高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：6N136-000E-AXW 编号：C46597931

封装：DIP-8

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

1Mbps 高速逻辑光耦,DIP8

1+
￥2.268 ￥2.52
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￥1.791 ￥1.99
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￥1.593 ￥1.77
90+
￥1.341 ￥1.49
495+
￥1.224 ￥1.36
990+
￥1.152 ￥1.28

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型号：FOD3120TV 编号：C899242

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥10.295 ￥14.5
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￥7.5457 ￥12.37
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￥5.6304 ￥11.04
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￥4.9368 ￥9.68
500+
￥4.6206 ￥9.06
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￥4.488 ￥8.8

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型号：SFH6316T 编号：C2838496

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

高速光耦合器由 GaAlAs 红外发射二极管、集成光电探测器和高速晶体管组成。光电探测器与晶体管结隔离，以减少米勒电容效应。集电极开路输出功能允许电路设计人员在与不同逻辑系统（如 TTL、CMOS 等）接口时调整负载条件。带有法拉第屏蔽的型号可抑制和最小化高输入到输出的共模瞬态电压，且无基极连接，进一步降低进入封装的潜在电气噪声。采用行业标准 SOIC-8 封装，适用于表面贴装。

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1+
￥12.8
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￥11.13
30+
￥10.08

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型号：ACPL-P484-000E 编号：C22380071

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M484/P484/W484高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的绝佳解决方案

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￥19.6
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￥16.68
50+
￥14.95

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型号：ADUM3440CRWZ 编号：C7423132

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

是四通道数字隔离器，基于iCoupler技术，支持高达150 Mbps的数据速率。结合高速CMOS和单片空心变压器技术，性能优于光耦合器等替代产品。避免使用LED和光电二极管，消除了与光耦合器相关的设计难题，如不确定的电流传输比、非线性传输函数以及温度和寿命影响。无需外部驱动器和其他分立组件。功耗仅为光耦合器的十分之一到六分之一。提供四种独立的隔离通道，有多种通道配置。工作时两侧的电源电压范围为3.0 V至5.5 V，与低电压系统兼容，并能实现隔离屏障上的电压转换功能。具有低脉冲宽度失真和紧密的通道间匹配特性。拥有专利的刷新功能，可确保在没有输入逻辑转换以及上电/掉电条件下的直流正确性。

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￥66.28
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￥56.89
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￥51.17

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型号：ASSR-1611-301E 编号：C22379958

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为5 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。

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￥75.62
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￥64.38
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￥57.52

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型号：6N136-L 编号：C194516

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6 由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

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1+
￥3.36
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￥2.82
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￥2.58

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型号：TLP5701(TP4,E 编号：C5362149

封装：SO-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一个采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个红外LED和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合组成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥4.28
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￥3.42
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￥2.99
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￥2.56
500+
￥2.3
1500+
￥2.17

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型号：QXH611-CuH-L 编号：C52164473

封装：LSOP-8

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

LSOP8封装10M高速光耦，7500V隔离电压，电源电压：7V

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￥10.26
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￥8.72
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￥7.76
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￥6.78
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￥6.33
800+
￥6.14

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型号：HCPL0501 编号：C463998

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX和HCPL04XX光电耦合器包含一个砷化铝镓LED，它光耦合到紧凑型8引脚小尺寸封装中一个高速光电探测器晶体管。

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1+
￥13.14
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￥11.21
30+
￥10.01

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型号：FOD060L 编号：C891157

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

此类光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。器件包含可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽具有出色的共模抑制性能，在 1,000V 共模下通常为 50 kV/us。

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1+
￥13.88
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￥11.75
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￥10.42

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型号：FOD3120SDV 编号：C605156

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥15.56
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￥13.18
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￥11.69

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型号：FODM8071 编号：C463484

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM8071 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此高速逻辑门极输出光耦合器封装在紧凑的 5 引脚小扁平封装中，在输入处包含一个高速 AlGaAs LED 与输出处的 CMOS 检测集成电路进行耦合。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、20ns 脉冲宽度失真）。

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1+
￥17.6
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￥17.21
30+
￥16.95

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型号：HCPL-0300-000E 编号：C6795998

封装：SOT-ALL-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器将820nm的AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由设计和制造的半导体器件组合，为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器，由于较低的IF和VF规格，在给定数据速率下，该器件可在更长的线路长度上工作。

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￥51.0476 ￥75.07
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￥44.2204 ￥65.03
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￥40.052 ￥58.9
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￥36.5636 ￥53.77

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型号：HCPL-2300 编号：C6796003

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器将 820 nm AlGaAs 光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种半导体器件组合为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速 AlGaAs 发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的 RS-232-C 接口。作为线路接收器，由于较低的 IF 和 VF 规格，在给定数据速率下，其可在更长的线路长度上工作。

1+
￥53.8146 ￥85.42
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￥46.6137 ￥73.99
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￥42.2226 ￥67.02
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￥38.5434 ￥61.18

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型号：6N138-000E-AXW 编号：C46597934

封装：DIP-8

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

1Mbps 高速逻辑光耦,CTR 300-2600%,DIP8

1+
￥1.215 ￥1.35
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￥1.188 ￥1.32
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￥1.17 ￥1.3
90+
￥1.152 ￥1.28

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型号：CY6N137 编号：C970352

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CY6N137光耦合器由一个850纳米的AlGaAS LED和一个集成光电探测器高速逻辑门输出器件组成。它的封装形式有DIP-8和SMD-8。屏蔽提供了典型值为10 KV/μs优越的共模抑制典型。CY6N137的最低共模抑制比为5KV/μs

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5+
￥1.8901
50+
￥1.4575
150+
￥1.2866

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型号：CY6N136S(TP1) 编号：C3018821

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：OCIC(卓睿科)

CY6N135、CY6N136光耦合器由一个AlGaAs LED和高速光电晶体管组成。通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，光电二极管偏置的单独连接将速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。

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1+
￥2.0282
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￥1.5998
30+
￥1.4162

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型号：QX0500-CuH-S 编号：C52164463

封装：SOP-8

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP8封装1M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：6V

5+
￥2.0453
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￥1.6169
150+
￥1.4333
500+
￥1.2042
2000+
￥1.1022

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型号：6N137S(T1) 编号：C191867

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：CT MICRO

6N137、CT2601 光耦合器由一个 850nm 的铝镓砷（AlGaAS）发光二极管（LED）和一个高速集成光电探测器逻辑门组成，该逻辑门带有可选通输出。此输出为集电极开路，因此允许进行线或输出。开关参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内有保证

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5+
￥2.3695
50+
￥1.9259
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￥1.7359

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型号：HCPL-4506-C1L0 编号：C19185363

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-4506 高速光电耦合器采用一个GaAsP 的LED。LED 光耦合到一个集成高增益光电检测器上。此光耦通过减少开关死区时间，来最小化器件之间的传输延迟差，为提高逆变器效率提供优良的解决方案。

1+
￥2.983 ￥3.14
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￥2.698 ￥2.84
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￥2.09 ￥2.2
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￥1.9475 ￥2.05
500+
￥1.862 ￥1.96
1000+
￥1.824 ￥1.92

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型号：ICPLM601 编号：C255750

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：ISOCOM(英国安数光)

ICPLM600 和 ICPLM601 器件均由一个红外发光二极管与一个高速集成光电探测器逻辑门光耦合而成。这些器件属于 Isocom 紧凑型光耦合器系列。

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1+
￥2.9971 ￥6.97
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￥1.9206 ￥5.82
30+
￥1.1914 ￥5.18
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￥1.0281 ￥4.47
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￥0.9545 ￥4.15
1000+
￥0.9223 ￥4.01

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型号：CYHCPL2530 编号：C47115513

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

1+
￥3.27
10+
￥3.2
50+
￥3.15

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型号：QXW611-CuH-P 编号：C52164469

封装：SOP-6

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP6封装10M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：7V

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￥5.79
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￥4.69
30+
￥4.14
100+
￥3.59
500+
￥3.27
1000+
￥3.1

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型号：6N136-X007T 编号：C241873

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器带有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

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1+
￥6.65
10+
￥5.51
30+
￥4.89

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型号：EL0631(TA)-V 编号：C110806

封装：SOIC-8

品牌：EVERLIGHT(亿光)

带VDE认证，双通道光耦，10M高速光耦

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1+
￥7.42
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￥6.23
30+
￥5.58
100+
￥4.84
500+
￥4.01
1000+
￥3.86

有货

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型号：TLP2761(D4-TP4,E 编号：C24267845

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

1+
￥7.45
10+
￥6.19
30+
￥5.49
100+
￥4.71

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型号：TLP2662(F) 编号：C5346751

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管(LED)与高增益、高速感光芯片光耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制能力，可将抗噪性提高至±20kV/μs。

数据手册

1+
￥8.67
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￥8.45
50+
￥8.31

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型号：FOD260LSD 编号：C899215

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/us。

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1+
￥11.34
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￥11.13
30+
￥10.99

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型号：HCPL0534 编号：C891325

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件的每个封装有两个沟道，具有最佳安装密度。

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1+
￥13.16
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￥12.84
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