高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

是一款采用6引脚SO6L封装的光耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，体积更小、更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：CYHCPL3120 编号：C3018816

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL3120是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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型号：TLP2761(TP4,E 编号：C20613155

封装：SMD-6P

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：CYHCPL2531 编号：C20417303

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

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型号：CYHCPL2631 编号：C3018814

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8，DIP8-M和SMD8三种封装形式。

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型号：PS8101-F3-AX 编号：C133876

封装：SOP-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离器，在发光二极管（输入侧）包含一个GaAlAs LED，在输出侧包含一个PIN光电二极管和一个高速放大器晶体管，集成在一个芯片上。这是一种用于高密度应用的塑料SOP（小外形封装）类型。

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型号：FOD3125SD 编号：C899245

封装：SOP-8-2.54mm

FOD3125 是一款 2.5 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够在高达 125°C 温度条件下驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制规定特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：ACPL-M43T-500E 编号：C92191

封装：SO-5-4.6mm

是单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用五引脚微型封装，专为汽车应用设计。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形无需在PCB上打“通孔”，该封装占用面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。此数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍。在扩展温度范围内，VCM = 1500V时，具有至少30kV/μs的高共模瞬态抗扰度。隔离产品为汽车和高温工业应用中的关键部分提供增强绝缘和可靠性。

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型号：HCPL-4503-000E 编号：C545702

封装：DIP-8

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。设计用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在lF = 16 mA时的CTR最小为19%。

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型号：HCPL2531SDM 编号：C899499

封装：SOP-8-2.54mm

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：FOD3184TV 编号：C899275

封装：DIP-8

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：TLP2662(TP1,F) 编号：C5381897

封装：SMD-8P

TLP2662/TLP2662F由高强度GaAℓAs红外发光二极管（LED）与高增益、高速感光芯片光耦合组成。TLP2662/TLP2662F可保证在最高125 °C的温度下，以及2.7 V至5 V的电源电压下工作。

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型号：HCPL0531 编号：C891324

封装：SOIC-8

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件的每个封装有两个沟道，具有最佳安装密度。

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型号：QXM500-CuH-S 编号：C52164464

封装：SOP-5

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP5封装1M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：6V

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型号：HT-6N136-S1TA1 编号：C34376258

封装：SMD-8P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

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型号：HT-6N135-S1TA1 编号：C34376257

封装：SMD-8P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

高速光耦，可满足各式各样的工业控制板需求，包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:1Mbps，CMRS1000V/us，隔离电压：5KV.

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型号：6N135-L 编号：C571210

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6N136 - L由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。光电耦合器偏置连接通过减小基极 - 集电极电容，提高了传统光电晶体管耦合器的速度

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型号：QX6N136-CuH-S 编号：C52164458

封装：SMD-8P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD8封装1M晶体管高速光耦 5000V隔离电压，电源电压：30V

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型号：TLP5701(TP4,E 编号：C5362149

封装：SO-8

是一个采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由一个红外LED和一个集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合组成。它在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准。因此，它为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽提供了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：QXM611-CuH-S 编号：C52164465

封装：SOP-5

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SOP5封装10M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：7V

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型号：H11L1VM 编号：C899476

封装：DIP-6

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：TLP5772(TP,E 编号：C7124390

封装：SOIC-6-300mil

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可减少安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。特别地，该光耦合器保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。此外，它具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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型号：ACPL-M61T-500E 编号：C92192

封装：SO-5-175mil

小型宽工作温度、高共模抑制比（CMR）、高速逻辑门光耦合器，是一款采用五引脚微型封装的单通道器件。光耦合门结合了AlGaAs发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在VCM = 1000V时可保证15,000V/µs的共模瞬态抗扰度。适用于汽车高速通信逻辑接口，具有低传播延迟、输入/输出缓冲功能，建议在高工作温度环境中使用。独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃至125℃范围内得到保证。R2Coupler隔离产品为汽车和高温工业应用提供了关键的加强绝缘和可靠性。

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型号：HCPL-073L-500E 编号：C692016

封装：SOIC-8

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与LVTTL兼容的饱和电压和高速运行。如有需要，VCC和VO端子可以连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整。这些光耦合器适用于LVTTL/LVCMOS或其他低功耗应用。在0至+70℃的工作范围内，仅需0.5mA的LED电流，即可保证400%的最小电流传输比。SOIC-8封装的器件不需要在PCB上打孔。该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一。引脚外形设计与标准表面贴装工艺兼容。

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型号：ASSR-1611-301E 编号：C22379958

封装：DIP-6