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首页 > 热门关键词 > 台湾君耀二极管
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特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子设备的浪涌保护
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  • 5+

    ¥0.6945
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
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    • 10000+

      ¥0.1551
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子设备的浪涌保护
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  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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    • 10000+

      ¥0.1416
  • 有货
  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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    • 150+

      ¥0.5694
    • 400+

      ¥0.5136
    • 2400+

      ¥0.469
    • 4800+

      ¥0.4466
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
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      ¥0.1504
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子设备的浪涌保护
    数据手册
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      ¥0.5042
    • 2500+

      ¥0.4569
    • 5000+

      ¥0.4332
  • 有货
  • UDT26A05L05-LC1是浪涌额定二极管阵列,旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的过电压影响。该器件的独特设计在单个封装中集成了一个浪涌额定二极管和四条数据线、低电容转向二极管以及一个TVS二极管。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。接触放电:±20kV,空气放电:±25kV
    数据手册
    • 10+

      ¥0.397
    • 100+

      ¥0.321
    • 300+

      ¥0.2829
    • 3000+

      ¥0.2344
    • 6000+

      ¥0.2116
    • 9000+

      ¥0.2001
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子设备的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7602
    • 50+

      ¥0.6114
    • 150+

      ¥0.537
    • 400+

      ¥0.4812
    • 2400+

      ¥0.4366
  • 有货
  • UDT14A05L03是浪涌额定二极管阵列,旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的过电压影响。该器件的独特设计在单个封装中集成了一个浪涌额定二极管和两条数据线,包含低电容转向二极管和一个TVS二极管。低电容阵列配置使用户能够保护两条高速数据或传输线路。双电感结构可在大电流浪涌期间将电压过冲降至最低。接触放电:±30kV,空气放电:±30kV
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7842
    • 50+

      ¥0.6241
    • 150+

      ¥0.544
    • 500+

      ¥0.4839
    • 3000+

      ¥0.4359
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.569
    • 100+

      ¥0.4643
    • 400+

      ¥0.3641
    • 800+

      ¥0.3248
    • 4800+

      ¥0.2935
  • 有货
  • 特性:工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3077
    • 50+

      ¥1.8718
    • 150+

      ¥1.5984
    • 450+

      ¥1.3653
  • 有货
  • 该系列产品是一款超低电容 TVS 阵列,旨在保护高速数据接口。此系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件,使其免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE) 和雷击引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和 TVS 二极管集成在单个封装中。在瞬态条件下,转向二极管将瞬态电流导向接地。内部 TVS 二极管将瞬态电压钳位到安全水平。超低电容阵列配置允许用户保护多达高速数据线。这些器件采用 SOD - 323 封装,符合 RoHS/WEEE 标准,尺寸为 2.5×1.25×1.0mm。该系列器件可用于满足 IEC61000 - 4 - 2 (ESD)、IEC61000 - 4 - 4 (EFT) 和 IEC61000 - 4 - 5 (浪涌) 的抗扰度要求。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4653
    • 100+

      ¥0.379
    • 300+

      ¥0.3359
    • 3000+

      ¥0.2816
  • 有货
  • SDT23CXXL02系列旨在保护敏感电子设备免受因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。它们专为电路板空间有限的应用而设计。这些器件可保护多达两条线路。它们是双向器件,可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制(TVS)二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有大截面积结,可传导高瞬态电流。它们具备电路板级保护所需的理想特性,包括快速响应时间、低钳位电压且无器件性能退化。这些器件可用于满足IEC61000 - 4 - 2标准4级的抗扰度要求。SOT - 23封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备,如RS - 422输入/输出、RS - 232输入/输出、笔记本电脑和服务器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9736
    • 50+

      ¥0.772
    • 150+

      ¥0.6712
    • 500+

      ¥0.5956
    • 3000+

      ¥0.5352
  • 有货
  • UAQ02C05L01-R0.5包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背 TVS 二极管,可为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全吸收高达 IEC61000-4-2 国际标准规定的最大水平的重复 ESD 冲击,且性能不会下降。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的 ESD 保护。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1535
    • 200+

      ¥0.132
    • 600+

      ¥0.1201
    • 2000+

      ¥0.113
    • 10000+

      ¥0.1049
  • 有货
  • UAD8C05L01包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背瞬态电压抑制(TVS)二极管,可为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收高达IEC61000 - 4 - 2国际标准规定的最大等级的重复性ESD冲击,且性能不会下降。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的ESD保护。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2081
    • 200+

      ¥0.1673
    • 600+

      ¥0.1446
    • 2000+

      ¥0.131
    • 10000+

      ¥0.1154
  • 有货
  • 特性:工作电压 (V1mV) 范围宽,从 18V 到 1800V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量的能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9605
    • 50+

      ¥0.8013
    • 300+

      ¥0.7052
    • 600+

      ¥0.6455
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围:18V至1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6634
    • 50+

      ¥0.5273
    • 150+

      ¥0.4593
    • 500+

      ¥0.3941
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7447
    • 50+

      ¥0.5937
    • 150+

      ¥0.5182
    • 400+

      ¥0.4616
    • 2400+

      ¥0.4163
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9589
    • 50+

      ¥0.7587
    • 150+

      ¥0.6586
    • 400+

      ¥0.5836
  • 有货
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