高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

由一个与高速光电探测器晶体管光耦合的AlGaAs LED组成。光电二极管偏置的独立连接通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级的速度。内部噪声屏蔽提供了10kV/µs的卓越共模抑制能力。改进的封装允许480V的工作电压，而行业标准为220V。

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型号：ACPL-M61L-000E 编号：C6114664

封装：SOIC-5-175mil

低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道IDD电流最大为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证共模瞬态抗扰度规格最高为20 kV/μs，在保持TTL/CMOS兼容性的同时实现最大AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：FOD3180S 编号：C899258

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：6N135-000E-AXW 编号：C46597932

封装：DIP-8

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

1Mbps 高速逻辑光耦,DIP8

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￥1.215 ￥1.35
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型号：ICPL2601 编号：C255749

封装：DIP-8

品牌：ISOCOM(英国安数光)

由一个红外发光二极管组成，光耦合到一个带可选通输出的高速集成光电探测器逻辑门。

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￥1.5888 ￥3.31
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型号：CY6N136 编号：C3018820

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

光耦合器由一个 AlGaAs LED 和高速光电晶体管组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。

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型号：QX6N130-CuH-S 编号：C52164457

封装：SMD-8P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD8封装1M高速光耦 5000V隔离电压，电源电压：7V

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型号：H11L3SR2M 编号：C899484

封装：SOP-6-2.54mm

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：CYHCPL2531S(TP1) 编号：C20417311

封装：SOP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

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型号：TLP2361(E 编号：C6285467

封装：SO-6,5LEAD

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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￥6.67
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型号：6N135VM 编号：C188656

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：H11L2M 编号：C258255

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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￥10.09
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￥8.38
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型号：HCPL2531SDVM 编号：C899501

封装：SOP-8-2.54mm

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：ASSR-1411-001E 编号：C5555230

封装：DIP-6

该系列由与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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￥25.76
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型号：TLP3441(TP,F 编号：C2152054

封装：VSON-4(1.5x2.5)

是非常小外形无铅光电继电器，适用于表面贴装组件。由与光电MOSFET光耦合的红外LED组成，采用VSON 4引脚封装。具有低输出电容COFF，因此可实现高频信号的快速开/关切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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￥27.97
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型号：ACSL-6300-50TE 编号：C6800668

封装：SO-16

是真正隔离的多通道和双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输与通信能力。提供15Mbd速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。有8引脚和16引脚窄体SOIC封装，工作温度范围为 -40℃至 +100℃。

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￥28.2
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型号：PS9121-F3-AX 编号：C5334559

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款光耦合高速、低电平有效型隔离器，在一个芯片上，输入侧包含一个铝镓砷 (AlGaAs) 发光二极管，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。专为高共模瞬态抗扰度 (CMR) 和低脉冲宽度失真而设计，适用于高密度应用。

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型号：HCPL-2430-300E 编号：C2686012

封装：SOP-8-2.54mm

HCPL - 2400和HCPL - 2430高速光耦合器将820 nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了极高的数据传输速率和低输入电流。图腾柱输出（HCPL - 2430）或三态输出（HCPL - 2400）无需上拉电阻，可直接驱动数据总线

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型号：HCPL-2430-000E 编号：C24750

封装：DIP-8

高速光耦合器将 820 nm 的 AlGaAs 发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了非常高的数据速率能力和低输入电流。图腾柱输出或三态输出无需上拉电阻，并允许直接驱动数据总线。探测器具有带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。迟滞特性提供差模抗噪能力，并最大程度减少输出信号抖动的可能性。在 0℃ 至 70℃ 的温度范围内保证电气和开关特性。

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￥36.95
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￥36.09
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型号：6N137-GV 编号：C52200864

封装：DIP8

品牌：MP(美禄科技)

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 数据速率：10Mbit/s 传播延迟tpLH/tpHL：75ns；75ns 电源电压：4.5V~5.5V 高速 10MB/s 逻辑门极光耦合器。

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￥1.1268
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￥1.102
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型号：ICPL0601 编号：C393524

封装：SOP-8

品牌：ISOCOM(英国安数光)

由一个红外发光二极管组成，光耦合到一个带可选通输出的高速集成光电探测器逻辑门。

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￥2.4395 ￥6.97
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￥1.455 ￥5.82
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￥0.777 ￥5.18
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￥0.6015 ￥4.01

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型号：H11L1TVM 编号：C899475

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥3.17
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￥3.09
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￥3.04

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型号：LTV-0501 编号：C2961004

封装：SO-8

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 0501由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。为光电二极管偏置进行的连接通过减小基极 - 集电极电容，提高了传统光电晶体管耦合器的速度

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￥3.89
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￥2.71

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C5960938

封装：SO-6-300mil

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥4.15
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￥3.32
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￥2.9

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型号：TLP108 编号：C39672

封装：SOP-5-175mil

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器光耦合而成。采用6引脚MFSOP封装。具有图腾柱输出，能够吸收和提供电流。具有内部法拉第屏蔽，可保证±10kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有反相输出。

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￥4.82
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￥4.71
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￥4.64

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型号：FODM611R2 编号：C463974

封装：SOIC-5

FODM611是一款5V高速逻辑门输出（开路集电极）光电耦合器，支持隔离式通信，允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。该器件采用飞兆专有的共面封装技术，Optoplanar，优化了IC设计，通过高共模瞬变抑制规格特点实现了高抗噪能力。该光电耦合器在输入端包括一个AlGaAS LED，该LED光耦合至一个高速集成光电检测器逻辑门。检测器IC输出是一个开路集电极肖特基箝位晶体管。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 5mA的最大输入信号将提供13mA的最小输出灌电流（扇出为8）。

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￥5.52
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￥5.4
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型号：H11L3SR2VM 编号：C899485

封装：SOP-6-2.54mm

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥5.51
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￥5.42

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型号：H11L3M 编号：C899482

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥6.48
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￥5.75
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￥4.93

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型号：ACPL-P481-500E 编号：C691962

封装：SO-6-4.6mm