平晶微二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N5819WS 编号：C440261

封装：SOD-323

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：金属硅结，多数载流子传导。过压保护。低功耗，高效率。高电流能力。低正向压降。高浪涌能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

数据手册

20+
￥0.1869
200+
￥0.1453
600+
￥0.1222
3000+
￥0.1078
9000+
￥0.0958
21000+
￥0.0893

有货

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型号：1N4148WB 编号：C2977360

封装：SOD-323W

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化芯片结。适合自动贴片。快速反向恢复时间。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

数据手册

50+
￥0.0981
500+
￥0.0754
3000+
￥0.0628
6000+
￥0.0552
24000+
￥0.0487
51000+
￥0.0451

有货

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型号：BAS40DB 编号：C3000407

封装：DFN1006-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：低正向电压。快速开关

数据手册

20+
￥0.1541
200+
￥0.119
600+
￥0.0995
2000+
￥0.0878
10000+
￥0.0738
20000+
￥0.0683

有货

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型号：BAS70DB 编号：C3000408

封装：DFN1006-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：低正向电压。快速开关

数据手册

20+
￥0.1627
200+
￥0.1276
600+
￥0.1081
2000+
￥0.0964
10000+
￥0.0824
20000+
￥0.0769

有货

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型号：1N4148WA 编号：C2977359

封装：SOD-123W

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：适用于表面贴装应用。快速反向恢复时间。适合自动贴装

数据手册

50+
￥0.0716
500+
￥0.056
3000+
￥0.0465
6000+
￥0.0413
24000+
￥0.0368
51000+
￥0.0344

有货

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型号：SS14F-PJ 编号：C510722

封装：SMAF

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：适用于表面贴装应用。高正向浪涌电流能力。低功耗，高效率。金属硅结，多数载流子传导

数据手册

20+
￥0.1615
200+
￥0.1258
600+
￥0.106

有货

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型号：MMBD4148CC 编号：C2977358

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：高电压。小封装。小电容

数据手册

50+
￥0.0887
500+
￥0.0692
3000+
￥0.0533
6000+
￥0.0469
24000+
￥0.0412
51000+
￥0.0382

有货

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型号：1SS355WB 编号：C2977361

封装：SOD-323W

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：适用于表面贴装应用。高速：典型值 t = 1.2ns。高速开关。高可靠性，具有高浪涌电流处理能力

数据手册

50+
￥0.1184
500+
￥0.092
3000+
￥0.0744
6000+
￥0.0656
24000+
￥0.0579
51000+
￥0.0538

有货

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型号：RB551V-30 编号：C5221835

封装：SOD-323

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：高电流能力。低正向电压降。低功耗，高效率。过压保护。金属硅结，多数载流子传导

数据手册

20+
￥0.1502
200+
￥0.1178
600+
￥0.0998
3000+
￥0.0854
9000+
￥0.0761
21000+
￥0.071

有货

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型号：BZX884B12 编号：C22470307

封装：DFN-2L(1x0.6)

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：总功耗：最大 250mW。无引脚超小型塑料封装，适用于表面贴装设计。小封装尺寸，适用于高密度应用。齐纳反向电压范围 2.4V 至 75V

20+
￥0.0876
200+
￥0.0855
600+
￥0.0842

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型号：BAV21WS 编号：C2977356

封装：SOD-323

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化芯片结。薄型封装。快速反向恢复时间。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令，无铅

数据手册

20+
￥0.1242
200+
￥0.0971
600+
￥0.0821
3000+
￥0.0652
9000+
￥0.0574
21000+
￥0.0532

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型号：MMBN187SE 编号：C41367943

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

硅外延平面开关二极管可以当普通平面二级管用,相对于普通的平面二极管它又有很多优点：反向电流低Ir:1uA，快速开关,Trr:4nS，低正向导通电压.

10+
￥0.1491
100+
￥0.1457
300+
￥0.1434

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型号：MMBP187SE 编号：C41413559

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

MMBP187SE是2对共阳级结构，硅外延平面开关二极管可以当普通平面二级管用,相对于普通的平面二极管它又有很多优点：反向电流低Ir:1uA，快速开关,Trr:4nS，低正向导通电压.

10+
￥0.1491
100+
￥0.1457
300+
￥0.1434

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型号：RB521CS-30DB 编号：C3000409

封装：DFN1006-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：小表面贴装类型。高可靠性。低反向电流和低正向电压

数据手册

20+
￥0.1541
200+
￥0.119
600+
￥0.0995
2000+
￥0.0878
10000+
￥0.0738
20000+
￥0.0683

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型号：MM1Z13W 编号：C2977362

封装：SOD-123W

品牌：PJSEMI(平晶微)

数据手册

20+
￥0.1494
200+
￥0.116
600+
￥0.0975
3000+
￥0.0827
9000+
￥0.0731
21000+
￥0.0679

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型号：ESDU3V3ADB 编号：C22470317

封装：DFN1x0.6-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

ESDU...ADB 系列 TVS 二极管旨在保护敏感电子设备免受因 ESD 及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闭锁。它们的工作电压有 3.3V、5V、12V 可选。这些器件为单向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。TVS 二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它们具备用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。它们采用 DFN1x0.6 - 2L 封装。标准产品无铅且无卤素。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。

20+
￥0.0851
200+
￥0.0831
600+
￥0.0818

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型号：ESDU12VADB 编号：C22470316

封装：DFN1x0.6-2L

品牌：PJSEMI(平晶微)

ESDU...ADB 系列 TVS 二极管旨在保护敏感电子设备，使其免受因 ESD 及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或闭锁。它们的工作电压有 3.3V、5V、12V 可选。这些器件为单向器件，可用于信号极性高于地电位的线路。TVS 二极管是专门为瞬态抑制设计的固态器件。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流。它们具备用于电路板级保护的理想特性，包括快速响应时间、低工作电压和钳位电压，且不会出现器件性能退化。它们采用 DFN1x0.6-2L 封装。标准产品无铅且无卤素。由于其封装小、重量轻，它们特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用。

20+
￥0.0851
200+
￥0.0831
600+
￥0.0818

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型号：PJS6001SE 编号：C53222319

封装：SOT-23-5

品牌：PJSEMI(平晶微)

采用恒频电流模式架构，高效率同步降压DC/DC芯片，最高效率可达 96%，轻载时自动切换至PFM模式，VIN:2.5V~5.5V, 峰值电流限制最大为2.2A，可稳定驱动 0A~1A 负载电流，满足多数便携式设备供电需求，低功耗设计：无负载静态电流仅 70μA（典型值），关断模式下电流低至 0.1μA（典型值），支持 100% 占空比工作，在电源电压接近输出电压时仍能稳定供电，无需外部肖特基二极管，包含过温保护，短路保护、输入欠压锁定，过压保护，软启动与浪涌抑制，带EN脚