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首页 > 热门关键词 > 台湾君耀二极管
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特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘ / ₄) 范围为 18V 至 750V。 快速响应瞬态过电压。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • UCD32CXXL01是一款超低电容TVS阵列,旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件,使其免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和雷击引起的过电压影响。独特的设计在单个封装中集成了具有浪涌额定值的低电容转向二极管和一个TVS二极管。在瞬态条件下,转向二极管将瞬态电流导向接地。内部TVS二极管将瞬态电压钳位到安全水平。超低电容阵列配置允许用户保护多达高速数据线。这些器件采用信号封装,符合RoHS/WEEE标准,采用SOD - 323封装,尺寸为2.5x1.25x1.0mm。该系列器件可用于满足IEC61000 - 4 - 2(ESD)、IEC61000 - 4 - 4(EFT)和IEC61000 - 4 - 5(浪涌)的抗扰度要求。接触放电:±30kV,空气放电:±30kV
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  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 是一种超低电容 TVS 阵列,旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感组件,免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE) 和雷击引起的过电压影响。独特的设计在单个封装中集成了浪涌额定、低电容转向二极管和 TVS 二极管。在瞬态条件下,转向二极管将瞬态电流引导至地
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  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽,从 18V 到 750V。 对瞬态过电压响应快。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 750V。 快速响应瞬态过电压。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或晶体管半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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