台湾君耀二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：插件,P=5mm

特性：工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。吸收瞬态能量能力强。钳位比低且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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型号：270KD05 编号：C269004

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽，从 18V 到 750V。对瞬态过电压响应快。吸收瞬态能量能力强。钳位比低，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +85°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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型号：330KD07 编号：C269018

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压（V₁ₘₐ）范围为18V至820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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型号：431KD07J 编号：C522621

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：271KD07J 编号：C522248

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：680KD07J 编号：C522829

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：470KD07J 编号：C522640

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：680KD05 编号：C269063

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽，从 18V 到 750V。对瞬态过电压响应快。吸收瞬态能量能力强。钳位比低，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +85°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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型号：270KD07J 编号：C522243

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：821KD07J 编号：C522861

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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￥0.495009
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型号：UDD32C03L01-IR0.1 编号：C777789

封装：SOD-323

品牌：Brightking(君耀电子)

UDD32C03L01-IR0.1是一款超低电容TVS阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据传输线路的敏感组件，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和雷击引起的过电压影响。独特的设计在单个封装中集成了浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流导向接地。内部TVS二极管将瞬态电压钳位到安全水平。超低电容阵列配置允许用户保护多达高速数据线。这些器件采用SOD - 323封装，符合RoHS/WEEE标准，尺寸为2.5x1.25x1.0mm。该器件可用于满足IEC61000 - 4 - 2（ESD）、IEC61000 - 4 - 4（EFT）和IEC61000 - 4 - 5（浪涌）的抗扰度要求。接触放电：±30kV 空气放电：±30kV

10+
￥0.3529
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型号：561KD14J-ZC3.5Z2HJ 编号：C774300

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

5+
￥0.4801
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型号：561KD14-TB 编号：C729848

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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￥0.8652
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￥0.6905
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型号：911KD20-P10T6K2.5 编号：C2833677

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1800V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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1+
￥1.0123
10+
￥0.9903
30+
￥0.9757

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型号：102KD14-(YWT)4 编号：C770520

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 MSL 1 级标准（依据 J-STD-020）。工作温度：-40℃ 至 + 105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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5+
￥1.0207
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￥0.8101
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￥0.7199
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￥0.6073
2500+
￥0.5571
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型号：681KH14 编号：C634261

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁min) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +140℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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5+
￥1.0553
50+
￥0.8376
250+
￥0.7443

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型号：331KD20-P10 编号：C190164

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围：18V至1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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5+
￥1.275
50+
￥1.0079
150+
￥0.8934
500+
￥0.7505
2500+
￥0.6869
5000+
￥0.6488

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型号：122KD14-F 编号：C770694

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 MSL 1 级标准（依据 J-STD-020）。工作温度：-40℃ 至 + 105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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5+
￥1.4243
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￥1.1319
150+
￥0.9777
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￥0.8213
2500+
￥0.7517
5000+
￥0.71

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型号：101KD20-P10 编号：C268950

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围：18V至1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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1+
￥1.7128
10+
￥1.3594
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￥1.208

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型号：UFS08A2.8L04-IR0.1 编号：C523557

封装：SOIC-8

品牌：Brightking(君耀电子)

UFS08A2.8L04 组件旨在保护先进的低压 CMOS 半导体，使其免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。与硅雪崩二极管工艺相比，该器件提供低关断电压，同时显著降低泄漏电流和电容。UFS08A2.8L04 集成了低电容补偿二极管，可将每条线路的典型电容降低 5pF。再加上低泄漏电流，这意味着在 10/100/1000 以太网等高速应用中能够保持信号完整性。

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1+
￥2.91
10+
￥2.31
30+
￥2.05

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型号：561KD25 编号：C269055

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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1+
￥6
10+
￥4.88
30+
￥4.32

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型号：751KD07J 编号：C522843

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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￥0.4565
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￥0.3643
300+
￥0.3183
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￥0.2837
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￥0.256
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￥0.2422
20000+
￥0.2393
40000+
￥0.2374

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型号：361KD07J 编号：C522512

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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