VESM二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AD-DTA143EM 编号：C2975816

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，使设备设计更简单。通过 AEC-Q101 认证

数据手册

10+
￥0.122304 ￥0.2548
100+
￥0.07714 ￥0.203
300+
￥0.049588 ￥0.1771
1000+
￥0.044128 ￥0.1576
5000+
￥0.039788 ￥0.1421
8000+
￥0.037604 ￥0.1343

有货

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型号：AD-DTC143XM 编号：C2975829

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关状态，简化设备设计。通过AEC-Q101认证

数据手册

10+
￥0.124852 ￥0.2548
100+
￥0.07917 ￥0.203
300+
￥0.051359 ￥0.1771
1000+
￥0.045704 ￥0.1576
5000+
￥0.041209 ￥0.1421
8000+
￥0.038947 ￥0.1343

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型号：DTC114EM 编号：C46532132

封装：SOT-723

品牌：POPPULA(宝浦莱)

外延平面芯片结构 /工作与存储结温范围：-55℃ 至 150℃ /符合RoHS标准 / 绿色电磁兼容性 / 内置偏置电阻

20+
￥0.1327
200+
￥0.1041
600+
￥0.0882
2000+
￥0.0786

有货

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型号：DTA114YM 编号：C3031907

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

数据手册

20+
￥0.160908 ￥0.1749
200+
￥0.12466 ￥0.1355
600+
￥0.104512 ￥0.1136
2000+
￥0.09246 ￥0.1005
8000+
￥0.078568 ￥0.0854
16000+
￥0.072956 ￥0.0793

有货

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型号：WNM2030-3-HXY 编号：C50177035

封装：SOT-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流为1.2A，导通电阻典型值为150mΩ。低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能效。器件适用于中低电压开关应用，如电源管理模块、便携式设备的负载开关、DC-DC转换电路以及各类电池供电的电子设备中的信号切换与功率控制，适合对空间和效率有要求的高密度电路设计。

20+
￥0.1753
200+
￥0.1375
600+
￥0.1165

有货

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型号：2SK3541T2L 编号：C74740

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

N沟道,30V,0.1A,8Ω@10V

数据手册

10+
￥0.2219
100+
￥0.1739
300+
￥0.1499

有货

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型号：MMBT2222AM 编号：C2875076

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型（MMBT2907AM）

数据手册

20+
￥0.2229
200+
￥0.1759
600+
￥0.1498

有货

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型号：UESD5.0DT5G-TP 编号：C41408111

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：低工作电压：5V。超低电容：最大90pF。超低泄漏：nA级。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。IEC 61000-4-5（雷电）8A（8/20μs）。应用：手机及配件。个人数字助理

5+
￥0.23978 ￥0.2524
50+
￥0.233795 ￥0.2461
150+
￥0.229805 ￥0.2419
500+
￥0.22572 ￥0.2376

有货

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型号：2SA2029T2LQ 编号：C2766147

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：出色的hFE线性度。与2SC5658/2SC4617EB/2SC4617/2SC4081UB/2SC4081U3/2SC2412K互补。应用：通用小信号放大器

数据手册

10+
￥0.2614
100+
￥0.2134
300+
￥0.1894
1000+
￥0.1714
5000+
￥0.157

有货

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型号：WST2004 编号：C719085

封装：SOT-723

品牌：WINSOK(微硕)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低RDS(on)的N沟道开关。低逻辑电平栅极驱动操作。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.28416 ￥0.3552
100+
￥0.2264 ￥0.283
300+
￥0.19744 ￥0.2468
3000+
￥0.17576 ￥0.2197
6000+
￥0.1584 ￥0.198
12000+
￥0.14976 ￥0.1872

有货

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型号：2SC5661T2LP 编号：C5443923

封装：VMT3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高过渡频率。（典型值 fr = 1.5GHz）。小 rbb'Cc 和高增益。（典型值 6ps）。小 NF

5+
￥0.4347
50+
￥0.3866
150+
￥0.3626
500+
￥0.3446
2500+
￥0.3302

有货

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型号：SSM3K35MFV,L3F 编号：C7421331

封装：VESM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动低导通电阻：Ron = 20Ω（最大值）(VGS = 1.2V)；Ron = 8Ω（最大值）(VGS = 1.5V)；Ron = 4Ω（最大值）(VGS = 2.5V)；Ron = 3Ω（最大值）(VGS = 4.0V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

10+
￥0.4353
100+
￥0.3393
300+
￥0.2913
1000+
￥0.2553

有货

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型号：2SA2030T2L 编号：C2974201

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高电流。集电极-发射极饱和电压低：在集电极电流（IC）为 -200mA、基极电流（IB）为 -10mA 时，VCE(sat) ≤ 250mA。应用：低频放大器。驱动器

5+
￥0.5894
50+
￥0.5262
150+
￥0.4946
500+
￥0.4709
2500+
￥0.4519
5000+
￥0.4424

有货

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型号：NTK3134NT1G 编号：C97777

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，20 V，890 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723

数据手册

5+
￥0.7365
50+
￥0.5845
150+
￥0.5085
500+
￥0.4515
2500+
￥0.4059
4000+
￥0.3831

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型号：TPD2EUSB30ADRTR-N 编号：C2997271

封装：SOT-723

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：56W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±25KV，接触放电 ±20KV。应用：数字电视。机顶盒和数字电视

数据手册

5+
￥1.35776 ￥1.6972
50+
￥1.07552 ￥1.3444
150+
￥0.95456 ￥1.1932
500+
￥0.8036 ￥1.0045
2500+
￥0.7364 ￥0.9205
5000+
￥0.69608 ￥0.8701

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型号：ESD7C3.3DT5G 编号：C233386

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

ESD7CxxD系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。因其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

数据手册

5+
￥1.4535
50+
￥1.1871
150+
￥1.0729
500+
￥0.9304
2500+
￥0.7234
5000+
￥0.6853

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型号：DTC143ZM 编号：C7529011

封装：SOT-723

品牌：AM(安美)

特性：外延平面管芯结构。工作和存储结温：-55℃ 至 150℃。符合 RoHS 标准/绿色 EMC。内置偏置电阻等效电路

20+
￥0.08322 ￥0.0876
200+
￥0.081225 ￥0.0855
600+
￥0.07999 ￥0.0842
2000+
￥0.078755 ￥0.0829

有货

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型号：2SC5658T2LQ-HXY 编号：C46682402

封装：SOT-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN型三极管（BJT）具备0.15A的集电极电流（IC），能够支持高达50V的集电极-发射极电压（VCEO），适用于需要中等功率处理能力的设计。其直流电流增益（HFE）范围为180至390，表明它在放大信号方面表现出色，同时保证了较高的效率和稳定性。此外，该三极管具有180MHz的过渡频率（FT），使其成为高速开关应用的理想选择。其性能特点使得这款三极管非常适合于各种基础电子电路设计，如信号放大与处理等场景。

20+
￥0.107229 ￥0.1153
200+
￥0.104904 ￥0.1128
600+
￥0.103323 ￥0.1111
2000+
￥0.101742 ￥0.1094

有货

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型号：TNM01K20CX 编号：C5307986

封装：SOT-723

品牌：晶扬电子

数据手册

20+
￥0.118
200+
￥0.1154
600+
￥0.1136
3000+
￥0.1065

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型号：TPM2077 编号：C2827705

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(on)典型值：200mΩ（VGS = 4.5V）。 RDS(on)典型值：250mΩ（VGS = 2.5V）。获得无铅产品认证。表面贴装封装。低RDS(on)的N沟道开关。可在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

数据手册

20+
￥0.1394
200+
￥0.1366
600+
￥0.1347
2000+
￥0.1328

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型号：MMBT3906M 编号：C7434275

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 100~300 PNP 40V 0.2A

20+
￥0.14292 ￥0.1588
200+
￥0.11133 ￥0.1237
600+
￥0.09378 ￥0.1042
2000+
￥0.08325 ￥0.0925
8000+
￥0.07416 ￥0.0824
16000+
￥0.06921 ￥0.0769

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型号：MMBT3904M 编号：C5155531

封装：SOT-723

品牌：Slkor(萨科微)

特性：能够实现100mW的功率耗散和200mA的集电极电流。工作和存储结温范围：-55℃至150℃。小外形表面贴装封装。符合RoHS标准/环保EMC

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20+
￥0.1492
200+
￥0.1168
600+
￥0.0988
2000+
￥0.088
8000+
￥0.0761
16000+
￥0.071

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型号：MMBT3904M 编号：C5204738

封装：SOT-723

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：250mW 100~300 NPN

数据手册

20+
￥0.1532
200+
￥0.1219
600+
￥0.1045
2000+
￥0.0941
8000+
￥0.0786
16000+
￥0.0738

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型号：DTC143ZM 编号：C46821613

封装：SOT-723

品牌：POPPULA(宝浦莱)

外延平面芯片结构 /工作与存储结温范围：-55℃ 至 150℃ /符合RoHS标准 / 绿色电磁兼容性 / 内置偏置电阻

20+
￥0.1577
200+
￥0.1237
600+
￥0.1048
2000+
￥0.0935
8000+
￥0.0837

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型号：PNM723T201E0 编号：C110712

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

N沟,20V,1A,0.2Ω@4.5V

数据手册

20+
￥0.1588
200+
￥0.1253
600+
￥0.1067
2000+
￥0.0955

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型号：MMBT3906M 编号：C5204739

封装：SOT-723

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 100~300 PNP 40V 0.2A

数据手册

20+
￥0.163
200+
￥0.1309
600+
￥0.1131
2000+
￥0.1024
8000+
￥0.0716
16000+
￥0.0666

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型号：RSM002N06MGT2L 编号：C2982508

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高速开关。小封装（VMT3）。低电压驱动（2.5V驱动）。应用：开关

数据手册

10+
￥0.261
100+
￥0.227
300+
￥0.21
1000+
￥0.1972
5000+
￥0.187

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型号：WNM2030-3/TR 编号：C239769

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2030是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.3245
200+
￥0.2667
600+
￥0.2249
2000+
￥0.1903

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型号：WPM2093-3/TR 编号：C2931332

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2093是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.3482
100+
￥0.2714
300+
￥0.233
1000+
￥0.2042
5000+
￥0.1812

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型号：LNTK3043NT5G 编号：C5201700

封装：SOT-723

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：能够实现高密度PCB制造。比SC-89封装尺寸小44%，厚度薄38%。低电压驱动，适用于便携式设备。低阈值电平，VGS(TH) < 1.3V。低外形（< 0.5mm），便于安装在超薄环境中，如便携式电子产品。可在标准逻辑电平栅极驱动下工作，便于使用相同基本拓扑向更低电平迁移。这些是无铅器件。产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力

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20+
￥0.3501
200+
￥0.281
600+
￥0.2425
2000+
￥0.2195
8000+
￥0.1829
16000+
￥0.1721

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