您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 台湾君耀二极管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共202594
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
数据手册
  • 5+

    ¥0.5784
  • 50+

    ¥0.4536
  • 300+

    ¥0.3912
  • 600+

    ¥0.3444
  • 2400+

    ¥0.307
  • 5100+

    ¥0.2883
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围:18V至1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6487
    • 50+

      ¥0.5191
    • 300+

      ¥0.4408
    • 600+

      ¥0.3922
    • 2400+

      ¥0.3533
    • 5100+

      ¥0.3339
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6716
    • 50+

      ¥0.5232
    • 150+

      ¥0.449
    • 400+

      ¥0.3934
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7172
    • 50+

      ¥0.5595
    • 150+

      ¥0.4807
  • 有货
  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7228
    • 50+

      ¥0.587
    • 300+

      ¥0.4908
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥0.7584
    • 50+

      ¥0.5948
    • 250+

      ¥0.5061
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥0.7846
    • 50+

      ¥0.6262
    • 300+

      ¥0.547
  • 有货
  • 特性:工作电压 (V1mV) 范围宽,从 18V 到 1800V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量的能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8295
    • 50+

      ¥0.6471
    • 300+

      ¥0.5559
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥0.8627
    • 50+

      ¥0.6766
    • 250+

      ¥0.5758
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8995
    • 50+

      ¥0.6968
    • 300+

      ¥0.61
    • 600+

      ¥0.5016
    • 2400+

      ¥0.4534
    • 5100+

      ¥0.4244
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合MSL 1级标准(根据J-STD-020)。 工作温度范围:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9573
    • 50+

      ¥0.9395
    • 150+

      ¥0.8656
    • 450+

      ¥0.8537
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2812
    • 50+

      ¥1.0292
    • 150+

      ¥0.9212
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4766
    • 50+

      ¥1.1796
    • 250+

      ¥0.9933
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合MSL 1级标准(根据J-STD-020)。 工作温度范围:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5035
    • 50+

      ¥1.1885
    • 250+

      ¥1.0535
  • 有货
  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比,无续流。符合J-STD-020标准的MSL 1级。工作温度:-40°C至+105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 1+

      ¥5.97
    • 10+

      ¥4.84
    • 30+

      ¥4.27
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2234
    • 200+

      ¥0.1802
    • 1000+

      ¥0.1562
    • 2000+

      ¥0.1418
  • 订货
  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2413
    • 200+

      ¥0.1926
    • 1000+

      ¥0.1655
    • 2000+

      ¥0.1492
    • 10000+

      ¥0.1351
    • 20000+

      ¥0.1275
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2453
    • 100+

      ¥0.1959
    • 300+

      ¥0.1712
    • 1000+

      ¥0.1527
    • 5000+

      ¥0.1379
    • 10000+

      ¥0.1305
  • 订货
  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2588
    • 100+

      ¥0.206
    • 300+

      ¥0.1796
    • 1000+

      ¥0.1598
    • 5000+

      ¥0.144
    • 10000+

      ¥0.136
  • 订货
  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽,从 18V 到 750V。 对瞬态过电压响应快。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2588
    • 100+

      ¥0.206
    • 300+

      ¥0.1796
    • 1000+

      ¥0.1598
    • 5000+

      ¥0.144
    • 10000+

      ¥0.136
  • 订货
  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2616
    • 100+

      ¥0.2088
    • 300+

      ¥0.1824
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2779
    • 100+

      ¥0.2212
    • 300+

      ¥0.1929
    • 1000+

      ¥0.1716
    • 5000+

      ¥0.1546
    • 10000+

      ¥0.1461
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2957
    • 100+

      ¥0.2323
    • 300+

      ¥0.2006
    • 1000+

      ¥0.1769
    • 5000+

      ¥0.1579
    • 10000+

      ¥0.1484
  • 订货
  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽,从 18V 到 750V。 对瞬态过电压响应快。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3091
    • 100+

      ¥0.2467
    • 300+

      ¥0.2155
    • 1000+

      ¥0.1921
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.3391
    • 250+

      ¥0.2642
    • 1000+

      ¥0.2268
    • 2000+

      ¥0.1987
    • 12000+

      ¥0.1762
    • 25000+

      ¥0.165
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3405
    • 100+

      ¥0.2657
    • 300+

      ¥0.2282
    • 1000+

      ¥0.2001
    • 5000+

      ¥0.1777
    • 10000+

      ¥0.1665
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3434
    • 100+

      ¥0.2762
    • 300+

      ¥0.2426
    • 1000+

      ¥0.2034
    • 5000+

      ¥0.1832
    • 10000+

      ¥0.1731
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3471
    • 100+

      ¥0.2771
    • 300+

      ¥0.242
    • 1000+

      ¥0.2011
    • 5000+

      ¥0.1801
    • 10000+

      ¥0.1696
  • 订货
  • UDD32C03L01-IR0.1是一款超低电容TVS阵列,旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据传输线路的敏感组件,使其免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和雷击引起的过电压影响。独特的设计在单个封装中集成了浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管。在瞬态条件下,转向二极管将瞬态电流导向接地。内部TVS二极管将瞬态电压钳位到安全水平。超低电容阵列配置允许用户保护多达高速数据线。这些器件采用SOD - 323封装,符合RoHS/WEEE标准,尺寸为2.5x1.25x1.0mm。该器件可用于满足IEC61000 - 4 - 2(ESD)、IEC61000 - 4 - 4(EFT)和IEC61000 - 4 - 5(浪涌)的抗扰度要求。接触放电:±30kV 空气放电:±30kV
    • 10+

      ¥0.3529
    • 100+

      ¥0.2809
    • 300+

      ¥0.2449
    • 3000+

      ¥0.2179
    • 6000+

      ¥0.1963
    • 9000+

      ¥0.1855
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1800V。 快速响应瞬态过电压。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 1+

      ¥0.6759
    • 10+

      ¥0.659
    • 30+

      ¥0.6478
  • 有货
  • 立创商城为您提供台湾君耀二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买台湾君耀二极管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content