高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

SMD8封装10M高速光耦 5000V隔离电压，电源电压：7V

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￥2.94
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￥2.3
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￥2.02
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￥1.68
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￥1.59

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型号：QX6N137-CuH-D 编号：C49023643

封装：DIP-8P

10M高速光耦 5000V隔离电压，电源电压：7V

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￥3.07
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型号：QX0501-CuH-S 编号：C52164462

封装：SOP-8

SOP8封装1M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：30V

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￥4.83
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￥3.91
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￥2.72
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￥2.58

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型号：QX0720-CuH-S 编号：C52164461

封装：SOP-8

SOP8封装15M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：6V

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￥4.83
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型号：HCPL-M454-500E 编号：C692066

封装：SOP-5-4.4mm

与其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比（CTR）。具有保证的传播延迟差 (tPLH-tPHL)，可解决IPM逆变器死区时间和其他开关问题。CTR、传播延迟和共模抑制比 (CMR) 针对TTL负载和驱动条件以及IPM（智能功率模块）负载和驱动条件进行了规定，并提供了典型性能图，便于应用。该二极管-晶体管光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了多达一百倍。

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￥7.32
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型号：HCPL2531M 编号：C899497

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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￥8.55
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型号：ACPL-P483-560E 编号：C5937739

封装：SOIC-6-6.8mm

高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

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￥10.77
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型号：FOD060L 编号：C891157

封装：SOIC-8

此类光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。器件包含可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽具有出色的共模抑制性能，在 1,000V 共模下通常为 50 kV/us。

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型号：FODM8071 编号：C463484

封装：SOIC-5

FODM8071 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极输出光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。此高速逻辑门极输出光耦合器封装在紧凑的 5 引脚小扁平封装中，在输入处包含一个高速 AlGaAs LED 与输出处的 CMOS 检测集成电路进行耦合。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、20ns 脉冲宽度失真）。

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￥17.13
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￥16.75
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型号：TLP3442(TP,F 编号：C2152175

封装：VSON-4(1.5x2.5)

TLP3442是非常小外形的无引脚光电继电器，适用于表面贴装。它由一个红外LED与一个光电MOSFET光耦合而成，采用VSON 4引脚封装。TLP3442具有低输出电容CoFF，因此能够对高频信号进行快速通断切换，非常适合高速测试仪中的开关应用。

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￥17.45
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￥17.02
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型号：TLP3450(TP,F 编号：C2152243

封装：VSON-4(1.5x2.5)

TLP3450是一款超小外形、无引脚的光电继电器，适用于表面贴装。TLP3450由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合而成，采用VSON 4引脚封装。TLP3450的特点是输出电容CoFF低，因此能够快速开关高频信号，非常适合高速测试仪中的开关应用

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￥29.51
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￥25.01
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￥22.33

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型号：FOD3180S 编号：C899258

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥30.73
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￥26.33
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￥23.72

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型号：ACSL-7210-00RE 编号：C7466706

封装：SOIC-8

是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器，采用CMOS IC技术和专利封装技术，在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真

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￥34.43
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型号：CY6N137 编号：C970352

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CY6N137光耦合器由一个850纳米的AlGaAS LED和一个集成光电探测器高速逻辑门输出器件组成。它的封装形式有DIP-8和SMD-8。屏蔽提供了典型值为10 KV/μs优越的共模抑制典型。CY6N137的最低共模抑制比为5KV/μs

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￥1.8901
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型号：QX0500-CuH-S 编号：C52164463

封装：SOP-8

SOP8封装1M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：6V

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￥2.0453
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型号：HCPL-3120-C5LO 编号：C20612452

封装：SOP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-3120/HCPL-3120S是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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型号：6N136-L 编号：C194516

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6 由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

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￥2.82
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型号：ACPL-P480-C5L0 编号：C20612464

封装：SSOP-6

品牌：KTP(科泰普)

高速ACPL-P480，ACPL-W480，ACPL-4800光耦合器包含一个GaAsP LED，一个光电探测器和一个施密特触发器，提供逻辑电平兼容输出，可节省额外波形整型需求。光耦采用图腾柱输出，不需要上拉电阻，可直接用于智能电源模块或栅极的驱动。器件间最低的传播延迟差使这些光电耦合器成为通过降低开关死区时间改善变频器效率的理想方案。

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型号：6N136-500E 编号：C691904

封装：SMD-8P

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

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￥2.99

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型号：QXW611-CuH-P 编号：C52164469

封装：SOP-6

SOP6封装10M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：7V

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￥5.79
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型号：QXW511-CuH-W 编号：C52164470

封装：SOP-6

SOP6封装1M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：30V

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￥5.79
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型号：QXW611-CuH-W 编号：C52164468

封装：SOP-6

SOP6封装10M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：7V

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￥5.79
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型号：TLP701H(TP,F) 编号：C4153777

封装：SOIC-6-6.8mm

该产品是一款采用SDIP6封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125°C的温度下保证性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，该光耦合器体积更小，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。它具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，拥有图腾柱输出，能够吸收和提供电流，非常适合用于IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥6.42
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型号：TLP2361(E 编号：C6285467

封装：SO-6,5LEAD

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHL)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，TLP2361具有内部法拉第屏蔽，可提供保证的±20kV/μs共模瞬态抗扰度。

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￥6.67
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￥4.8

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型号：6N137SDVM 编号：C898988

封装：SOP-8-2.54mm

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥8.11
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￥6.77
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￥6.03

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型号：FOD3120SDV 编号：C605156

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥9.71
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￥9.48
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￥9.33

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型号：QXH611-CuH-L 编号：C52164473

封装：LSOP-8

LSOP8封装10M高速光耦，7500V隔离电压，电源电压：7V

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￥10.26
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型号：FOD3120TV 编号：C899242

封装：DIP-8

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥14.5
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￥12.37
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型号：HCPL2531SDVM 编号：C899501

封装：SOP-8-2.54mm

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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￥15.81
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￥15.41
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￥15.14

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型号：FOD3182V 编号：C899269

封装：DIP-8