VESM二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MC3541A-TP 编号：C19987927

封装：SOT-723

品牌：MCC(美微科)

数据手册

50+
￥0.1144
500+
￥0.0911
1500+
￥0.0782
8000+
￥0.0705

有货

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型号：BC846BM3 编号：C7528934

封装：SOT-723

品牌：AM(安美)

20+
￥0.13927 ￥0.1466
200+
￥0.10849 ￥0.1142
600+
￥0.09139 ￥0.0962
2000+
￥0.08113 ￥0.0854
8000+
￥0.072295 ￥0.0761
16000+
￥0.06745 ￥0.071

有货

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型号：MMBT3906M 编号：C7434275

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 100~300 PNP 40V 0.2A

20+
￥0.14292 ￥0.1588
200+
￥0.11133 ￥0.1237
600+
￥0.09378 ￥0.1042
2000+
￥0.08325 ￥0.0925
8000+
￥0.07416 ￥0.0824
16000+
￥0.06921 ￥0.0769

有货

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型号：BC856BM3 编号：C7528939

封装：SOT-723

品牌：AM(安美)

20+
￥0.162545 ￥0.1711
200+
￥0.126635 ￥0.1333
600+
￥0.106685 ￥0.1123
2000+
￥0.094715 ￥0.0997
8000+
￥0.084265 ￥0.0887
16000+
￥0.078755 ￥0.0829

有货

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型号：DTC023JMT2L 编号：C5157675

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = 2.2kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关状态，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.1717
200+
￥0.1318
600+
￥0.1096
2000+
￥0.0963

有货

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型号：WNM2030-3-HXY 编号：C50177035

封装：SOT-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流为1.2A，导通电阻典型值为150mΩ。低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能效。器件适用于中低电压开关应用，如电源管理模块、便携式设备的负载开关、DC-DC转换电路以及各类电池供电的电子设备中的信号切换与功率控制，适合对空间和效率有要求的高密度电路设计。

20+
￥0.1753
200+
￥0.1375
600+
￥0.1165

有货

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型号：TPDTC115EM3T5G 编号：C52817221

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

10+
￥0.18696 ￥0.246
100+
￥0.146832 ￥0.1932
300+
￥0.126768 ￥0.1668
1000+
￥0.11172 ￥0.147
5000+
￥0.099712 ￥0.1312
8000+
￥0.093632 ￥0.1232

有货

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型号：2SA2029T2LQ 编号：C2766147

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：出色的hFE线性度。与2SC5658/2SC4617EB/2SC4617/2SC4081UB/2SC4081U3/2SC2412K互补。应用：通用小信号放大器

数据手册

10+
￥0.2177
100+
￥0.1697
300+
￥0.1457
1000+
￥0.1277
5000+
￥0.1133

有货

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型号：WNM3013-3/TR 编号：C239659

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3013 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

数据手册

20+
￥0.2344
200+
￥0.1871
600+
￥0.1608
2000+
￥0.145

有货

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型号：DTC114TMT2L 编号：C2889117

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.2419
200+
￥0.1906
600+
￥0.1621
2000+
￥0.145

有货

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型号：L2N7002M3T5G 编号：C172394

封装：SOT-723

品牌：LRC(乐山无线电)

N沟道,60V,115mA,7.5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.2643
200+
￥0.2118
600+
￥0.1827
2000+
￥0.1652

有货

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型号：MMBT2222AM3T5G-MS 编号：C7434271

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100-300 PNP 双极晶体管 NPN 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品

10+
￥0.278825 ￥0.2935
100+
￥0.224105 ￥0.2359
300+
￥0.196745 ￥0.2071
1000+
￥0.176225 ￥0.1855
5000+
￥0.159885 ￥0.1683
8000+
￥0.15162 ￥0.1596

有货

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型号：SSM3K37MFV,L3F 编号：C146334

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于高速开关应用和模拟开关应用，1.5V驱动，低导通电阻。导通电阻 RDS(ON) 在不同条件下有不同最大值：VGS = 1.5V 时，RDS(ON) 最大为 5.60Ω；VGS = 1.8V 时，RDS(ON) 最大为 4.05Ω；VGS = 2.5V 时，RDS(ON) 最大为 3.02Ω；VGS = 4.5V 时，RDS(ON) 最大为 2.20Ω。

数据手册

10+
￥0.3061
100+
￥0.2485
300+
￥0.2197
1000+
￥0.130746 ￥0.1981
5000+
￥0.119328 ￥0.1808
8000+
￥0.113652 ￥0.1722

有货

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型号：SSM3K15AMFV,L3NF 编号：C7421329

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (最大值)(@ VGS = 4V)，RDS(ON) = 6.0Ω (最大值)(@ VGS = 2.5V)

10+
￥0.4559
100+
￥0.3647
300+
￥0.3191
1000+
￥0.2849
5000+
￥0.2575
8000+
￥0.2439

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型号：SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 编号：C396061

封装：VESM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻：Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS = 2.5V)。Rₒₙ = 0.66Ω (最大值) (VGS = 4.5V)。Rₒₙ = 0.63Ω (最大值) (VGS = 5.0V)

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