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特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 该器件是浪涌额定二极管阵列,旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的过电压影响。该器件的独特设计在单个封装中集成了一个浪涌额定二极管和四条数据线、低电容转向二极管以及一个TVS二极管。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。
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  • 该器件是浪涌额定二极管阵列,旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的过电压影响。该器件的独特设计在单个封装中集成了一个浪涌额定二极管和四条数据线、低电容转向二极管以及一个TVS二极管。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。
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