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特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 低钳位比,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
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