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首页 > 热门关键词 > 台湾君耀二极管
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特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比,无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
数据手册
  • 20+

    ¥0.3127
  • 200+

    ¥0.2457
  • 1000+

    ¥0.196
  • 2000+

    ¥0.1736
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4404
    • 100+

      ¥0.356
    • 500+

      ¥0.3137
    • 1000+

      ¥0.282
  • 有货
  • SDT23C24L02 组件旨在保护敏感电子设备,避免其因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现闩锁效应。该组件专为电路板空间有限的应用而设计,可保护多达两条线路。它是双向器件,可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制(TVS)二极管是专门用于瞬态抑制的固态器件,其特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流。它具备电路板级保护所需的理想特性,包括快速响应时间、低钳位电压且不会出现器件性能退化。该器件可用于满足 IEC61000 - 4 - 2 标准 4 级的抗扰度要求。SOT - 23 封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备,如 RS - 422 输入/输出、RS - 232 输入/输出、笔记本电脑和服务器等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6926
    • 50+

      ¥0.577
    • 150+

      ¥0.5192
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      ¥0.4759
  • 有货
  • 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或闩锁影响。适用于电路板空间有限的应用。该设备可保护多达两条线路。它们是双向设备,可用于信号极性高于地的线路。TVS 二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态设备。具有大截面积结,用于传导高瞬态电流。具备快速响应时间、低钳位电压和无设备老化等理想的板级保护特性。可满足 IEC61000-4-2 4 级的抗扰度要求。SOT-23 封装尺寸使其非常适合用于便携式电子产品,如 RS-422 I/O、RS-232 I/O、笔记本电脑和服务器。
    • 5+

      ¥0.7484
    • 50+

      ¥0.5487 ¥0.59
    • 150+

      ¥0.423964 ¥0.5108
    • 500+

      ¥0.374662 ¥0.4514
    • 3000+

      ¥0.335237 ¥0.4039
    • 6000+

      ¥0.315483 ¥0.3801
  • 有货
  • UAD8C05L01包含采用专有硅雪崩技术制造的背对背瞬态电压抑制(TVS)二极管,可为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。这些耐用的二极管能够安全地吸收高达IEC61000 - 4 - 2国际标准规定的最大等级的重复性ESD冲击,且性能不会下降。背对背配置在存在交流信号时为数据线提供对称的ESD保护。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2027
    • 200+

      ¥0.1563
    • 600+

      ¥0.1306
    • 2000+

      ¥0.1151
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2603
    • 100+

      ¥0.2104
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      ¥0.1854
    • 1000+

      ¥0.1667
  • 有货
  • 该系列产品是一款超低电容 TVS 阵列,旨在保护高速数据接口。此系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件,使其免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE) 和雷击引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和 TVS 二极管集成在单个封装中。在瞬态条件下,转向二极管将瞬态电流导向接地。内部 TVS 二极管将瞬态电压钳位到安全水平。超低电容阵列配置允许用户保护多达高速数据线。这些器件采用 SOD - 323 封装,符合 RoHS/WEEE 标准,尺寸为 2.5×1.25×1.0mm。该系列器件可用于满足 IEC61000 - 4 - 2 (ESD)、IEC61000 - 4 - 4 (EFT) 和 IEC61000 - 4 - 5 (浪涌) 的抗扰度要求。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3155
    • 100+

      ¥0.2529
    • 300+

      ¥0.2215
    • 3000+

      ¥0.198
  • 有货
  • 该系列产品是一款超低电容 TVS 阵列,旨在保护高速数据接口。此系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件,使其免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE) 和雷击引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和 TVS 二极管集成在单个封装中。在瞬态条件下,转向二极管将瞬态电流导向接地。内部 TVS 二极管将瞬态电压钳位到安全水平。超低电容阵列配置允许用户保护多达高速数据线。这些器件采用 SOD - 323 封装,符合 RoHS/WEEE 标准,尺寸为 2.5×1.25×1.0mm。该系列器件可用于满足 IEC61000 - 4 - 2 (ESD)、IEC61000 - 4 - 4 (EFT) 和 IEC61000 - 4 - 5 (浪涌) 的抗扰度要求。
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      ¥0.3684
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      ¥0.3004
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      ¥0.2665
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4964
    • 100+

      ¥0.3982
    • 400+

      ¥0.349
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8607
    • 50+

      ¥0.6927
    • 150+

      ¥0.6087
    • 400+

      ¥0.5282
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围:18V至820V。对瞬态过电压快速响应。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合MSL 1级标准(依据J-STD-020)。工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2623
    • 200+

      ¥0.211
    • 1000+

      ¥0.1825
  • 有货
  • SET23A12L02-E18旨在保护连接到数据和传输线路的组件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。低矮的SOT-23封装为拥挤电路板的设计提供了灵活性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3001
    • 100+

      ¥0.2497
    • 300+

      ¥0.2245
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3766
    • 100+

      ¥0.3044
    • 300+

      ¥0.2683
    • 1000+

      ¥0.2412
  • 有货
  • LBT23C24L02 组件旨在保护敏感电子设备,避免其因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现闩锁效应。该组件专为电路板空间有限的应用而设计,可保护多达两条线路。它是双向器件,可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制(TVS)二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件,其特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流。它具备电路板级保护所需的理想特性,包括快速响应时间、低钳位电压且无器件性能退化问题。该器件可用于满足 IEC61000 - 4 - 2 标准 4 级的抗扰度要求。SOT - 23 封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备,如 RS - 422 输入/输出、RS - 232 输入/输出、笔记本电脑和服务器等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4357
    • 100+

      ¥0.3516
    • 300+

      ¥0.3095
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁₀₀) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    • 5+

      ¥0.486452 ¥0.7846
    • 50+

      ¥0.325624 ¥0.6262
    • 300+

      ¥0.22974 ¥0.547
    • 600+

      ¥0.204792 ¥0.4876
    • 2400+

      ¥0.1848 ¥0.44
    • 5100+

      ¥0.174846 ¥0.4163
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 具有大的吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4926
    • 100+

      ¥0.3873
    • 500+

      ¥0.3346
  • 有货
  • UCT26A05L05-HP1是浪涌额定二极管阵列,旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的过电压影响。该器件的独特设计集成了一个浪涌额定线路和四条数据线。低电容转向二极管和一个TVS二极管封装在一个单一封装中。低电容阵列配置使用户能够保护四条高速数据或传输线路。接触放电:±30kV 空气放电:±30kV
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6751
    • 50+

      ¥0.5484
    • 150+

      ¥0.485
    • 500+

      ¥0.4374
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子设备的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1369
    • 50+

      ¥0.9191
    • 250+

      ¥0.8258
    • 500+

      ¥0.7094
  • 有货
  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽,从 18V 到 750V。 对瞬态过电压响应快。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 20+

      ¥0.07134 ¥0.2378
    • 200+

      ¥0.03796 ¥0.1898
    • 1000+

      ¥0.01658 ¥0.1658
    • 2000+

      ¥0.01478 ¥0.1478
    • 10000+

      ¥0.01334 ¥0.1334
    • 20000+

      ¥0.01262 ¥0.1262
  • 有货
  • 特性:工作电压 (V₁ₘᵥ) 范围宽,从18V到750V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量的能力强。 钳位比低,无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+105℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子设备的浪涌保护
    • 20+

      ¥0.07134 ¥0.2378
    • 200+

      ¥0.03796 ¥0.1898
    • 1000+

      ¥0.01658 ¥0.1658
    • 2000+

      ¥0.01478 ¥0.1478
    • 10000+

      ¥0.01334 ¥0.1334
    • 20000+

      ¥0.01262 ¥0.1262
  • 有货
  • 快速响应瞬态过压。大吸收瞬态能量能力。低箝位比且无后续电流。符合J-STD-020标准的MSL 1级。工作温度:-40℃至+105℃。存储温度:-40℃至+125℃。安全认证:UL、CSA、VDE。晶体管、二极管、IC、晶闸管或双向晶闸管半导体保护。消费电子中的浪涌保护。工业电子中的浪涌保护。家用电器、燃气和石油器具中的浪涌保护。继电器和电磁阀的浪涌吸收。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.20007 ¥0.4446
    • 100+

      ¥0.12418 ¥0.3548
    • 500+

      ¥0.0775 ¥0.31
    • 1000+

      ¥0.069075 ¥0.2763
    • 5000+

      ¥0.06235 ¥0.2494
    • 10000+

      ¥0.058975 ¥0.2359
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 40+

      ¥0.17875
    • 1000+

      ¥0.14916
    特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40℃ 至 +85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2891
    • 100+

      ¥0.2336
    • 300+

      ¥0.2059
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 1100V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +85°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或半导体保护。 消费电子中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3875
    • 100+

      ¥0.3155
    • 500+

      ¥0.272
    • 1000+

      ¥0.245
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器 UBD32C05L01 旨在保护低电压、先进的 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。该器件采用 EPD 工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比,EPD 工艺可提供低关断电压,并显著降低漏电流和电容。结合低漏电流特性,这意味着在 10/100/1000 以太网等高速应用中能够保持信号完整性。该器件可用于保护两对高速线路。“直连式”设计可将走线电感降至最低,并减少与 ESD 事件相关的电压过冲。该器件的低钳位电压可将受保护 IC 所承受的应力降至最低。该器件的 TVS 二极管符合 IEC61000-4-2 4 级浪涌要求。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4534
    • 100+

      ¥0.3681
    • 300+

      ¥0.3255
    • 3000+

      ¥0.2846
  • 有货
  • SET23AXXL02系列瞬态电压抑制器(TVS)旨在保护连接到数据和传输线路的组件,使其免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作电压和钳位电压以及快速响应时间的特点。这使其非常适合用作敏感半导体组件的板级保护。低矮型SOT - 23封装为拥挤电路板的设计提供了灵活性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4755
    • 100+

      ¥0.3829
    • 300+

      ¥0.3366
  • 有货
  • 特性:宽工作电压(V₁ₘₐ)范围为18V至1800V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合J-STD-020的MSL 1级。 工作温度:-40℃至+85℃。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8217
    • 50+

      ¥0.6617
    • 250+

      ¥0.5818
  • 有货
  • SDT23C24L02-AT 组件旨在保护敏感电子设备,避免其因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件而损坏或发生闩锁。该组件专为电路板空间有限的应用而设计,可保护多达两条线路。它是双向器件,可用于信号极性高于地电位的线路。瞬态电压抑制(TVS)二极管是专门为瞬态抑制而设计的固态器件,其特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流。它具备电路板级保护所需的理想特性,包括快速响应时间、低钳位电压且无器件性能退化。该器件可用于满足 IEC61000 - 4 - 2 标准 4 级的抗扰度要求。SOT - 23 封装尺寸使其非常适合用于便携式电子设备,如 RS - 422 输入/输出接口、RS - 232 输入/输出接口、笔记本电脑和服务器等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8692
    • 50+

      ¥0.6907
    • 150+

      ¥0.6015
  • 有货
  • 特性:工作电压 (V₁ₘₐ) 范围宽,从 18V 到 1800V。 对瞬态过电压响应迅速。 吸收瞬态能量能力强。 钳位比低,无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级标准。 工作温度范围:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品的浪涌保护
    • 5+

      ¥2.0546
    • 50+

      ¥1.6445
    • 150+

      ¥1.4687
  • 有货
  • 特性:宽工作电压 (V1m / 4) 范围为 18V 至 820V。 对瞬态过电压快速响应。 大吸收瞬态能量能力。 低钳位比且无续流。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。 工作温度:-40°C 至 +105°C。应用:晶体管、二极管、IC、晶闸管或三端双向可控硅半导体保护。 消费电子产品中的浪涌保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2205
    • 100+

      ¥0.172
    • 300+

      ¥0.1477
  • 有货
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