuH-S 编号：C52164457

封装：SMD-8P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD8封装1M高速光耦 5000V隔离电压，电源电压：7V

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型号：6N135-000E-AXW 编号：C46597932

封装：DIP-8

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

1Mbps 高速逻辑光耦,DIP8

1+
￥2.268 ￥2.52
10+
￥1.791 ￥1.99
45+
￥1.593 ￥1.77
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￥1.341 ￥1.49
495+
￥1.224 ￥1.36
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￥1.152 ￥1.28

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型号：6N138-000E-AXW 编号：C46597934

封装：DIP-8

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

1Mbps 高速逻辑光耦,CTR 300-2600%,DIP8

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￥2.268 ￥2.52
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￥1.791 ￥1.99
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￥1.593 ￥1.77
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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C5960938

封装：SO-6-300mil

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥4.15
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￥3.32
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￥2.9

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型号：H11L3SR2M 编号：C899484

封装：SOP-6-2.54mm

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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1+
￥6.22
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型号：TLP2761(D4-TP4,E 编号：C24267845

封装：SO-6L

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥7.45
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型号：6N135VM 编号：C188656

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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￥9.06
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￥7.52
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￥6.68

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型号：TLP2662(F) 编号：C5346751

封装：DIP-8

由高强度GaAs红外发光二极管(LED)与高增益、高速感光芯片光耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制能力，可将抗噪性提高至±20kV/μs。

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￥9.28
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￥9.07
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￥8.93

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型号：HCPL-0452-500E 编号：C692008

封装：SO-8

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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￥9.38
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￥7.09

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型号：H11L2M 编号：C258255

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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￥10.09
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型号：HCPL2631SM 编号：C899531

封装：SOP-8-2.54mm

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥16.81
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型号：ACPL-M61L-000E 编号：C6114664

封装：SOIC-5-175mil

低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道IDD电流最大为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证共模瞬态抗扰度规格最高为20 kV/μs，在保持TTL/CMOS兼容性的同时实现最大AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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￥15.06

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型号：ACPL-P484-000E 编号：C22380071

封装：SO-6

ACPL-M484/P484/W484高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的绝佳解决方案

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￥20.24
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￥17.32
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型号：VOIH72AT 编号：C27909809

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

是单通道 25 MBd 高速光耦合器，采用 CMOS 技术。利用输入 LED 驱动器与高速红外发射二极管 (IRED) 以及集成光探测器 IC 相结合。具有真正的数字输入和输出接口，最大脉冲宽度失真极低，仅为 6 ns，且抗噪性高，最低为 20 kV/μs，便于集成到数字逻辑系统中。

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￥20.65
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￥20.12
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型号：ASSR-4110-003E 编号：C5555234

封装：SOP-4-2.54mm

该系列由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）

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￥29.3
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￥25.14
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型号：NCID9210R2 编号：C2902216

封装：SOIC-16-300mil

是一种完全双工、双向、高速双通道数字隔离器，支持隔离通信，允许数字信号在系统之间通信，而不会传导接地环路或危险电压。利用专利的电流隔离技术和优化的IC设计，实现高绝缘和高抗噪性，具有高共模抑制和电源抑制规格。厚陶瓷基板产生的电容器的厚度是薄膜片上电容器和无芯变压器的25倍左右。结合了数字隔离器的电气性能优势和类似于光耦合器的0.5mm绝缘体屏障的安全可靠性。采用16引脚宽体小外形封装。

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￥32.84
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￥32.02
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￥31.47

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型号：ASSR-4128-502E 编号：C2152267

封装：DIP-8

ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流增加到0.2A，导通电阻R(ON)降至10Ω。

1+
￥38.65
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￥32.69
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￥29.05
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型号：FOD8332 编号：C462757

封装：SO-16-300mil

FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

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￥47.87
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￥41.29
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￥37.28

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型号：ASSR-1420-302E 编号：C1558760

封装：DIP-8