您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 台湾君耀二极管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共201241
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合MSL 1级标准(依据J-STD-020)。 工作温度范围:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
数据手册
  • 10+

    ¥0.2528
  • 100+

    ¥0.2043
  • 300+

    ¥0.1801
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₗ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 MSL 1 级标准(依据 J-STD-020)。 工作温度:-40℃ 至 + 105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 1+

      ¥0.33711 ¥1.1237
    • 10+

      ¥0.17838 ¥0.8919
    • 30+

      ¥0.07925 ¥0.7925
    • 250+

      ¥0.06686 ¥0.6686
    • 500+

      ¥0.06134 ¥0.6134
    • 1000+

      ¥0.05802 ¥0.5802
  • 有货
  • SET23AXXL02系列瞬态电压抑制器(TVS)旨在保护连接到数据和传输线路的组件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。低矮型SOT - 23封装为拥挤电路板的设计提供了灵活性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4469
    • 100+

      ¥0.3543
    • 300+

      ¥0.308
    • 3000+

      ¥0.2732
    • 6000+

      ¥0.2454
    • 9000+

      ¥0.2315
  • 订货
  • UAT26A03L05是浪涌额定二极管阵列,旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的过电压影响。该器件的独特设计在单个封装中集成了一个浪涌额定二极管和四条数据线、低电容转向二极管以及一个TVS二极管。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4735
    • 100+

      ¥0.3775
    • 300+

      ¥0.3295
  • 有货
  • SET23AXXL02系列瞬态电压抑制器(TVS)旨在保护连接到数据和传输线路的组件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。低矮型SOT - 23封装为拥挤电路板的设计提供了灵活性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.475
    • 100+

      ¥0.3809
    • 300+

      ¥0.3339
  • 有货
  • 该系列是一款超低电容TVS阵列,专为保护高速数据接口而设计。该系列专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和雷击引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和TVS二极管集成在一个封装中。在瞬态条件下,转向二极管将瞬态电流导向接地。内部TVS二极管将瞬态电压钳位到安全水平。超低电容阵列配置允许用户保护多达高速数据线。这些器件采用信号封装,符合RoHS/WEEE标准,采用SOD - 323封装。该系列器件可用于满足IEC61000 - 4 - 2(ESD)、IEC61000 - 4 - 4(EFT)和IEC61000 - 4 - 5(浪涌)的抗扰度要求。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5005
    • 100+

      ¥0.4045
    • 300+

      ¥0.3565
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.33319
    • 500+

      ¥0.2772
    特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6005
    • 50+

      ¥0.4853
    • 150+

      ¥0.4277
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围:18V至1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥0.6507
    • 50+

      ¥0.5259
    • 150+

      ¥0.4635
    • 500+

      ¥0.4167
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6801
    • 50+

      ¥0.5415
    • 150+

      ¥0.4722
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7221
    • 50+

      ¥0.5711
    • 150+

      ¥0.4956
    • 400+

      ¥0.439
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8566
    • 50+

      ¥0.6802
    • 300+

      ¥0.592
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子设备的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8724
    • 50+

      ¥0.7092
    • 150+

      ¥0.6276
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0641
    • 50+

      ¥0.8574
    • 250+

      ¥0.7689
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围为 18V 至 1800V。 快速响应瞬态过电压。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3979
    • 50+

      ¥1.1222
    • 200+

      ¥1.0041
    • 400+

      ¥0.8567
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合 MSL 1 级,按照 J-STD-020 标准。工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2477
    • 50+

      ¥1.8586
    • 250+

      ¥1.6919
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2252
    • 200+

      ¥0.1728
    • 1000+

      ¥0.1437
    • 2000+

      ¥0.1262
    • 10000+

      ¥0.1111
    • 20000+

      ¥0.1029
  • 订货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3979
    • 100+

      ¥0.3259
    • 500+

      ¥0.2674
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围:18V至1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5579
    • 100+

      ¥0.4442
    • 500+

      ¥0.3595
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥2.1973
    • 50+

      ¥1.7639
    • 150+

      ¥1.5782
  • 有货
  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2039
    • 50+

      ¥1.7971
    • 150+

      ¥1.5421
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合MSL 1级标准(根据J-STD-020)。 工作温度范围:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3924
    • 50+

      ¥1.887
    • 150+

      ¥1.6704
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥0.15945 ¥0.5315
    • 50+

      ¥0.10398 ¥0.5199
    • 300+

      ¥0.05123 ¥0.5123
    • 600+

      ¥0.05046 ¥0.5046
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2019
    • 200+

      ¥0.1597
    • 1000+

      ¥0.1285
    • 2000+

      ¥0.1145
    • 10000+

      ¥0.1023
    • 20000+

      ¥0.0958
  • 订货
  • 特性:宽工作电压(V₁ₘᵥ)范围为18V至750V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比,无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2276
    • 100+

      ¥0.1785
    • 300+

      ¥0.1539
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3128
    • 100+

      ¥0.2528
    • 300+

      ¥0.2228
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3254
    • 100+

      ¥0.263
    • 300+

      ¥0.2318
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3384
    • 100+

      ¥0.2712
    • 300+

      ¥0.2376
    • 1000+

      ¥0.2054
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4025
    • 100+

      ¥0.3155
    • 300+

      ¥0.272
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4666
    • 100+

      ¥0.3898
    • 500+

      ¥0.3514
  • 有货
  • 立创商城为您提供台湾君耀二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买台湾君耀二极管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content