高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：H11L1SR2VM 编号：C274632

封装：SOP-6-2.54mm

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：TLP2761(D4-TP,E 编号：C5798523

封装：SO-6

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：KPC457TLD 编号：C107277

封装：SOP-5

品牌：Cosmo(冠西)

KPC457系列包含一个LED，它是高速数字输出型光耦合器，采用5引脚迷你扁平封装。

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型号：FOD8342R2V 编号：C899348

封装：SOP-6-6.8mm

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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型号：AT480-CuH-P 编号：C22372853

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：AOTE(奥特)

AT480 高速光耦合器包含一个GaAsP LED 和一个光电探测器，内置施密特触发器，提供逻辑兼容波形，可节省额外波形整型需求。

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型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

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型号：CYHCPL3120S(TP1) 编号：C3018817

封装：SOP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL3120 是一种 2.5A 输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率 IGBT 和 MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率 IGBT 和 MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：QX0631-CuH-S 编号：C49023617

封装：SOP-8

SOP8封装10M双通道高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：7V

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型号：QX0531-CuH-S 编号：C49023658

封装：SOP-8

SOP8封装1M双通道高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：30V

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型号：HCPL2530SDM 编号：C899495

封装：SOP-8-2.54mm

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：ACPL-W61L-560E 编号：C2977814

封装：SO-6

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：ACPL-796H-500E 编号：C2927807

封装：SOP-16-300mil

是一款1位、二阶sigma-delta（Σ-Δ）调制器，基于光耦合技术将模拟输入信号转换为具有电流隔离的高速数据流。采用5V电源供电，配合适当的数字滤波器，动态范围可达80dB。差分输入为±200mV（满量程±320mV），非常适合直接连接到分流电阻或其他低电平信号源，用于电机相电流测量等应用。模拟输入通过外部时钟进行sigma-delta过采样连续采样，信号跨隔离屏障耦合，允许与任何数字控制器同步操作

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型号：ACPL-7970-500E 编号：C691937

封装：SOP-8-2.54mm

是一款1位、二阶sigma-delta (Σ-Δ)调制器，基于光耦合技术将模拟输入信号转换为具有电流隔离的高速数据流。采用5V电源供电，配合适当的数字滤波器，动态范围可达78dB。差分输入为±200mV（满量程±320mV），非常适合在电机相电流测量等应用中直接连接分流电阻或其他低电平信号源。模拟输入通过片上时钟采用sigma-delta过采样方式进行连续采样

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型号：ACPL-P483-500E 编号：C545688

封装：SO-6-4.6mm

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C7421359

封装：SO-6L

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：QX6N136-CuH-D 编号：C52164459

封装：DIP-8

SMD8封装1M高速光耦 5000V隔离电压，电源电压：30V

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型号：QXM511-CuH-S 编号：C49023626

封装：SOP-5

SOP5封装1M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：30V

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型号：QXW511-CuH-P 编号：C52164471

封装：SOP-6

SOP6封装1M高速光耦，3750V隔离电压，电源电压：30V

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型号：ACPL-K43T-560E 编号：C364867

封装：SOP-8-6.8mm

单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专为汽车应用设计。双通道版本与之等效。产品采用拉伸SO-8封装，与标准表面贴装工艺兼容。该数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。提供增强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，这在汽车和高温工业应用中至关重要。

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型号：ACPL-W483-500E 编号：C691971

封装：SO-6

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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型号：HCPL4503M 编号：C115130

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCPL2530SD 编号：C500390

封装：SOP-8-2.54mm

高速晶体管光耦合器由AlGaAs LED与高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过为光电二极管的偏置提供单独连接，减少输入晶体管的基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管光耦合器提高几个数量级。内部噪声屏蔽提供了10kV/μs的出色共模抑制能力。改进的封装允许出色的绝缘，与220V的行业标准相比，工作电压可达480V。

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型号：ACPL-K64L-500E 编号：C691950

封装：SO-8

低功耗数字光耦合器将铝镓砷发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出采用压摆率控制，旨在允许在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃ 至 +105℃ 温度范围内保证交直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：FOD8316 编号：C899337

封装：SOIC-16-300mil

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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￥32.224 ￥40.28
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￥21.99 ￥36.65

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型号：FOD8316R2V 编号：C132699

封装：SOP-16-300mil

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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型号：TLP3407SRH(TP,E 编号：C1880964

封装：VSON-4(1.5x2)