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首页 > 热门关键词 > 台湾君耀二极管
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特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
数据手册
  • 35+

    ¥0.2288
  • 1000+

    ¥0.1914
特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
数据手册
  • 20+

    ¥0.258
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  • 1000+

    ¥0.1759
  • 2000+

    ¥0.1583
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.258
    • 100+

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  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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    • 100+

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    • 300+

      ¥0.1811
    • 1000+

      ¥0.1614
    • 5000+

      ¥0.1457
    • 10000+

      ¥0.1378
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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    • 40+

      ¥0.18876
    • 1000+

      ¥0.132
    特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2618
    • 100+

      ¥0.2084
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      ¥0.1817
    • 1000+

      ¥0.1616
    • 5000+

      ¥0.1456
    • 10000+

      ¥0.1376
  • 订货
  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽,从 18V 到 750V。 对瞬态过电压响应快。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

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      ¥0.2164
    • 300+

      ¥0.1876
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

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    • 100+

      ¥0.2285
    • 300+

      ¥0.1961
    • 2000+

      ¥0.1718
  • 订货
  • 特性:快速响应瞬态过电压。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃ ~ +105℃。 储存温度:-40℃ ~ +125℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.302
    • 100+

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    • 300+

      ¥0.2145
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      ¥0.1621
    • 10000+

      ¥0.1533
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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      ¥0.2011
    • 5000+

      ¥0.1812
    • 10000+

      ¥0.1712
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3299
    • 100+

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    • 500+

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  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.3391
    • 250+

      ¥0.2642
    • 1000+

      ¥0.2268
    • 2000+

      ¥0.1987
    • 12000+

      ¥0.1762
    • 25000+

      ¥0.165
  • 订货
  • 是一种超低电容 TVS 阵列,旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感组件,免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE) 和雷击引起的过电压影响。独特的设计在单个封装中集成了浪涌额定、低电容转向二极管和 TVS 二极管。在瞬态条件下,转向二极管将瞬态电流引导至地
    • 10+

      ¥0.3404
    • 100+

      ¥0.2687
    • 300+

      ¥0.2329
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3431
    • 100+

      ¥0.2684
    • 500+

      ¥0.2311
    • 1000+

      ¥0.2031
    • 5000+

      ¥0.1807
    • 10000+

      ¥0.1695
  • 订货
  • UAD03C05L01包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背瞬态电压抑制(TVS)二极管,可为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全吸收高达IEC61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平的重复性ESD冲击,且性能不会下降。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的ESD保护。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3901
    • 100+

      ¥0.3039
    • 300+

      ¥0.2607
  • 有货
  • 该器件是浪涌额定二极管阵列,旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的过电压影响。该器件的独特设计在单个封装中集成了一个浪涌额定二极管和四条数据线、低电容转向二极管以及一个TVS二极管。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4329
    • 100+

      ¥0.3407
    • 300+

      ¥0.2946
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4493
    • 100+

      ¥0.3577
    • 500+

      ¥0.3118
    • 1000+

      ¥0.2774
    • 5000+

      ¥0.2499
    • 10000+

      ¥0.2362
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4499
    • 50+

      ¥0.3505
    • 150+

      ¥0.3008
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4548
    • 50+

      ¥0.3567
    • 150+

      ¥0.3076
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4795
    • 50+

      ¥0.3735
    • 150+

      ¥0.3205
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 750+

      ¥0.298928
    • 1500+

      ¥0.293946
    • 3000+

      ¥0.286473
    • 6000+

      ¥0.274018
    特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围:18V至1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6487
    • 50+

      ¥0.5191
    • 300+

      ¥0.4408
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6898
    • 50+

      ¥0.5584
    • 150+

      ¥0.4927
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7921
    • 50+

      ¥0.6314
    • 300+

      ¥0.5511
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥0.8631
    • 50+

      ¥0.6733
    • 300+

      ¥0.5784
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合MSL 1级标准(根据J-STD-020)。 工作温度范围:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥2.145
    • 50+

      ¥1.716
    • 150+

      ¥1.4729
    • 500+

      ¥1.1484
    特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.15
    • 50+

      ¥0.9232
    • 150+

      ¥0.826
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合MSL 1级标准(根据J-STD-020)。 工作温度范围:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5972
    • 50+

      ¥1.2822
    • 250+

      ¥1.1472
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 1+

      ¥3.2
    • 10+

      ¥2.57
    • 30+

      ¥2.3
  • 有货
  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比,无续流。符合J-STD-020标准的MSL 1级。工作温度:-40°C至+105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 1+

      ¥5.97
    • 10+

      ¥4.84
    • 30+

      ¥4.27
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