高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCPL0531 编号：C891324

封装：SOIC-8

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件的每个封装有两个沟道，具有最佳安装密度。

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型号：TLP3450(TP,F 编号：C2152243

封装：VSON-4(1.5x2.5)

TLP3450是一款超小外形、无引脚的光电继电器，适用于表面贴装。TLP3450由一个红外LED和一个光电MOSFET光耦合而成，采用VSON 4引脚封装。TLP3450的特点是输出电容CoFF低，因此能够快速开关高频信号，非常适合高速测试仪中的开关应用

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型号：ACSL-7210-00RE 编号：C7466706

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器，采用CMOS IC技术和专利封装技术，在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真

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￥22.785 ￥23.25

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型号：FOD8316 编号：C899337

封装：SOIC-16-300mil

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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￥33.8352 ￥40.28
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￥23.456 ￥36.65

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型号：TLP3407SRH(TP,E 编号：C1880964

封装：VSON-4(1.5x2)

TLP3407SRH光电继电器由一个与红外发光二极管光耦合的光电MOSFET组成。它采用S-VSON4T封装。TLP3407SRH的特点是导通电阻非常小，导通/关断时的电流高达1 A，非常适合高速测试仪中的开关应用

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型号：HT-6N136-S1TA1 编号：C34376258

封装：SMD-8P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

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型号：CYHCPL3120 编号：C3018816

封装：DIP-8

CYHCPL3120是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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型号：CYHCPL2631 编号：C3018814

封装：DIP-8

CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8，DIP8-M和SMD8三种封装形式。

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型号：QXW511-CuH-P 编号：C52164471

封装：SOP-6

SOP6封装1M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：30V

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型号：QXW611-CuH-W 编号：C52164468

封装：SOP-6

SOP6封装10M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：7V

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型号：CYHCPL2531 编号：C20417303

封装：DIP-8

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

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型号：TLP2761(TP4,E 编号：C20613155

封装：SMD-6P

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：FOD3125SD 编号：C899245

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥7.0464 ￥22.02
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型号：FOD3184TV 编号：C899275

封装：DIP-8

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥9.9501 ￥19.51
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￥3.8657 ￥12.47

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型号：TLP2662(TP1,F) 编号：C5381897

封装：SMD-8P

TLP2662/TLP2662F由高强度GaAℓAs红外发光二极管（LED）与高增益、高速感光芯片光耦合组成。TLP2662/TLP2662F可保证在最高125 °C的温度下，以及2.7 V至5 V的电源电压下工作。

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型号：HCPL2530SD 编号：C500390

封装：SOP-8-2.54mm

高速晶体管光耦合器由AlGaAs LED与高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过为光电二极管的偏置提供单独连接，减少输入晶体管的基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管光耦合器提高几个数量级。内部噪声屏蔽提供了10kV/μs的出色共模抑制能力。改进的封装允许出色的绝缘，与220V的行业标准相比，工作电压可达480V。

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￥17.93
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￥9.9
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型号：ASSR-4110-003E 编号：C5555234

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

该系列由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）

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￥27.36
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型号：ASSR-4128-502E 编号：C2152267

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流增加到0.2A，导通电阻R(ON)降至10Ω。

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￥38.65
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￥32.69
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￥29.05
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￥26

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型号：QX6N137-CuH-S 编号：C49023453

封装：SMD-8P

SMD8封装10M高速光耦 5000V隔离电压，电源电压：7V

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￥2.94
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￥2.02
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￥1.59

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型号：QX6N136-CuH-S 编号：C52164458

封装：SMD-8P

SMD8封装1M晶体管高速光耦 5000V隔离电压，电源电压：30V

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型号：QX0501-CuH-S 编号：C52164462

封装：SOP-8

SOP8封装1M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：30V

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￥4.83
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￥3.45
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型号：QX0720-CuH-S 编号：C52164461

封装：SOP-8

SOP8封装15M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：6V

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￥2.72
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型号：CYHCPL2630 编号：C3018812

封装：DIP-8

CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8，DIP8-M和SMD8三种封装形式。

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￥5.7
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￥4.62
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型号：QXW511-CuH-W 编号：C52164470

封装：SOP-6

SOP6封装1M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：30V

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型号：H11L1VM 编号：C899476

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥5.971 ￥8.53
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￥4.272 ￥7.12
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￥2.45 ￥4.9

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型号：TLP701H(TP,F) 编号：C4153777

封装：SOIC-6-6.8mm

该产品是一款采用SDIP6封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125°C的温度下保证性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，该光耦合器体积更小，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。它具有内部法拉第屏蔽，可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，拥有图腾柱输出，能够吸收和提供电流，非常适合用于IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C7124390

封装：SOIC-6-300mil

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。特别地，该光耦合器保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。此外，它具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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￥6.42
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￥5.17
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￥4.55

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型号：6N137SDVM 编号：C898988

封装：SOP-8-2.54mm