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价格(含税)

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电流:150mA 电压:50V

型号：2SC5658T2LQ-HXY 编号：C46682402

封装：SOT-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN型三极管（BJT）具备0.15A的集电极电流（IC），能够支持高达50V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于需要中等功率处理能力的设计。其直流电流增益（HFE）范围为180至390，表明它在放大信号方面表现出色，同时保证了较高的效率和稳定性。此外，该三极管具有180MHz的过渡频率（FT），使其成为高速开关应用的理想选择。其性能特点使得这款三极管非常适合于各种基础电子电路设计，如信号放大与处理等场景。

20+
￥0.204879 ￥0.2203
200+
￥0.160704 ￥0.1728
600+
￥0.136152 ￥0.1464
2000+
￥0.121458 ￥0.1306
8000+
￥0.108624 ￥0.1168
16000+
￥0.101742 ￥0.1094

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:800mA

型号：SSM3K56MFV,L3F 编号：C146288

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (max) (VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 300 mΩ (max) (VGS = 2.5 V)。 -RDS(ON) = 480 mΩ (max) (VGS = 1.8 V)。 -RDS(ON) = 840 mΩ (max) (VGS = 1.5 V)。应用：高速开关

数据手册

20+
￥0.2217
200+
￥0.1737
600+
￥0.1497
2000+
￥0.1317

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:900mA

型号：TNM01K20CX 编号：C5307986

封装：SOT-723

品牌：晶扬电子

数据手册

20+
￥0.2253
200+
￥0.1767
600+
￥0.1497
3000+
￥0.1281
9000+
￥0.1141
21000+
￥0.1065

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:0.65A

型号：HSSC3139 编号：C700950

封装：SOT-723

品牌：HUASHUO(华朔)

HSSC3139 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSSC3139 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

10+
￥0.3139
100+
￥0.2491
300+
￥0.2167
1000+
￥0.1924
5000+
￥0.1517
10000+
￥0.142

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:400mA

型号：WST2004 编号：C719085

封装：SOT-723

品牌：WINSOK(微硕)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低RDS(on)的N沟道开关。低逻辑电平栅极驱动操作。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.3552
100+
￥0.283
300+
￥0.2468

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:0.54A

型号：WNM2077-3/TR 编号：C239779

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2077是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.3563
200+
￥0.2927
600+
￥0.2466
2000+
￥0.2085

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:800mA

型号：SSM3J56MFV,L3F 编号：C5274157

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。重量：1.5mg（典型值）

数据手册

335+
￥0.795918
500+
￥0.696428
1000+
￥0.596939

我要订货

NPN 电流:50mA 电压:20V

型号：2SC5661T2LP 编号：C5443923

封装：VMT3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高过渡频率。（典型值 fr = 1.5GHz）。小 rbb'Cc 和高增益。（典型值 6ps）。小 NF

5+
￥0.3665
50+
￥0.3184
150+
￥0.2944
500+
￥0.2764
2500+
￥0.2619

有货

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ESD 5V截止

型号：DF3A6.8LFV,L3F 编号：C1974393

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电（ESD）防护。在超紧凑型封装中安装两个器件可减少零件数量并降低安装成本。

数据手册

10+
￥0.3779
100+
￥0.2952
300+
￥0.2539
1000+
￥0.2229
5000+
￥0.1982
8000+
￥0.1858

有货

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1个N沟道耐压:20V

型号：SSM3K35MFV,L3F 编号：C7421331

封装：VESM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动低导通电阻：Ron = 20Ω（最大值）(VGS = 1.2V)；Ron = 8Ω（最大值）(VGS = 1.5V)；Ron = 4Ω（最大值）(VGS = 2.5V)；Ron = 3Ω（最大值）(VGS = 4.0V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

10+
￥0.4353
100+
￥0.3393
300+
￥0.2913
1000+
￥0.2553

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:300mA

型号：RUM003N02T2L 编号：C510348

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动（1.8V），适用于便携式设备。驱动电路简单。易于并联使用。应用：开关

数据手册

5+
￥0.5074
50+
￥0.4066
150+
￥0.3562
500+
￥0.3184
2500+
￥0.2882

有货

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数字晶体管（内置电阻）

型号：AD-DTA123YM 编号：C2975814

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证

数据手册

10+
￥0.109564 ￥0.2548
100+
￥0.06699 ￥0.203
300+
￥0.040733 ￥0.1771
1000+
￥0.036248 ￥0.1576
5000+
￥0.032683 ￥0.1421
8000+
￥0.030889 ￥0.1343

有货

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DOV3018A

型号：DOV3018A 编号：C54349755

封装：SOT-723

品牌：DOINGTER(杜因特)

N管/30V/0.3A/550MΩ/(典型430MΩ)

50+
￥0.1252
500+
￥0.0982
1500+
￥0.0832
8000+
￥0.0742

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.34A

型号：2N7002KM 编号：C7528888

封装：SOT-723

品牌：AM(安美)

特性：高密度单元设计，实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。小外形表面贴装封装。 RoHS合规/绿色EMC

20+
￥0.130055 ￥0.1369
200+
￥0.10127 ￥0.1066
600+
￥0.08531 ￥0.0898
2000+
￥0.075715 ￥0.0797
10000+
￥0.06745 ￥0.071
20000+
￥0.062985 ￥0.0663

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:0.34A

型号：2N7002M3T5G 编号：C42375086

封装：SOT-723

特性：先进的沟槽工艺技术。低阈值电压。快速开关速度。无卤无铅。 ESD防护高达2KV（HBM）。应用：便携式设备的负载开关。电压控制小信号开关

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962
2000+
￥0.0854
8000+
￥0.0761
16000+
￥0.071

订货

我要订货

NPN 电流:0.15A 电压:50V

型号：PNT723T503E0-2 编号：C110720

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

特性：该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。集电极：3个。封装：SOT-723。发射极-基极击穿电压：11V。高直流电流增益，典型值380。低饱和电压：80mV。连续集电极电流：0.15A。 NPN开关晶体管

数据手册

20+
￥0.1537
200+
￥0.1213
600+
￥0.1033
2000+
￥0.0925

有货

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NPN数字晶体管

型号：DTC143ZM 编号：C7529011

封装：SOT-723

品牌：AM(安美)

特性：外延平面管芯结构。工作和存储结温：-55℃ 至 150℃。符合 RoHS 标准/绿色 EMC。内置偏置电阻等效电路

20+
￥0.162545 ￥0.1711
200+
￥0.126635 ￥0.1333
600+
￥0.106685 ￥0.1123
2000+
￥0.094715 ￥0.0997
8000+
￥0.084265 ￥0.0887
16000+
￥0.078755 ￥0.0829

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:0.18A

型号：PNM723T703E0-2 编号：C110713

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

N沟,40V,180mA,7.5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.1674
200+
￥0.1349
600+
￥0.1168
2000+
￥0.1059

有货

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SI2301K

型号：SI2301K 编号：C53433003

封装：SOT-723

品牌：YTL(亚特联)

20+
￥0.1743
200+
￥0.1354
600+
￥0.1138
2000+
￥0.1009

有货

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数字晶体管（内置电阻）

型号：DTA114YM 编号：C3031907

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

数据手册

20+
￥0.1749
200+
￥0.1355
600+
￥0.1136
2000+
￥0.1005

有货

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NPN

型号：HDTC144EMT2L 编号：C22461934

封装：SOT-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN数字晶体管，设计精妙，Vceo耐压50V，Ic电流0.03A，Pd功率0.1W，确保在紧凑空间内实现高效能。其稳定性和精确控制能力，使其成为数字电路设计中，信号放大与逻辑切换的理想组件。

20+
￥0.200024 ￥0.2273
200+
￥0.15576 ￥0.177
600+
￥0.131208 ￥0.1491
2000+
￥0.116512 ￥0.1324
8000+
￥0.103752 ￥0.1179
16000+
￥0.096888 ￥0.1101

有货

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BSS138AF7

型号：BSS138AF7 编号：C52016444

封装：SOT-723

20+
￥0.2253
200+
￥0.1767
600+
￥0.1497
2000+
￥0.1335
8000+
￥0.1195
16000+
￥0.1119

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:1.2A

型号：SL2302M 编号：C2943027

封装：SOT-723

品牌：Slkor(萨科微)

特性：表面贴装封装。 N沟道开关，低导通电阻。低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.2595
100+
￥0.2067
300+
￥0.1803
1000+
￥0.1605
5000+
￥0.1447
8000+
￥0.1368

订货

我要订货

1个N沟道耐压:60V 电流:250mA

型号：RSM002N06MGT2L 编号：C2982508

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高速开关。小封装（VMT3）。低电压驱动（2.5V驱动）。应用：开关

数据手册

10+
￥0.261
100+
￥0.227
300+
￥0.21
1000+
￥0.1972
5000+
￥0.187

有货

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PNP 电流:100mA 电压:50V

型号：2SAR523MT2L 编号：C703593

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：通用型。互补NPN类型。应用：通用小信号放大器

数据手册

20+
￥0.2632
200+
￥0.2157
600+
￥0.1893
2000+
￥0.1734

有货

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N沟道耐压:20V 电流:0.9A

型号：VBHA1230N 编号：C42412556

封装：SOT-723

品牌：VBsemi(微碧半导体)

SOT23；N—Channel沟道,20V；0.9A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~0.9V；是一款采用Trench技术低电压单N沟道MOSFET，适用于传感器接口、医疗电子、智能家居等应用领域。

10+
￥0.326515 ￥0.3437
100+
￥0.258115 ￥0.2717
300+
￥0.223915 ￥0.2357
3000+
￥0.198265 ￥0.2087
6000+
￥0.177745 ￥0.1871
9000+
￥0.167485 ￥0.1763

有货

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P沟道耐压:20V 电流:0.91A

型号：WPM2093-3/TR 编号：C2931332

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2093是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.3724
100+
￥0.2956
300+
￥0.2572
1000+
￥0.2284
5000+
￥0.2054

有货

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极性:单向双路保护反向关断电压（典型值）：5V (Max) 击穿电压（最小值）：6V 钳位电压：15V 峰值脉冲电流（8/20us）：5A ，电容Cj：0.6pF

型号：TPD2EUSB30DRTR-ES 编号：C5199216

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

5.0V低容，两路单向，4.5A，20kV，0.6pF；HDMI/USB2.0/MDDI/HBT等高速接口防护。

数据手册

5+
￥0.4817
50+
￥0.36
150+
￥0.2992

有货

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50V 30mA

型号：AD-DTC144EM 编号：C2975830

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证

数据手册

10+
￥0.11466 ￥0.2548
100+
￥0.07105 ￥0.203
300+
￥0.044275 ￥0.1771
1000+
￥0.0394 ￥0.1576
5000+
￥0.035525 ￥0.1421
8000+
￥0.033575 ￥0.1343

有货

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NPN 50mA

型号：DTC114EM 编号：C46532132

封装：SOT-723

品牌：POPPULA(宝浦莱)

外延平面芯片结构 /工作与存储结温范围：-55℃ 至 150℃ /符合RoHS标准 / 绿色电磁兼容性 / 内置偏置电阻

20+
￥0.1327
200+
￥0.1041
600+
￥0.0882
2000+
￥0.0786

有货

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