VESM二极管_厂家_价格_品牌_库存

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

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20+
￥0.0945 ￥0.105
200+
￥0.09234 ￥0.1026
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￥0.0909 ￥0.101
2000+
￥0.08946 ￥0.0994

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型号：HDTC144EMT2L 编号：C22461934

封装：SOT-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN数字晶体管，设计精妙，Vceo耐压50V，Ic电流0.03A，Pd功率0.1W，确保在紧凑空间内实现高效能。其稳定性和精确控制能力，使其成为数字电路设计中，信号放大与逻辑切换的理想组件。

20+
￥0.102344 ￥0.1163
200+
￥0.099968 ￥0.1136
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￥0.098472 ￥0.1119
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型号：BSS138AF7 编号：C52016444

封装：SOT-723

品牌：KUU

20+
￥0.118
200+
￥0.1154
600+
￥0.1136
2000+
￥0.1119

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型号：PDTC143ZM 编号：C110684

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器

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20+
￥0.1347
200+
￥0.1067
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￥0.0911
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￥0.0817

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型号：2N7002M3T5G 编号：C42375086

封装：SOT-723

品牌：KUU

特性：先进的沟槽工艺技术。低阈值电压。快速开关速度。无卤无铅。 ESD防护高达2KV（HBM）。应用：便携式设备的负载开关。电压控制小信号开关

20+
￥0.1466
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￥0.1142
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￥0.0962
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￥0.0854
8000+
￥0.0761
16000+
￥0.071

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型号：WNM3013-3/TR 编号：C239659

封装：SOT-723

WNM3013 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

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20+
￥0.222
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￥0.175
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￥0.1489

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型号：BC856BM3T5G 编号：C327477

封装：SOT-723

此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-723 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.244
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￥0.1912
300+
￥0.1648
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型号：AD-DTC123JM 编号：C2975826

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证

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10+
￥0.246
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￥0.1941
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￥0.1682
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型号：SL2302M 编号：C2943027

封装：SOT-723

品牌：Slkor(萨科微)

特性：表面贴装封装。 N沟道开关，低导通电阻。低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

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10+
￥0.2595
100+
￥0.2067
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￥0.1803
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型号：HSSC3139 编号：C700950

封装：SOT-723

品牌：HUASHUO(华朔)

HSSC3139 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSSC3139 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

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10+
￥0.3139
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￥0.2491
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￥0.2167
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￥0.1924
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型号：NTK3139PT1G 编号：C236246

封装：SOT-723

特性：P沟道开关，低导通电阻RDS(on)。比SC-89封装的占位面积小44%，厚度薄38%。低阈值电平，允许1.5V的RDS(on)额定值。可在低逻辑电平栅极驱动下工作。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：负载/电源开关-接口。逻辑开关

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5+
￥0.7356
50+
￥0.596
150+
￥0.5262
500+
￥0.4738

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型号：DTC143ZM 编号：C42375091

封装：SOT-723

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。与DTA143ZM（PNP）互补。功耗为150mW。高稳定性和高可靠性。符合RoHS标准。应用：放大信号。电子开关

20+
￥0.1588
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￥0.1237
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￥0.1042
2000+
￥0.0925
8000+
￥0.0824
16000+
￥0.0769

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型号：VBHA1230N 编号：C42412556

封装：SOT-723

品牌：VBsemi(微碧半导体)

SOT23；N—Channel沟道,20V；0.9A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~0.9V；是一款采用Trench技术低电压单N沟道MOSFET，适用于传感器接口、医疗电子、智能家居等应用领域。

10+
￥0.17708 ￥0.1864
100+
￥0.172995 ￥0.1821
300+
￥0.17024 ￥0.1792
1000+
￥0.167485 ￥0.1763

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型号：DTC043TMT2L 编号：C2941609

封装：SOT-723

特性：内置偏置电阻，R₁ = 4.7kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计变得容易。互补PNP类型：DTA043T系列。应用：反相器。接口

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20+
￥0.2067
200+
￥0.1673
600+
￥0.1454

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型号：2SA2029 编号：C2875435

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：出色的hFE线性度。与2SC5658互补

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20+
￥0.2082
200+
￥0.165
600+
￥0.141

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型号：WST2002 编号：C5772620

封装：SOT-723

品牌：WINSOK(微硕)

WST2002是一款具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST2002符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.30186 ￥0.3354
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￥0.29493 ￥0.3277
150+
￥0.29025 ￥0.3225
500+
￥0.28557 ￥0.3173

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型号：MMBT4403M3T5G 编号：C896290

封装：SOT-723

MMBT4403M3T5G器件是我们广受欢迎的SOT - 23三引脚器件的衍生产品。它专为通用开关应用而设计，采用SOT - 723表面贴装封装。该器件非常适合电路板空间宝贵的低功耗表面贴装应用

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5+
￥0.3303
50+
￥0.3223
150+
￥0.3171

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型号：RTM002P02T2L 编号：C2766164

封装：SOT-723

特性：低导通电阻。小封装（VMT3）。 2.5V驱动。应用：开关

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5+
￥0.3531
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￥0.3071
150+
￥0.2841
500+
￥0.2668
2500+
￥0.253
5000+
￥0.2461

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型号：WNM2077-3/TR 编号：C239779

封装：SOT-723

WNM2077是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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20+
￥0.3563
200+
￥0.2927
600+
￥0.2466
2000+
￥0.2085

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型号：NSVBC846BM3T5G 编号：C896454

封装：SOT-723

特性：湿度敏感度等级：1级。 ESD 等级：人体模型：>4000V；机器模型：>400V。 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这是无铅器件

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5+
￥0.38064 ￥0.793
50+
￥0.24111 ￥0.6345
150+
￥0.155484 ￥0.5553
500+
￥0.138852 ￥0.4959
2500+
￥0.125552 ￥0.4484
5000+
￥0.118888 ￥0.4246

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型号：RSM002P03T2L 编号：C510346

封装：SOT-723

特性：低导通电阻。小封装（VMT3）。 4V驱动。无铅/符合RoHS标准。应用：开关

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5+
￥0.7253
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￥0.5765
150+
￥0.502
500+
￥0.4462
2500+
￥0.351

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型号：MMBT5551M3T5G 编号：C154799

封装：SOT-723

该高电压 NPN 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于通用开关应用，采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

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5+
￥0.7728
50+
￥0.6082
150+
￥0.5259
500+
￥0.4642

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型号：DTC114EM3T5G 编号：C463449

封装：SOT-723-3

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

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5+
￥0.9535
50+
￥0.7485
150+
￥0.6606
500+
￥0.551

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型号：MC3541A-TP 编号：C19987927

封装：SOT-723

品牌：MCC(美微科)

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50+
￥0.116
500+
￥0.0928
1500+
￥0.0799

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型号：WNM2030A-3/TR 编号：C2931325

封装：SOT-723

是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。是无铅产品。

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20+
￥0.1882
200+
￥0.1488
600+
￥0.1269
2000+
￥0.1138

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型号：PNM723T30V01 编号：C169330

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

PNM723T30V01专为高速开关应用而设计。该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。

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20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
2000+
￥0.1139

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型号：NSVDTC123JM3T5G 编号：C896465

封装：SOT-723

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，减少了系统成本和电路板空间。

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5+
￥0.300132 ￥0.7146
50+
￥0.182976 ￥0.5718
150+
￥0.110088 ￥0.5004
500+
￥0.098318 ￥0.4469
2500+
￥0.08888 ￥0.404
5000+
￥0.084172 ￥0.3826

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型号：WPM2031-3/TR 编号：C240201

封装：SOT-723