高速光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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型号：ACPL-796H-500E 编号：C2927807

封装：SOP-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

是一款1位、二阶sigma-delta（Σ-Δ）调制器，基于光耦合技术将模拟输入信号转换为具有电流隔离的高速数据流。采用5V电源供电，配合适当的数字滤波器，动态范围可达80dB。差分输入为±200mV（满量程±320mV），非常适合直接连接到分流电阻或其他低电平信号源，用于电机相电流测量等应用。模拟输入通过外部时钟进行sigma-delta过采样连续采样，信号跨隔离屏障耦合，允许与任何数字控制器同步操作

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型号：ACPL-P483-560E 编号：C5937739

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

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型号：ACPL-7970-500E 编号：C691937

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是一款1位、二阶sigma-delta (Σ-Δ)调制器，基于光耦合技术将模拟输入信号转换为具有电流隔离的高速数据流。采用5V电源供电，配合适当的数字滤波器，动态范围可达78dB。差分输入为±200mV（满量程±320mV），非常适合在电机相电流测量等应用中直接连接分流电阻或其他低电平信号源。模拟输入通过片上时钟采用sigma-delta过采样方式进行连续采样

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型号：HCPL-073L-500E 编号：C692016

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与LVTTL兼容的饱和电压和高速运行。如有需要，VCC和VO端子可以连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整。这些光耦合器适用于LVTTL/LVCMOS或其他低功耗应用。在0至+70℃的工作范围内，仅需0.5mA的LED电流，即可保证400%的最小电流传输比。SOIC-8封装的器件不需要在PCB上打孔。该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一。引脚外形设计与标准表面贴装工艺兼容。

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型号：FOD8012AR2 编号：C903694

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD8012A 是一款半工、双向、高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar, 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此高速逻辑门极光耦合器与布置为双向配置的 2 个光耦合沟道进行高度集成，采用紧凑的 8 引脚小型封装。每个光耦合器沟道都包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、15ns 脉冲宽度失真）。

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型号：AT6N138-CuH-D 编号：C20612705

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

AT6N138 是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器中的功率晶体管隔离、替换低速光晶体管光耦合器。

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型号：TLP5701(D4-TP4,E 编号：C7421359

封装：SO-6L

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄，符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153769

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其保证了1mA的低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 的低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。TLP2761具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：6N135S 编号：C2918949

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Slkor(萨科微)

由一个高效 AlGaAs 发光二极管和一个高速光探测器组成。这种设计可在光耦合器的输入侧和输出侧之间提供出色的交流和直流隔离。光电二极管的偏置连接通过降低基极-集电极电容来提高传统光电晶体管耦合器的速度。

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型号：HCPL-3120-C5LO 编号：C20612452

封装：SOP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-3120/HCPL-3120S是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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型号：TLP5701(D4-TP,E 编号：C2892104

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，它在物理尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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型号：ACPL-P480-C5L0 编号：C20612464

封装：SSOP-6

品牌：KTP(科泰普)

高速ACPL-P480，ACPL-W480，ACPL-4800光耦合器包含一个GaAsP LED，一个光电探测器和一个施密特触发器，提供逻辑电平兼容输出，可节省额外波形整型需求。光耦采用图腾柱输出，不需要上拉电阻，可直接用于智能电源模块或栅极的驱动。器件间最低的传播延迟差使这些光电耦合器成为通过降低开关死区时间改善变频器效率的理想方案。

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型号：6N139-SMD8 编号：C47361087

封装：SMD-8P

品牌：拓朴微

6N139 是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。采用 8 引脚封装。

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型号：AT480-CuH-P 编号：C22372853

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：AOTE(奥特)

AT480 高速光耦合器包含一个GaAsP LED 和一个光电探测器，内置施密特触发器，提供逻辑兼容波形，可节省额外波形整型需求。

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型号：ACPL-M61L-560E 编号：C691956

封装：SO-5

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的IDD电流最大为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：TLP2662(D4-TP1,F) 编号：C5370567

封装：SMD-8P

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力，可将抗噪能力提高至±20kV/μs。

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型号：CYHCPL3120S(TP1) 编号：C3018817

封装：SOP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL3120 是一种 2.5A 输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率 IGBT 和 MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率 IGBT 和 MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：PC925LENIP0F 编号：C28113

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：SHARP(夏普)

包含一个与OPIC芯片光耦合的LED。采用8引脚DIP封装，也有SMT鸥翼引脚形式可选。峰值输出电流为2.5A，输入输出隔离电压（rms）为5kV，高速响应（tPHL、tPLH最大0.5μs）。

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型号：HCPL2531M 编号：C899497

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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￥6.47

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型号：ACPL-W61L-560E 编号：C2977814

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：FOD8316R2V 编号：C132699

封装：SOP-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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