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首页 > 热门关键词 > 高速光耦
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带VDE认证,双通道光耦,10M高速光耦
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  • 1+

    ¥7.36
  • 10+

    ¥6.17
  • 30+

    ¥5.52
  • 100+

    ¥4.78
  • 有货
  • 提供用于模拟信号的宽带隔离。与应用电路结合使用时,非常适合视频隔离。通过AlGaAs LED与高速探测器相结合,实现高线性度和低相移。单通道光耦合器,有8引脚DIP和宽体封装配置。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.54
    • 10+

      ¥16.59
    • 30+

      ¥14.84
    • 100+

      ¥13.07
    • 500+

      ¥12.25
  • 有货
  • 单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器,采用八引脚微型封装,专为汽车应用设计。双通道版本与之等效。产品采用拉伸SO-8封装,与标准表面贴装工艺兼容。该数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减小基极-集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。提供增强绝缘和可靠性,可实现安全的信号隔离,这在汽车和高温工业应用中至关重要。
    • 1+

      ¥26.65
    • 10+

      ¥22.63
    • 30+

      ¥20.24
    • 100+

      ¥17.82
    • 500+

      ¥16.71
    • 1000+

      ¥16.2
  • 有货
  • 光耦合器将820nm的AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由设计和制造的半导体器件组合,为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。 新的低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造,在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器,由于较低的IF和VF规格,在给定数据速率下,该器件可在更长的线路长度上工作。
    • 1+

      ¥28.94
    • 10+

      ¥24.76
    • 30+

      ¥22.29
    • 100+

      ¥19.78
    • 500+

      ¥18.62
    • 1500+

      ¥18.1
  • 有货
  • 是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器,采用CMOS IC技术和专利封装技术,在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化,如现场总线(PROFIBUS)和串行外设接口(SPI)应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真
    • 1+

      ¥34.64
    • 10+

      ¥29.41
    • 30+

      ¥26.31
    • 100+

      ¥23.17
    • 500+

      ¥21.72
  • 有货
  • 是真正隔离的、多通道和双向的高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输和通信能力。提供15Mbd速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。有8引脚和16引脚窄体SOIC封装,工作温度范围为 -40°C至 +100°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥40.54
    • 10+

      ¥35.24
    • 30+

      ¥27.47
    • 100+

      ¥24.28
    • 500+

      ¥22.82
  • 有货
  • 由一个高效 AlGaAs 发光二极管和一个高速光探测器组成。这种设计可在光耦合器的输入侧和输出侧之间提供出色的交流和直流隔离。光电二极管的偏置连接通过降低基极-集电极电容来提高传统光电晶体管耦合器的速度。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.18
    • 10+

      ¥2.51
    • 30+

      ¥2.22
    • 100+

      ¥1.86
    • 500+

      ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.6
    • 2000+

      ¥1.58
    • 4000+

      ¥1.57
  • 有货
  • 是逻辑到功率的接口设备,基本功能是从微处理器获取低电流信号以控制交流和直流负载的开关,同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比,具有长寿命(机械和电气寿命无限制)、无弹跳开关、更高速度和高频开关、更高灵敏度(更低功耗)、抗 EMI 或 RF、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小等优势。通过接收低电平输入电流(< 5mA)来驱动输入红外 LED,该 LED 与光电二极管阵列芯片光耦合,进而产生光电压为两个通常以源极到源极配置连接的 MOSFET 供电,允许交流和直流输出负载。通过移动光子来实现开关功能,无机械磨损,提供一致可靠的开关。
    • 1+

      ¥3.97
    • 10+

      ¥3.49
    • 30+

      ¥3.26
    • 100+

      ¥3.02
    • 500+

      ¥2.88
    • 1000+

      ¥2.81
  • 有货
  • 由一个红外发光二极管与一个高增益、高速光电探测器光耦合组成。TLP105 采用 6 引脚 MFSOP 封装。TLP105 采用图腾柱输出,能够吸电流和拉电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.36
    • 10+

      ¥5.27
    • 30+

      ¥4.68
    • 100+

      ¥4.01
    • 500+

      ¥3.71
    • 1000+

      ¥3.57
  • 有货
  • 这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比(CTR)最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比(CTR)最小为19%。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.55
    • 10+

      ¥5.25
    • 30+

      ¥4.6
    • 100+

      ¥3.96
    • 500+

      ¥3.4
  • 有货
  • 这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时,这些器件的CTR最小为19%。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.1
    • 10+

      ¥5.74
    • 30+

      ¥5.06
    • 100+

      ¥4.38
    • 500+

      ¥3.94
  • 有货
  • ACPL-K43T 是一款单通道、高温、高共模抑制比(CMR)、高速数字光耦合器,采用八引脚微型封装,专门用于汽车应用。ACPL-K44T 是 ACPL-K43T 的双通道版本。这两款产品均采用拉伸型 SO-8 封装,设计为与标准表面贴装工艺兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥9.29
    • 10+

      ¥8.46
    • 30+

      ¥7.94
    • 100+

      ¥7.41
    • 500+

      ¥7.17
  • 有货
  • 专为大电流应用而设计,常见于工业应用中。由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3 mA时,继电器导通(触点闭合)
    • 1+

      ¥44.01
    • 10+

      ¥38.24
    • 30+

      ¥34.72
    • 100+

      ¥31.78
  • 有货
  • 6N137M 光耦合器由一个 850nm 的 AlGaAS LED 组成,其光学耦合到一个非常高速的集成光电探测器逻辑门,可快速输出。 广泛应用于:接地回路消除、LSTTL 转 TTL, LSTTL 或 5V CMOS、线路接收器、数据传输、开关电源、计算机外围接口。
    • 5+

      ¥1.828275 ¥1.9245
    • 50+

      ¥1.445235 ¥1.5213
    • 160+

      ¥1.281075 ¥1.3485
    • 480+

      ¥1.076255 ¥1.1329
    • 2480+

      ¥0.985055 ¥1.0369
    • 5000+

      ¥0.93024 ¥0.9792
  • 有货
  • 6N138/6N139由一个高效的铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管,减少了基极 - 集电极电容,从而提高了传统光电晶体管耦合器的速度
    数据手册
    • 1+

      ¥3.04
    • 10+

      ¥2.49
    • 45+

      ¥2.18
    • 90+

      ¥1.88
    • 495+

      ¥1.75
    • 990+

      ¥1.67
  • 有货
  • SOP5封装15M高速光耦 ,3750V隔离电压,电源电压:6V
    • 1+

      ¥4.83
    • 10+

      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.45
    • 100+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.72
    • 1000+

      ¥2.58
  • 有货
  • 低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管(LED)和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低,在整个温度范围内,每通道的IDD电流最大为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.39
    • 10+

      ¥4.38
    • 30+

      ¥3.88
    • 100+

      ¥3.38
    • 500+

      ¥3.08
    • 1500+

      ¥2.92
  • 有货
  • AT480 高速光耦合器包含一个 GaAsP LED 和一个光电探测器, 内置施密特触发器,提供逻辑兼容波形,可节省额外波形整型需求。 广泛应用于:IPM 接口隔离、隔离 IGBT/MOSFET 门驱动器、交流和无刷直流电机驱动、工业变频器、通用数字隔离
    • 1+

      ¥5.7
    • 10+

      ¥4.62
    • 30+

      ¥4.08
    • 100+

      ¥3.54
    • 500+

      ¥3.22
    • 1000+

      ¥3.05
  • 有货
  • SOP8封装15M双通道高速光耦 ,3750V隔离电压,电源电压:6V
    • 1+

      ¥7.26
    • 10+

      ¥6.03
    • 30+

      ¥5.36
    • 100+

      ¥4.6
    • 500+

      ¥4.26
    • 1000+

      ¥4.11
  • 有货
  • 6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.33
    • 10+

      ¥8.57
    • 50+

      ¥7.03
    • 100+

      ¥5.93
    • 500+

      ¥5.45
    • 1000+

      ¥5.23
  • 有货
  • 这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16 mA时,这些器件的CTR最小为19%。
    • 1+

      ¥10.56
    • 10+

      ¥8.86
    • 30+

      ¥7.79
    • 100+

      ¥6.7
    • 500+

      ¥6.21
  • 有货
  • 该系列由一个铝镓砷红外发光二极管(LED)输入级组成,该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3 mA时,继电器开启(触点闭合)。当输入电压为0.8V或更低时,继电器关闭(触点断开)
    数据手册
    • 1+

      ¥21.94
    • 10+

      ¥18.78
    • 30+

      ¥16.9
    • 100+

      ¥15
    • 500+

      ¥14.12
  • 有货
  • TLP3451是非常小外形的非引线光电继电器,适用于表面贴装组装。TLP3451由与光电MOSFET光耦合的红外LED组成,采用VSON 4引脚封装。TLP3451具有低输出电容CoFF,因此可实现高频信号的快速开关,非常适合高速测试仪中的开关应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.34
    • 10+

      ¥22.59
    • 30+

      ¥20.36
    • 100+

      ¥18.1
  • 有货
  • PC357C是一款4PIN内置红外发射二极管的光学耦合的光电晶体管检测器.简称光耦,应用于高速信号传输和电路隔离的场合.
    • 10+

      ¥0.289085 ¥0.3043
    • 100+

      ¥0.229805 ¥0.2419
    • 300+

      ¥0.200165 ¥0.2107
    • 3000+

      ¥0.177935 ¥0.1873
    • 6000+

      ¥0.16017 ¥0.1686
    • 9000+

      ¥0.151335 ¥0.1593
  • 有货
  • 该系列由高效的铝镓砷发光二极管和高速光电探测器组成。这种设计在光耦合器的输入和输出侧之间提供了出色的交流和直流隔离。光探测器的输出采用集电极开路肖特基钳位晶体管。使能功能允许对光探测器进行选通。内部屏蔽确保了高共模瞬态抗扰度。在3.3V时,保证的共模瞬态抗扰度高达10kV/μs。光耦合器的工作参数在-40°C至+85°C的温度范围内得到保证。这种独特的设计在实现LVTTL/LVCMOS兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.72
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.98
    • 100+

      ¥3.73
    • 500+

      ¥3.28
  • 有货
  • FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器,能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度,具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.35
    • 10+

      ¥5.2
    • 50+

      ¥4.57
    • 100+

      ¥3.85
    • 500+

      ¥3.53
    • 1000+

      ¥3.39
  • 有货
  • 是一款采用SO6封装的光电耦合器,由GaAs红外发光二极管(LED)与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。光电探测器具有内部法拉第屏蔽,可提供有保证的共模瞬态抗扰度。适用于小容量IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.22
    • 10+

      ¥6.75
    • 30+

      ¥5.95
    • 100+

      ¥5.03
    • 500+

      ¥4.53
    • 1000+

      ¥4.34
  • 有货
  • 这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用,在IF = 16mA时,电流传输比(CTR)最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时,这些器件的CTR最低为19%。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.32
    • 10+

      ¥7.81
    • 30+

      ¥6.98
    • 100+

      ¥6.04
    • 500+

      ¥4.65
  • 有货
  • FOD3184 是一款 3A 输出电流,高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中,可兼容 260°C 回流工艺,用于实现无引线焊接机合规性。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.86
    • 10+

      ¥11.02
    • 30+

      ¥10.49
    • 100+

      ¥7.51
    • 500+

      ¥7.27
    • 1000+

      ¥7.16
  • 有货
  • 高速光耦,可满足各式各样的工业控制板需求,包括高速逻辑接地隔离、电源相关、电表、通讯设备、 UPS、太阳能等应用。输入电压类型:DC, 正向压降Max:1.5V;DTR:10Mbps,CMRS1000V/us,隔离电压:5KV.
    • 5+

      ¥1.2304
    • 50+

      ¥1.0817
    • 135+

      ¥1.0147
    • 495+

      ¥0.931
    • 2520+

      ¥0.8938
    • 4995+

      ¥0.8715
  • 有货
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