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钳位电压925V 125焦耳插件压敏电阻

型号：561KD14-TB 编号：C729848

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

5+
￥0.8652
50+
￥0.6905
150+
￥0.6032
500+
￥0.5377

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钳位电压77V 8.6焦耳插件压敏电阻

型号：390KD14 编号：C84749

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压（V₁ₘₐ）范围为18V至1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

数据手册

5+
￥0.8932
50+
￥0.7331
150+
￥0.6531
400+
￥0.5931
2400+
￥0.5451
4800+
￥0.5211

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钳位电压1290V 148焦耳插件压敏电阻

型号：781KD14 编号：C269083

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

数据手册

1+
￥0.9548
10+
￥0.7438
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￥0.6533

有货

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925V 185J

型号：561KD14J-F 编号：C774277

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

5+
￥0.9863
50+
￥0.7797
300+
￥0.6911

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钳位电压1500V 310焦耳插件压敏电阻

型号：911KD20-P10T6K2.5 编号：C2833677

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1800V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

1+
￥1.0123
10+
￥0.9903
30+
￥0.9757

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钳位电压1650V 190焦耳插件压敏电阻

型号：102KD14-(YWT)4 编号：C770520

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 MSL 1 级标准（依据 J-STD-020）。工作温度：-40℃ 至 + 105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

5+
￥1.0207
50+
￥0.8101
250+
￥0.7199
500+
￥0.6073
2500+
￥0.5571
5000+
￥0.527

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钳位电压1120V 130焦耳插件压敏电阻

型号：681KH14 编号：C634261

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁min) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +140℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

数据手册

5+
￥1.0553
50+
￥0.8376
250+
￥0.7443

有货

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钳位电压550V 150焦耳插件压敏电阻

型号：331KD20-P10 编号：C190164

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围：18V至1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

5+
￥1.275
50+
￥1.0079
150+
￥0.8934
500+
￥0.7505
2500+
￥0.6869
5000+
￥0.6488

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钳位电压165V 50焦耳插件压敏电阻

型号：101KD20-P10 编号：C268950

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围：18V至1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

1+
￥1.7128
10+
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30+
￥1.208

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压敏电阻

型号：162KD14-F 编号：C770849

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

5+
￥2.0683
50+
￥1.635
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￥1.4493

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ESD 2.8V截止峰值浪涌电流：24A@8/20us

型号：UFS08A2.8L04-IR0.1 编号：C523557

封装：SOIC-8

品牌：Brightking(君耀电子)

UFS08A2.8L04 组件旨在保护先进的低压 CMOS 半导体，使其免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。与硅雪崩二极管工艺相比，该器件提供低关断电压，同时显著降低泄漏电流和电容。UFS08A2.8L04 集成了低电容补偿二极管，可将每条线路的典型电容降低 5pF。再加上低泄漏电流，这意味着在 10/100/1000 以太网等高速应用中能够保持信号完整性。

数据手册

1+
￥2.91
10+
￥2.31
30+
￥2.05

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钳位电压1240V 45焦耳插件压敏电阻

型号：751KD07J 编号：C522843

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

数据手册

10+
￥0.4565
100+
￥0.3643
300+
￥0.3183
1000+
￥0.2837
5000+
￥0.256
10000+
￥0.2422
20000+
￥0.2393
40000+
￥0.2374

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钳位电压595V 32焦耳插件压敏电阻

型号：361KD07J 编号：C522512

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

数据手册

10+
￥0.4705
100+
￥0.3745
300+
￥0.3265
1000+
￥0.2905
5000+
￥0.2617
10000+
￥0.2473

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925V 185J

型号：561KD14J-ZC3.5Z2HJ 编号：C774300

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

5+
￥0.4801
50+
￥0.4697
300+
￥0.4628

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845V 90J

型号：511KD10J-Z2C3.5 编号：C773673

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁₀₀) 范围：18V至1100V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

5+
￥0.5706
50+
￥0.4554
150+
￥0.3978

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925V 92J

型号：561KD10J-Z2LSM2 编号：C754173

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：对瞬态过电压响应迅速。吸收瞬态能量能力强。钳位比低且无续流。符合J-STD-020标准的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。储存温度：-40℃至+125℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品的浪涌保护

5+
￥0.5941
50+
￥0.4789
150+
￥0.4213

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1.025kV 128J

型号：621KD14-Z2 编号：C774537

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

5+
￥0.7002
50+
￥0.5562
300+
￥0.4842

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钳位电压925V 440焦耳直插压敏电阻

型号：561KD25 编号：C269055

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

数据手册

1+
￥6
10+
￥4.88
30+
￥4.32

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845V 360J

型号：511KD20J-WT 编号：C773745

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：快速响应瞬态过电压。吸收瞬态能量能力大。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃ ~ +85℃。储存温度：-40℃ ~ +125℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品的浪涌保护

5+
￥0.891
50+
￥0.8711
150+
￥0.8579
500+
￥0.8446

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钳位电压1025V 390焦耳插件压敏电阻

型号：621KD20J-P10 编号：C113411

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围：18V至1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

5+
￥1.6358
50+
￥1.2931
150+
￥1.1462
450+
￥0.9629
2550+
￥0.8813
4950+
￥0.8324

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钳位电压65V 4焦耳插件压敏电阻

型号：330KD10 编号：C269019

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

5+
￥0.5894
50+
￥0.4873
150+
￥0.4362
500+
￥0.3873
2500+
￥0.3566
5000+
￥0.3413

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双向ESD 15V截止峰值脉冲电流：5A

型号：SDT23C15L02 编号：C140694

封装：SOT-23

品牌：Brightking(君耀电子)

SDT23CXXL02系列旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。它们专为电路板空间有限的应用而设计。这些器件可保护多达两条线路。它们是双向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制（TVS）二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它们具备电路板级保护所需的理想特性，包括快速响应时间、低钳位电压且无器件性能退化。这些器件可用于满足IEC61000 - 4 - 2标准4级的抗扰度要求。SOT - 23封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备，如RS - 422输入/输出、RS - 232输入/输出、笔记本电脑和服务器。

数据手册

5+
￥0.828
50+
￥0.6518
150+
￥0.5637
500+
￥0.4977
3000+
￥0.4448
6000+
￥0.4184

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钳位电压925V 35焦耳插件压敏电阻

型号：561KD07-C3.5Z2 编号：C729853

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

数据手册

20+
￥0.2076
200+
￥0.1549
1000+
￥0.1256
2000+
￥0.1081

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钳位电压925V 70焦耳插件压敏电阻

型号：561KD10-P7.5Z0.5T4.8 编号：C2833649

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。对瞬态过电压响应迅速。吸收瞬态能量能力强。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

数据手册

10+
￥0.2414
100+
￥0.1882
500+
￥0.1608
1000+
￥0.1409
5000+
￥0.1249
10000+
￥0.117

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钳位电压177V 插件压敏电阻

型号：101KD05 编号：C268947

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽，从 18V 到 750V。对瞬态过电压响应快。吸收瞬态能量能力强。钳位比低，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +85°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

10+
￥0.2503
100+
￥0.1975
300+
￥0.171
1000+
￥0.1512
5000+
￥0.1354
10000+
￥0.1275

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钳位电压925V 49焦耳插件压敏电阻

型号：561KD07J 编号：C522733

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

数据手册

10+
￥0.2597
100+
￥0.2073
300+
￥0.1811
1000+
￥0.1614
5000+
￥0.1457
10000+
￥0.1378

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钳位电压925V 92焦耳插件压敏电阻

型号：561KD10J-P7.5Z2H13 编号：C2833650

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。对瞬态过电压响应迅速。吸收瞬态能量能力强。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

数据手册

5+
￥0.5381
50+
￥0.4272
150+
￥0.3717
500+
￥0.2939
2500+
￥0.2606
5000+
￥0.2439

订货

我要订货

钳位电压165V 70焦耳插件压敏电阻

型号：101KD20J-P10 编号：C96327

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围：18V至1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

5+
￥1.8852
50+
￥1.4921
250+
￥1.3147
500+
￥1.1045
2500+
￥1.0109
5000+
￥0.9548

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双向ESD 3V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：UAD8C03L01 编号：C473843

封装：SOD-882

品牌：Brightking(君耀电子)

UAD8C03L01包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背瞬态电压抑制（TVS）二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全地承受高达IEC61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平的反复ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置在存在交流信号时可为数据线提供对称的ESD保护。

数据手册

10+
￥0.2639
100+
￥0.2107
300+
￥0.184
1000+
￥0.164
5000+
￥0.127
10000+
￥0.119
20000+
￥0.1173
40000+
￥0.1162

订货

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钳位电压135V 3.6焦耳插件压敏电阻

型号：680KD07 编号：C269064

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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