台湾君耀二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：插件,P=5mm

特性：工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽，从 18V 到 750V。对瞬态过电压响应快。吸收瞬态能量能力强。钳位比低，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +85°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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20+
￥0.2184
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型号：751KD07 编号：C269075

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压（V₁ₘₐ）范围为18V至820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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10+
￥0.2292
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型号：561KD10-P7.5Z0.5T4.8 编号：C2833649

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。对瞬态过电压响应迅速。吸收瞬态能量能力强。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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10+
￥0.2414
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￥0.1882
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型号：391KD20J 编号：C6117605

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽，从 18V 到 1800V。对瞬态过电压响应迅速。吸收瞬态能量能力强。钳位比低，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级标准。工作温度范围：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品的浪涌保护

5+
￥1.8194
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￥1.4606
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2400+
￥1.0295
5000+
￥0.9783

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型号：102KD20-(YWT)8 编号：C770524

封装：插件,P=10mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1800V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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5+
￥1.9424
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￥1.5134
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4950+
￥0.9081

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型号：471KD25 编号：C269042

封装：插件

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子产品的浪涌保护

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￥6.38
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型号：UAD8C03L01 编号：C473843

封装：SOD-882

品牌：Brightking(君耀电子)

UAD8C03L01包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背瞬态电压抑制（TVS）二极管，可为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全地承受高达IEC61000 - 4 - 2国际标准规定的最大水平的反复ESD冲击，且性能不会下降。背对背配置在存在交流信号时可为数据线提供对称的ESD保护。

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￥0.2639
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￥0.2107
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￥0.184
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40000+
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型号：680KD07 编号：C269064

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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10+
￥0.2688
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￥0.2178
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￥0.1579
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型号：121KD07 编号：C268954

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压（V₁ₘₐ）范围为18V至820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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10+
￥0.2737
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￥0.2238
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型号：1KV104 编号：C2833647

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +105℃。储存温度：-40℃ 至 +125℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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10+
￥0.3216
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￥0.2515
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型号：561KD10-E035 编号：C754148

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。对瞬态过电压响应迅速。吸收瞬态能量能力强。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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10+
￥0.3785
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￥0.2948
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10000+
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型号：390KD10-C3.5Z2 编号：C634302

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁₀₀) 范围：18V至1100V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

10+
￥0.428
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￥0.266

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型号：561KD14J-E088 编号：C774276

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 MSL 1 级标准（依据 J-STD-020）。工作温度：-40℃ 至 + 105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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5+
￥1.1237
50+
￥0.8919
300+
￥0.7925
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￥0.6686
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￥0.6134
5100+
￥0.5802

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型号：241KD07J 编号：C522237

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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10+
￥0.2378
100+
￥0.1898
500+
￥0.1658
1000+
￥0.1478
5000+
￥0.1334
10000+
￥0.1262

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型号：471KD10-C3.5Z2 编号：C773152

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。对瞬态过电压响应迅速。吸收瞬态能量能力强。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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10+
￥0.4387
100+
￥0.3501
500+
￥0.2755
1000+
￥0.2423

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型号：561KD10J-C3.5Z2 编号：C754154

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。对瞬态过电压响应迅速。吸收瞬态能量能力强。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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5+
￥0.4898
50+
￥0.393
150+
￥0.3445
500+
￥0.3082
2500+
￥0.2791
5000+
￥0.2646
10000+
￥0.2616
20000+
￥0.2596

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型号：221KD10-P5D0.6TB 编号：C2962071

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁₀₀) 范围：18V至1100V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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750+
￥0.288
1500+
￥0.2832
3000+
￥0.276
6000+
￥0.264

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型号：820KD10J-C3.5Z2A 编号：C634255

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁₀₀) 范围：18V至1100V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

5+
￥0.5099
50+
￥0.4074
150+
￥0.3561
500+
￥0.3177

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型号：561KD10J-P7.5Z2(GJ)1 编号：C2962077

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：快速响应瞬态过电压。具有大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃ ~ +105℃。储存温度：-40℃ ~ +125℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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5+
￥0.5567
50+
￥0.4431
150+
￥0.3863
500+
￥0.3437
2500+
￥0.3096
5000+
￥0.2926

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型号：471KD10J-E025 编号：C773164

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。对瞬态过电压响应迅速。吸收瞬态能量能力强。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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5+
￥0.5632
50+
￥0.4472
150+
￥0.3891
500+
￥0.3077

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型号：561KD10J-OP7.5Z1C3.4Z1T5.5LSC2 编号：C2938675

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：快速响应瞬态过电压。具有大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至+105℃。储存温度：-40℃至+125℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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5+
￥0.6509
50+
￥0.5195
150+
￥0.4538
500+
￥0.3752
2500+
￥0.3358
5000+
￥0.3161

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型号：561KD14-OC4Z2 编号：C2833645

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 MSL 1 级标准（依据 J-STD-020）。工作温度：-40℃ 至 + 105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

5+
￥0.6557
50+
￥0.5233
300+
￥0.4118
600+
￥0.3622

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型号：511KD14-C3.5Z2 编号：C773680

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 MSL 1 级标准（依据 J-STD-020）。工作温度：-40℃ 至 + 105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

5+
￥0.6612
50+
￥0.5277
300+
￥0.4153
600+
￥0.3652

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型号：621KD14-OC4Z2 编号：C774527

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 MSL 1 级标准（依据 J-STD-020）。工作温度：-40℃ 至 + 105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

5+
￥0.7402
50+
￥0.5881
300+
￥0.46
600+
￥0.4029
2400+
￥0.3573
5100+
￥0.3345

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型号：471KD14J-C3.5 编号：C2833682

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 MSL 1 级标准（依据 J-STD-020）。工作温度：-40℃ 至 + 105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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5+
￥0.8333
50+
￥0.6651
300+
￥0.526
600+
￥0.4629

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型号：471KD14J-OC3.2Z1LSC6 编号：C473869

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：工作电压 (V1mV) 范围宽，从 18V 到 1800V。对瞬态过电压响应迅速。吸收瞬态能量的能力强。钳位比低，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

数据手册

5+
￥0.8381
50+
￥0.6671
300+
￥0.5816
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￥0.5175
2400+
￥0.4662
5100+
￥0.4405

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型号：821KD14-C3.5Z2 编号：C775392

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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5+
￥0.9368
50+
￥0.7535
250+
￥0.6236
500+
￥0.5548
2500+
￥0.4998
5000+
￥0.4723

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型号：681KD14-T5 编号：C774866

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。具有大的吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +105℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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5+
￥1.0749
50+
￥0.8531
250+
￥0.7581
500+
￥0.6395
2500+
￥0.5867
5000+
￥0.555

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型号：152KD14 编号：C78358

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子设备的浪涌保护

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5+
￥2.0044
50+
￥1.576
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￥1.3924
450+
￥1.1634
2550+
￥1.0614
4950+
￥1.0001

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型号：181KD07J 编号：C522214

封装：插件,P=5mm

品牌：Brightking(君耀电子)

特性：宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40°C 至 +105°C。应用：晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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