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首页 > 热门关键词 > 台湾君耀二极管
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特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围:18V至1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽,从 18V 到 750V。 对瞬态过电压响应快。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 750V。 快速响应瞬态过电压。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或晶体管半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽,从 18V 到 750V。 对瞬态过电压响应快。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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    特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子设备的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
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      ¥0.39864
    特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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